本發(fā)明涉及晶體元件和具有晶體元件的晶體器件。晶體器件例如是晶體振子或者晶體振蕩器。

背景技術(shù)：

晶體元件例如由臺(tái)面型并且俯視時(shí)大致為矩形形狀的晶體片以及設(shè)置于晶體片的金屬圖案構(gòu)成。金屬圖案由一對(duì)激勵(lì)電極部、一對(duì)引出部和一對(duì)配線部構(gòu)成。一對(duì)激勵(lì)電極部設(shè)置于晶體片的兩個(gè)主面。一對(duì)引出部用于將晶體元件安裝到元件搭載部件，與元件搭載部件的搭載襯墊對(duì)置地配置。一對(duì)配線部的一端與激勵(lì)電極部連接，另一端與引出部連接。晶體元件通過(guò)導(dǎo)電性粘接劑而將引出部與元件搭載部件的搭載襯墊電粘接，從而將晶體元件如懸臂梁那樣支撐，并安裝到元件搭載部件。

在這樣的晶體元件中使用的晶體片具有例如包括向彼此相對(duì)的方向突出的一對(duì)凸部的振動(dòng)部以及厚度比振動(dòng)部薄并沿著振動(dòng)部的外緣設(shè)置的周邊部。此時(shí)，晶體片的長(zhǎng)邊與作為晶體片的晶軸之一的x軸平行，晶體片的短邊與使作為晶體片的晶軸之一的z軸旋轉(zhuǎn)而得到的z′軸平行。一個(gè)凸部具有當(dāng)在與z′軸平行的朝向且晶體片的厚度方向上進(jìn)行剖視時(shí)相對(duì)于一個(gè)凸部的主面傾斜的側(cè)面以及與一個(gè)凸部的主面垂直的側(cè)面。另一個(gè)凸部具有當(dāng)在與z′軸平行的朝向且晶體片的厚度方向上進(jìn)行剖視時(shí)相對(duì)于另一個(gè)凸部的主面傾斜的側(cè)面以及相對(duì)于另一個(gè)凸部的主面傾斜的側(cè)面。在進(jìn)行厚度方向上的俯視時(shí)，相對(duì)于一個(gè)主面的凸部的主面傾斜的側(cè)面和與另一個(gè)主面的凸部的主面垂直的側(cè)面重疊地配置，與一個(gè)主面的凸部的主面垂直的側(cè)面和與另一個(gè)主面的凸部的主面垂直的側(cè)面重疊地配置(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2013-197621號(hào)公報(bào)

這樣的晶體元件構(gòu)成為當(dāng)對(duì)金屬圖案施加交變電壓時(shí)被一對(duì)激勵(lì)電極部夾住的晶體片的一部分振動(dòng)，但此時(shí)，被一對(duì)激勵(lì)電極部夾住的振動(dòng)在俯視時(shí)從激勵(lì)電極部的外緣向晶體片的外緣、具體來(lái)說(shuō)向朝向凸部的側(cè)面的方向傳播。當(dāng)振動(dòng)傳播到晶體片的外緣、具體來(lái)說(shuō)凸部的側(cè)面時(shí)，振動(dòng)在凸部的側(cè)面被反射。以往的晶體元件使用包括具有與一個(gè)凸部的主面垂直的側(cè)面的一個(gè)凸部以及具有與另一個(gè)凸部的主面垂直的側(cè)面的另一個(gè)凸部的晶體片，激勵(lì)電極部設(shè)置于晶體片的兩個(gè)主面、即一個(gè)凸部的主面和另一個(gè)凸部的主面。因此，從被一對(duì)激勵(lì)電極部夾住的晶體片的一部分傳播的振動(dòng)在與凸部的主面垂直的側(cè)面處，與相對(duì)于凸部的主面傾斜的側(cè)面相比，反射的量變大，被激勵(lì)電極部夾住的晶體片的一部分的振動(dòng)與反射的振動(dòng)結(jié)合。其結(jié)果是，有可能等價(jià)串聯(lián)電阻值變大而電特性變差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在本發(fā)明中，其目的在于，提供一種能夠降低由于從被激勵(lì)電極部夾住的晶體片的一部分傳播的振動(dòng)在凸部的側(cè)面反射而發(fā)生的電特性的變化的晶體元件和晶體器件。

為了解決上述課題，本發(fā)明涉及一種晶體元件，包括：晶體片，在俯視時(shí)形成為大致矩形形狀，并具備振動(dòng)部以及周邊部，振動(dòng)部具有向彼此相對(duì)的方向突出的第一凸部和第二凸部，周邊部沿著振動(dòng)部的外緣配置并且厚度比振動(dòng)部?。灰粚?duì)激勵(lì)電極部，設(shè)置于第一凸部的上表面和第二凸部的下表面；一對(duì)引出部，沿著晶體片的規(guī)定的一邊排列設(shè)置；以及配線部，一端與激勵(lì)電極部連接，另一端與引出部連接，其中，第一凸部具有相對(duì)于設(shè)置有激勵(lì)電極部的第一凸部的上表面傾斜的第一側(cè)面以及與第一側(cè)面在規(guī)定方向上對(duì)置并且與設(shè)置有激勵(lì)電極部的第一凸部的上表面對(duì)置的第二側(cè)面，第二凸部具有相對(duì)于設(shè)置有激勵(lì)電極部的第二凸部的下表面傾斜的第三側(cè)面以及與第三側(cè)面在規(guī)定方向上對(duì)置并且與設(shè)置有激勵(lì)電極部的第二凸部的下表面對(duì)置的第四側(cè)面，第一側(cè)面配置成在晶體片的厚度方向上的俯視時(shí)與第三側(cè)面重疊，第二側(cè)面配置成在晶體片的厚度方向上的俯視時(shí)與第四側(cè)面重疊。

本發(fā)明涉及一種晶體元件，包括：晶體片，在俯視時(shí)形成為大致矩形形狀，并具備振動(dòng)部以及周邊部，振動(dòng)部具有向彼此相對(duì)的方向突出的第一凸部和第二凸部，周邊部沿著振動(dòng)部的外緣配置并且厚度比振動(dòng)部薄；一對(duì)激勵(lì)電極部，設(shè)置于第一凸部的上表面和第二凸部的下表面；一對(duì)引出部，沿著晶體片的規(guī)定的一邊排列設(shè)置；以及配線部，一端與激勵(lì)電極部連接，另一端與引出部連接，其中，第一凸部具有相對(duì)于設(shè)置有激勵(lì)電極部的第一凸部的上表面傾斜的第一側(cè)面以及與第一側(cè)面在規(guī)定方向上對(duì)置并且與設(shè)置有激勵(lì)電極部的第一凸部的上表面對(duì)置的第二側(cè)面，第二凸部具有相對(duì)于設(shè)置有激勵(lì)電極部的第二凸部的下表面傾斜的第三側(cè)面以及與第三側(cè)面在規(guī)定方向上對(duì)置并且與設(shè)置有激勵(lì)電極部的第二凸部的下表面對(duì)置的第四側(cè)面，第一側(cè)面配置成在晶體片的厚度方向上的俯視時(shí)與第三側(cè)面重疊，第二側(cè)面配置成在晶體片的厚度方向上的俯視時(shí)與第四側(cè)面重疊。因此，成為第一側(cè)面和第二側(cè)面相對(duì)于第一凸部的上表面傾斜、同時(shí)第三側(cè)面和第四側(cè)面相對(duì)于第二凸部的下表面傾斜的狀態(tài)。因此，在本發(fā)明的晶體元件中，相比于第一側(cè)面或者第二側(cè)面與第一凸部的上表面垂直的情況以及第三側(cè)面或者第四側(cè)面與第二凸部的下表面垂直的情況，能夠減輕從被激勵(lì)電極部夾住的部分傳播的振動(dòng)在第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面和第四側(cè)面反射的量，能夠進(jìn)一步抑制由于在第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面和第四側(cè)面反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)施方式的晶體器件的立體圖。

圖2是圖1的a-a剖面的剖視圖。

圖3a是本實(shí)施方式的晶體元件的上表面的俯視圖。

圖3b是從上表面透視本實(shí)施方式的晶體元件的下表面而得到的俯視透視圖。

圖4a是晶體片的上表面的俯視圖。

圖4b是從上表面透視晶體片的下表面而得到的俯視透視圖。

圖5是用于說(shuō)明凸部的主面與側(cè)面之間的角度的、圖4a的b-b剖面的剖視圖。

圖6是用于說(shuō)明晶體片的規(guī)定的另一邊至側(cè)面的距離的、圖4a的b-b剖面的剖視圖。

具體實(shí)施方式

圖1是本實(shí)施方式的晶體器件的立體圖，圖2是圖1的a-a剖面的剖視圖。圖3a和圖3b是本實(shí)施方式的晶體元件120的俯視圖，圖4a和圖4b是晶體片121的俯視圖。圖5和圖6是b-b剖面的晶體片121的剖視圖。

(晶體器件的概略結(jié)構(gòu))

晶體器件例如是整體上大致為長(zhǎng)方體形狀的電子構(gòu)件。例如，晶體器件的長(zhǎng)邊或者短邊的長(zhǎng)度是0.6mm～2.0mm，上下方向的厚度是0.2mm～1.5mm。

晶體器件由例如形成有凹部的元件搭載部件110、收容于凹部的晶體元件120、堵塞凹部的蓋體130以及用于將晶體元件120粘接安裝于元件搭載部件110的導(dǎo)電性粘接劑140構(gòu)成。

元件搭載部件110的凹部通過(guò)蓋體130來(lái)密封，其內(nèi)部例如被設(shè)為真空或者被封入適當(dāng)?shù)臍怏w(例如，氮)。

元件搭載部件110例如由作為元件搭載部件110的主體的基體110a、沿著基體110a的上表面的緣部設(shè)置的框體110b、用于安裝晶體元件120的搭載襯墊111以及用于將晶體器件安裝到未圖示的電路基板等的外部端子112構(gòu)成。在元件搭載部件110處，沿著基體110a的上表面的緣部設(shè)置框狀的框體110b，并且形成有凹部。

基體110a和框體110b由陶瓷材料等絕緣材料構(gòu)成。搭載襯墊111和外部端子112例如通過(guò)由金屬等構(gòu)成的導(dǎo)電層來(lái)構(gòu)成，通過(guò)配置于基體110a內(nèi)的導(dǎo)體(未圖示)而相互電連接。蓋體130例如由金屬構(gòu)成，通過(guò)縫焊等而接合到元件搭載部件110、具體來(lái)說(shuō)是框體110b的上表面。

晶體元件120例如具有用于對(duì)晶體片121施加電壓的一對(duì)激勵(lì)電極部126以及用于將晶體元件120安裝到搭載襯墊111的一對(duì)配線部127。

晶體片121是所謂的at切割晶體片。即，在晶體中使由x軸(電氣軸)、y軸(機(jī)械軸)和z軸(光軸)構(gòu)成的正交坐標(biāo)系xyz繞x軸旋轉(zhuǎn)30°以上且50°以下(作為一例，35°15′)而定義了正交坐標(biāo)系xy′z′時(shí)，晶體片121是與xz′平面平行地被切出的板狀。

一對(duì)激勵(lì)電極部126和一對(duì)配線部127通過(guò)由金屬等構(gòu)成的導(dǎo)電性材料來(lái)構(gòu)成。一對(duì)激勵(lì)電極部126例如設(shè)置于晶體片121的兩個(gè)主面的中央側(cè)。一對(duì)配線部127例如從激勵(lì)電極部126向x軸方向的一側(cè)(例如，-x方向側(cè))延伸，沿著晶體片121的規(guī)定的一邊的端部具有一對(duì)引出部128。

晶體元件120使主面與元件搭載部件110的基體110a的上表面對(duì)置地收容于元件搭載部件110的凹部?jī)?nèi)。引出部128通過(guò)導(dǎo)電性粘接劑140粘接到設(shè)置于元件搭載部件110的基體110a的搭載襯墊111。由此，晶體元件120如懸臂梁那樣地被支撐于元件搭載部件110。另外，一對(duì)激勵(lì)電極部126與元件搭載部件110的一對(duì)搭載襯墊111電連接，進(jìn)而，與元件搭載部件110的多個(gè)外部端子112中的任意兩個(gè)電連接。

這樣構(gòu)成的晶體器件例如將元件搭載部件的下表面對(duì)置地配置于未圖示的電路基板的安裝面，外部端子112通過(guò)焊料等而接合到電路基板的襯墊，從而安裝于電路基板。在電路基板例如構(gòu)成有振蕩電路。振蕩電路經(jīng)由外部端子112和搭載襯墊111對(duì)一對(duì)激勵(lì)電極部126施加交變電壓而生成振蕩信號(hào)。此時(shí)，振蕩電路例如利用晶體片121的厚度滑動(dòng)振動(dòng)中的基波振動(dòng)。

(晶體元件的形狀)

圖3a是俯視晶體元件120的上表面而得到的俯視圖，圖3b是上表面透視晶體元件120的下表面而得到的俯視透視圖。另外，圖4a是俯視晶體片的上表面而得到的俯視圖，圖4b從上表面對(duì)晶體片121的下表面進(jìn)行俯視透視的俯視透視圖。圖5和圖6是b-b剖面的剖視圖。

在實(shí)施方式中，在將晶體元件120安裝于元件搭載部件110的情況下，將與元件搭載部件110的基體110a的上表面大致平行的面設(shè)為主面，將從晶體元件120向元件搭載部件110的基體110a的朝向設(shè)為下方向、從元件搭載部件110的基體110a向晶體元件120的朝向設(shè)為上方向來(lái)說(shuō)明。

將朝向元件搭載部件110的基體110a的晶體元件120的面設(shè)為晶體元件120的下表面，將朝向與晶體元件120的下表面相反一側(cè)的晶體元件120的面設(shè)為晶體元件120的上表面，將晶體元件120的上表面和晶體元件120的下表面設(shè)為晶體元件120的主面。同樣地，將朝向元件搭載部件110的基體110a的晶體片121的面設(shè)為晶體片121的下表面，將朝向與晶體片121的下表面相反一側(cè)的晶體片121的面設(shè)為晶體片121的上表面，將晶體片121的上表面和晶體片121的下表面設(shè)為晶體片121的主面。同樣地，將朝向元件搭載部件110的基體110a的振動(dòng)部122的面設(shè)為振動(dòng)部122的下表面，將朝向與振動(dòng)部122的下表面相反一側(cè)的振動(dòng)部122的面設(shè)為振動(dòng)部122的上表面，將振動(dòng)部122的上表面和振動(dòng)部122的下表面設(shè)為振動(dòng)部122的主面。

另外，將振動(dòng)部122所具備的凸部、且向元件搭載部件110的與基體110a相反一側(cè)突出的凸部設(shè)為第一凸部122a，將振動(dòng)部122所具備的凸部、且向元件搭載部件110的基體110a側(cè)突出的凸部設(shè)為第二凸部122b。此時(shí)，將與元件搭載部件110的基體110a的上表面大致平行的第一凸部122a的面設(shè)為第一凸部122a的主面，將與元件搭載部件110的基體110a的上表面大致平行的第二凸部122b的面設(shè)為第二凸部122b的主面。

此外，振動(dòng)部122的上表面和第一凸部122a的主面以相同的含義使用，晶體元件120的上表面和晶體片121的上表面以相同的含義使用。另外，晶體元件120的上表面、晶體片121的上表面、振動(dòng)部122的上表面和第一凸部122a的主面位于同一平面上。另外，振動(dòng)部122的下表面和第二凸部122b的主面以相同的含義使用，晶體元件120的下表面和晶體片121的下表面以相同的含義使用。另外，晶體元件120的下表面、晶體片121的下表面、振動(dòng)部122的下表面和第二凸部122b的主面位于同一平面上。

晶體元件120包括具備第一凸部122a和第二凸部122b的晶體片121以及由激勵(lì)電極部126、配線部127和引出部128構(gòu)成的金屬圖案125。

晶體片121是所謂的臺(tái)面型的晶體片，由具有向彼此相對(duì)的方向突出的第一凸部122a和第二凸部122b的振動(dòng)部、傾斜部123及周邊部124構(gòu)成。通過(guò)設(shè)為這樣的形狀，與使用平板狀的晶體片的情況相比，能夠提高能量束縛效果，進(jìn)而，能夠減小等價(jià)串聯(lián)電阻值。晶體片121的形狀在俯視時(shí)大致為矩形，其主面是具有與x軸平行的長(zhǎng)邊和與z′軸平行的短邊的矩形。這樣的晶體片121將x軸方向設(shè)為長(zhǎng)度方向。

振動(dòng)部122例如是具有與xz′平面平行的一對(duì)主面的薄型長(zhǎng)方體，其主面是具有與x軸平行的長(zhǎng)邊和與z′軸平行的短邊的矩形。在該振動(dòng)部122的兩個(gè)主面(第一凸部122a的主面和第二凸部122b的主面)，設(shè)置有一對(duì)激勵(lì)電極部126。當(dāng)對(duì)該一對(duì)激勵(lì)電極部126施加交變電壓時(shí)，被激勵(lì)電極部126夾住的振動(dòng)部122的一部分由于逆壓電效應(yīng)和壓電效應(yīng)，能夠使被激勵(lì)電極部126夾住的部分進(jìn)行厚度滑動(dòng)振動(dòng)。此時(shí)，關(guān)于該厚度滑動(dòng)振動(dòng)，也從被激勵(lì)電極部126夾住的部分向未被激勵(lì)電極部126夾住的振動(dòng)部122的外緣側(cè)傳播厚度滑動(dòng)振動(dòng)。

如上所述，在實(shí)施方式中，將振動(dòng)部122所具備的凸部、且向元件搭載部件110的與基體110a相反一側(cè)突出的凸部設(shè)為第一凸部122a，將振動(dòng)部122所具備的凸部、且向元件搭載部件110的基體110a側(cè)突出的凸部設(shè)為第二凸部122b。

第一凸部122a是向上側(cè)突出的凸部。第一凸部122a如圖3a所示，是在俯視晶體片121的上表面時(shí)具有與x軸平行的長(zhǎng)邊和與z′軸平行的短邊的矩形。另外，沿著第一凸部122a的外緣設(shè)置有傾斜部123(第一傾斜部123a)。

第二凸部122b是向下側(cè)突出的凸部。第二凸部122b如圖3b所示，是在從晶體片121的上表面俯視透視晶體片121的下表面時(shí)具有與x軸平行的長(zhǎng)邊和與z′軸平行的短邊的矩形。另外，第二凸部122b的主面如圖4a和圖4b所示，與第一凸部122a的主面平行。另外，沿著第二凸部122b的外緣設(shè)置有傾斜部123(第二傾斜部123b)。

傾斜部123具有第一傾斜部123a和第二傾斜部123b。傾斜部123的上下方向的厚度如圖5和圖6所示，在對(duì)晶體片121進(jìn)行剖視時(shí)，隨著從振動(dòng)部122朝向周邊部124而逐漸變薄。第一傾斜部123a是沿著第一凸部122a的外緣設(shè)置的傾斜部123的一部分。第二傾斜部123b是沿著第二凸部122b的外緣設(shè)置的傾斜部123的一部分。

在這里，如圖5所示，當(dāng)在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)對(duì)晶體片121進(jìn)行剖視時(shí)，將第一傾斜部123a(沿著第一凸部122a設(shè)置的傾斜部123)、且位于+x軸方向的側(cè)面設(shè)為第一側(cè)面s11，將第一傾斜部123a、且位于-x軸方向的側(cè)面設(shè)為第二側(cè)面s12。另外，如圖4a和圖5所示，當(dāng)在xy′平面對(duì)晶體片121進(jìn)行剖視時(shí)，將第二傾斜部123b(沿著第二凸部122b設(shè)置的傾斜部123)、且位于+x軸方向的側(cè)面設(shè)為第三側(cè)面s13，將第二傾斜部123b、且位于-x軸方向的側(cè)面設(shè)為第四側(cè)面s14。

第一側(cè)面s11如圖5所示，是在俯視晶體片121的上表面時(shí)第一傾斜部123a的與z′軸平行的面中的位于+x軸側(cè)的面。即，第一側(cè)面s11相對(duì)于通過(guò)第一凸部122a的主面(振動(dòng)部122的上表面)的中心cu的、與x軸垂直的假想線clu，位于x軸的正方向側(cè)。第一側(cè)面s11與第一凸部122a的主面所成的角度是鈍角(大于90°并且小于180°的角度)、具體來(lái)說(shuō)是135°～155°。

第二側(cè)面s12如圖5所示，是在俯視晶體片121的上表面時(shí)第一傾斜部123a的與z′軸平行的面中的位于-x軸側(cè)的面。即，第二側(cè)面s12相對(duì)于通過(guò)第一凸部122a的主面(振動(dòng)部122的上表面)的中心cu的、與x軸垂直的假想線clu，位于x軸的負(fù)方向側(cè)。第二側(cè)面s12與第一凸部122a的主面所成的角度是鈍角(大于90°并且小于180°的角度)、具體來(lái)說(shuō)是150°～170°。

第三側(cè)面s13如圖5所示，是在從晶體片121的上表面俯視透視下表面時(shí)第二傾斜部123b的與z′軸平行的面中的位于+x軸側(cè)的面。即，第三側(cè)面s13相對(duì)于通過(guò)第二凸部122b的主面(振動(dòng)部122的下表面)的中心cd的、與x軸垂直的假想線cld，位于x軸的正方向側(cè)。第三側(cè)面s13與第二凸部122b的主面所成的角度是鈍角(大于90°并且小于180°的角度)、具體來(lái)說(shuō)是150°～170°。另外，如圖5和圖6所示，當(dāng)在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)對(duì)晶體片121進(jìn)行剖視時(shí)，第三側(cè)面s13位于與第一側(cè)面s11上下重疊的位置。

第四側(cè)面s14如圖5所示，是在從晶體片121的上表面俯視透視下表面時(shí)第二傾斜部123b的與z′軸平行的面中的位于-x軸側(cè)的面。即，第三側(cè)面s13相對(duì)于通過(guò)第二凸部122b的主面(振動(dòng)部122的下表面)的中心cd的、與x軸垂直的假想線cld，位于x軸的負(fù)方向側(cè)。第四側(cè)面s14與第二凸部122b的主面所成的角度是鈍角(大于90°并且小于180°的角度)、具體來(lái)說(shuō)是135°～155°。另外，如圖5和圖6所示，當(dāng)在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)對(duì)晶體片121進(jìn)行剖視時(shí)，第四側(cè)面s14位于與第二側(cè)面s12在上下方向上重疊的位置。

因此，如圖5和圖6所示，在對(duì)晶體片121進(jìn)行剖視的情況下，第一側(cè)面s11與第三側(cè)面s13位于上下方向上，同時(shí)第二側(cè)面s12與第四側(cè)面s14位于上下方向上。根據(jù)其他觀點(diǎn)，在對(duì)晶體片121進(jìn)行俯視透視的情況下，第一側(cè)面s11與第三側(cè)面s13重疊，同時(shí)第二側(cè)面s12與第四側(cè)面s14重疊。通過(guò)這樣，在從被激勵(lì)電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時(shí)，從激勵(lì)電極部126的外緣向振動(dòng)部122的外緣的方向上傳播的振動(dòng)的情況下，能夠使傳播方向與側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)所成的角度與側(cè)面(第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面或者第四側(cè)面)垂直的情況相比減小，因此能夠減輕在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的量，能夠抑制由于在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

另外，在本實(shí)施方式的晶體片121中，當(dāng)在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)進(jìn)行剖視的情況下，第一側(cè)面s11與第三側(cè)面s13位于上下方向上，同時(shí)第二側(cè)面s12與第四側(cè)面s14位于上下方向上。即，晶體片121在俯視時(shí)，上述第一側(cè)面s11相對(duì)于通過(guò)第一凸部122a的主面的中心cu并且與x軸垂直的假想線clu，位于x軸的正方向側(cè)，第二側(cè)面s12相對(duì)于通過(guò)第一凸部122a的主面的中心cu并且與x軸垂直的假想線clu，位于x軸的負(fù)方向側(cè)，第三側(cè)面s13相對(duì)于通過(guò)第二凸部122b的主面的中心cd并且與x軸垂直的假想線cld，位于x軸的正方向側(cè)，第四側(cè)面s14相對(duì)于通過(guò)第二凸部122b的主面的中心cd并且與x軸垂直的假想線cld，位于x軸的負(fù)方向側(cè)。通過(guò)這樣，在側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)被反射的振動(dòng)降低，從而能夠降低對(duì)被激勵(lì)電極部126夾住的部分的厚度滑動(dòng)振動(dòng)造成的影響，能夠抑制電特性變差的量。一般來(lái)說(shuō)，在對(duì)激勵(lì)電極部126施加電壓而使被激勵(lì)電極部126夾住的振動(dòng)部122的一部分進(jìn)行厚度滑動(dòng)振動(dòng)時(shí)，其振動(dòng)位移在與x軸平行的方向的中心部最大。因此，在與x軸平行的朝向上從側(cè)面被反射而傳播的振動(dòng)容易對(duì)被激勵(lì)電極部126夾住的部分的厚度滑動(dòng)振動(dòng)造成影響。即，在實(shí)施方式中，當(dāng)在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)進(jìn)行剖視的情況下，通過(guò)使第一側(cè)面s11與第三側(cè)面s13位于上下方向上，同時(shí)使第二側(cè)面s12與第四側(cè)面s14位于上下方向上，從而與當(dāng)在z′y′平面進(jìn)行剖視的情況下位于上下方向的情況相比，在側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)被反射了的振動(dòng)進(jìn)一步降低，因而，能夠降低對(duì)由激勵(lì)電極部126夾住的部分的厚度滑動(dòng)振動(dòng)造成的影響，能夠抑制電特性變差的量。

另外，在本實(shí)施方式的晶體片121中，當(dāng)在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)進(jìn)行剖視的情況下，第一凸部122a的主面與第一側(cè)面s11所成的角度是鈍角(大于90°并且小于180°的角度)，第一凸部122a的主面與第二側(cè)面s12所成的角度是鈍角，第二凸部122b的主面與第三側(cè)面s13所成的角度是鈍角，第二凸部122b的主面與第四側(cè)面s14所成的角度是鈍角。通過(guò)這樣，在從被激勵(lì)電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時(shí)，在從激勵(lì)電極部126的外緣朝向振動(dòng)部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)所成的角度與側(cè)面(第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面或者第四側(cè)面)垂直的情況相比進(jìn)一步減小，因此能夠減輕在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的量，能夠抑制由于在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

具體來(lái)說(shuō)，在本實(shí)施方式的晶體片121中，第一凸部122a的主面與第一側(cè)面s11所成的角度是135°～155°，第一凸部122a的主面與第二側(cè)面s12所成的角度是150°～170°，第二凸部122b的主面與第三側(cè)面s13所成的角度是150°～170°，第二凸部122b的主面與第四側(cè)面s14所成的角度是135°～155°。通過(guò)這樣，在對(duì)激勵(lì)電極部126施加電壓而使由激勵(lì)電極部126夾住的振動(dòng)部122的一部分進(jìn)行厚度滑動(dòng)振動(dòng)的情況下，能夠進(jìn)一步降低在側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)反射的振動(dòng)在與x軸平行的方向上被反射的量，能夠進(jìn)一步抑制電特性變差的量。特別是，與側(cè)面之間的角度以及厚度滑動(dòng)振動(dòng)的傳播的方式根據(jù)晶體晶圓的切割角度來(lái)決定，因此在實(shí)施方式中，通過(guò)這樣決定側(cè)面的角度，抑制電特性變差的量。此外，所成的角度的公差是±3°以?xún)?nèi)。

周邊部124在俯視晶體片121時(shí)，沿著傾斜部123的外緣設(shè)置。周邊部124的上下方向的厚度薄于振動(dòng)部122的上下方向的厚度(第一凸部122a的主面至第二凸部122b的主面為止的距離)。

如圖4a所示，當(dāng)俯視晶體片121的上表面時(shí)，從晶體片121的規(guī)定的另一邊(與排列設(shè)置有引出部128的晶體片121的規(guī)定的一邊對(duì)置的邊)到位于x軸的正方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(+)短于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(-)。另外，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第二側(cè)面s12為止的距離d12(+)短于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第二側(cè)面s12為止的距離d12(-)。

如圖4b所示，當(dāng)從上表面?zhèn)雀┮曂敢暰w片121的下表面時(shí)，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第三側(cè)面s13為止的距離d13(+)短于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第三側(cè)面s13為止的距離d13(-)。另外，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14為止的距離d14(+)短于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第四側(cè)面s14為止的距離d14(-)。

晶體片121如圖4b和圖6所示，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第三側(cè)面s13為止的距離d13(+)短于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(-)。另外，如圖4b和圖6所示，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14為止的距離d14(+)短于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第二側(cè)面s12為止的距離d12(-)。即，晶體片121在將相比于假想線clu、cld更位于x軸的正方向側(cè)的與x軸垂直的邊設(shè)為晶體片121的規(guī)定的另一邊時(shí)，規(guī)定的另一邊與靠近規(guī)定的另一邊的第三側(cè)面s13的邊之間的距離(d13(+))短于規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離規(guī)定的另一邊的第一側(cè)面s11的邊之間的距離(d11(-))，規(guī)定的另一邊與靠近規(guī)定的另一邊的第四側(cè)面s14的邊之間的距離(d14(+))短于規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離規(guī)定的另一邊的第二側(cè)面s12的邊之間的距離(d12(-))。

通過(guò)這樣，在對(duì)晶體片121進(jìn)行剖視的情況下，能夠使第一側(cè)面s11與第三側(cè)面s13位于上下方向上，同時(shí)使第二側(cè)面s12與第四側(cè)面s14位于上下方向上。根據(jù)其他觀點(diǎn)，在對(duì)晶體片121進(jìn)行俯視透視的情況下，能夠使第一側(cè)面s11與第三側(cè)面s13重疊，同時(shí)使第二側(cè)面s12與第四側(cè)面s14重疊。即，通過(guò)這樣，在從被激勵(lì)電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時(shí)，在從激勵(lì)電極部126的外緣朝向振動(dòng)部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)所成的角度與側(cè)面(第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面或者第四側(cè)面)垂直的情況相比減小，因此能夠減輕在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的量，能夠抑制由于在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

在晶體片121中，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(-)等于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第三側(cè)面s13為止的距離d13(-)。即，在晶體片121中，規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離規(guī)定的另一邊的第一側(cè)面s11的邊之間的距離(d11(-))等于規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離規(guī)定的另一邊的第三側(cè)面s13的邊之間的距離(d13(-))，規(guī)定的另一邊與靠近規(guī)定的另一邊的第二側(cè)面s12的邊之間的距離(d12(+))等于規(guī)定的另一邊與靠近規(guī)定的另一邊的第四側(cè)面s14的邊之間的距離(d14(+))。另外，在晶體片121中，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第二側(cè)面s12為止的距離d12(+)等于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14為止的距離d14(+)。通過(guò)這樣，能夠在俯視透視晶體元件120的情況下，使位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11與位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第三側(cè)面s13重疊，同時(shí)使位于x軸的正方向側(cè)的第二側(cè)面s12與位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14重疊，能夠減輕在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的量。其結(jié)果是，能夠抑制由于在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

在這里，說(shuō)明這樣的晶體片121的形成方法。這樣的晶體片121的形成方法例如由晶體晶圓準(zhǔn)備工序、第一蝕刻工序和第二蝕刻工序構(gòu)成。在晶體晶圓準(zhǔn)備工序中，首先，準(zhǔn)備具有由相互正交的x軸、y軸和z軸構(gòu)成的晶軸的晶體晶圓。此時(shí)，晶體晶圓的上下方向的厚度與振動(dòng)部122的上下方向的厚度相同。另外，晶體晶圓的主面成為與振動(dòng)部122的主面相同的切割角度。因此，晶體晶圓的主面平行于使與x軸和z軸平行的面以x軸為中心看著x軸的負(fù)方向而逆時(shí)針地旋轉(zhuǎn)規(guī)定的角度而得到的面。在第一蝕刻工序中，使用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)。首先，在晶體晶圓的兩個(gè)主面上設(shè)置保護(hù)金屬膜，在該保護(hù)金屬膜上涂敷感光性抗蝕劑，曝光/顯影成規(guī)定的圖案。此時(shí)，當(dāng)俯視晶體晶圓時(shí)，在成為振動(dòng)部122的部分殘留有感光性抗蝕劑，在成為傾斜部123和周邊部124的部分未殘留感光性抗蝕劑。其后，浸漬到規(guī)定的蝕刻溶液，對(duì)晶體晶圓進(jìn)行蝕刻，直到被蝕刻的晶體晶圓的上下方向的厚度變成周邊部124的上下方向的厚度為止。此時(shí)，通過(guò)晶體特有的各向異性蝕刻，還形成傾斜部123。最后，將殘留于晶體晶圓的感光性抗蝕劑和保護(hù)金屬膜剝離。在第二蝕刻工序中，在第一蝕刻工序后的晶體晶圓的兩個(gè)主面設(shè)置保護(hù)金屬膜，在保護(hù)金屬膜上涂敷感光性抗蝕劑，曝光/顯影成規(guī)定的圖案。此時(shí)，當(dāng)俯視晶體晶圓時(shí)，在成為晶體片121的部分殘留有感光性抗蝕劑。其后，浸漬到規(guī)定的蝕刻溶液，對(duì)晶體晶圓進(jìn)行蝕刻。通過(guò)如上所述，多個(gè)晶體片121能夠以其一部分被連結(jié)了的狀態(tài)形成于晶體晶圓內(nèi)。如上所述，凸部的主面與側(cè)面之間的角度根據(jù)晶體晶圓的切割角度來(lái)決定。例如在晶體中，通過(guò)使用繞x軸在30°以上且50°以下的范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)而與xz′平面平行地被切出的at切割板，第一凸部122a的主面與第一側(cè)面s11所成的角度能夠取得135°～155°，第一凸部122a的主面與第二側(cè)面s12所成的角度能夠取得150°～170°，第二凸部122b的主面與第三側(cè)面s13所成的角度能夠取得150°～170°，第二凸部122b的主面與第四側(cè)面s14所成的角度能夠取得135°～155°。進(jìn)而在晶體中，通過(guò)使用繞x軸旋轉(zhuǎn)35°15′而與xz′平面平行地被切出的at切割板，第一凸部122a的主面與第一側(cè)面s11所成的角度能夠取得147°，第一凸部122a的主面與第二側(cè)面s12所成的角度能夠取得160°，第二凸部122b的主面與第三側(cè)面s13所成的角度能夠取得160°，第二凸部122b的主面與第四側(cè)面s14所成的角度能夠取得147°。

接下來(lái)，說(shuō)明晶體片121的各尺寸的實(shí)施例。晶體片121在俯視時(shí)大致為矩形形狀，長(zhǎng)邊的尺寸是0.4mm～1.0mm，短邊的尺寸是0.3mm～0.7mm。第一凸部122a的主面大致為矩形形狀，與晶體片121的長(zhǎng)邊平行的尺寸是0.2mm～0.8mm，與晶體片121的短邊平行的尺寸是0.2mm～0.6mm。第二凸部122b的主面大致為矩形形狀，與晶體片121的長(zhǎng)邊平行的尺寸是0.2mm～0.8mm，與晶體片121的短邊平行的尺寸是0.2mm～0.6mm。第一凸部122a的主面至第二凸部122b為止的距離(振動(dòng)部122的上下方向的厚度)是30μm～70μm。另外，周邊部124的上下方向的厚度是10μm～65μm。

從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(+)是2μm～199μm，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(-)是30μm～200μm。從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第二側(cè)面s12為止的距離d12(+)是230μm～900μm，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第二側(cè)面s12為止的距離d12(-)是231μm～952μm。從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第三側(cè)面s13為止的距離d13(+)是2μm～199μm，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第三側(cè)面s13為止的距離d13(-)是30μm～200μm。從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14為止的距離d14(+)是230μm～900μm，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第四側(cè)面s14為止的距離d14(-)是231μm～965μm。

設(shè)置于這樣的晶體片121的金屬圖案125用于從晶體元件120的外部施加電壓。金屬圖案125既可以是一層，也可以層疊多個(gè)金屬層。金屬圖案125沒(méi)有特別圖示，例如由第一金屬層和層疊于第一金屬層上的第二金屬層構(gòu)成。第一金屬層使用與晶體的密合性好的金屬，例如使用鎳、鉻或者鈦中的任意一個(gè)。通過(guò)使用與晶體的密合性好的金屬，能夠?qū)㈦y以與晶體密合的金屬材料用于第二金屬層。第二金屬層例如使用金、包含金的合金、銀或者包含銀的合金中的任意一個(gè)。這樣在第二金屬層中，使用金屬材料中的電阻率較低且穩(wěn)定的材料。通過(guò)使用電阻率較低的材料，能夠降低金屬圖案125自身的電阻率，其結(jié)果是，能夠減少晶體元件120的等價(jià)串聯(lián)電阻值變大的情況。另外，通過(guò)將穩(wěn)定的金屬材料用于第二金屬層，能夠減少與晶體元件120周?chē)目諝獍l(fā)生反應(yīng)而金屬圖案125的重量變化而導(dǎo)致晶體元件120的頻率變化的情況。

激勵(lì)電極部126用于對(duì)振動(dòng)部122施加電壓。激勵(lì)電極部126為一對(duì)，在振動(dòng)部122的上表面(第一凸部122a的主面)設(shè)置有一個(gè)激勵(lì)電極部126，在振動(dòng)部122的下表面(第二凸部122b的主面)設(shè)置有另一個(gè)激勵(lì)電極部126。在俯視晶體元件120時(shí)，激勵(lì)電極部126大致為矩形形狀。另外，一個(gè)激勵(lì)電極部126被設(shè)置成一個(gè)激勵(lì)電極部126的外緣比第一凸部122a的外緣更位于內(nèi)側(cè)，另一個(gè)激勵(lì)電極部126被設(shè)置成另一個(gè)激勵(lì)電極部126的外緣比第二凸部122b的外緣更位于內(nèi)側(cè)。

配線部127為一對(duì)，用于對(duì)激勵(lì)電極部126施加電壓，設(shè)置于晶體片121的表面。配線部127的一端與激勵(lì)電極部126連接，另一端與沿著晶體片121的規(guī)定的一邊設(shè)置的引出部128連接。

引出部128與配線部127連接。引出部128在將晶體元件120用作晶體器件的情況下，通過(guò)導(dǎo)電性粘接劑140與設(shè)置于基體110a的上表面的搭載襯墊111電粘接。引出部128為一對(duì)，沿著晶體片121的規(guī)定的一邊排列設(shè)置有兩個(gè)。

在這里，說(shuō)明將由激勵(lì)電極部126、配線部127和引出部128構(gòu)成的金屬圖案125形成于晶體片121的方法。在這里，以使用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)一體地形成金屬圖案125的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。首先，準(zhǔn)備連結(jié)了成為晶體片121的部分的狀態(tài)的晶體晶圓，在該晶體晶圓的兩個(gè)主面形成成為金屬圖案125的金屬膜。接下來(lái)，在該金屬膜上涂敷感光性抗蝕劑，曝光/顯影成規(guī)定的圖案。此時(shí)，在顯影后，變成在成為金屬圖案125的部分殘留有感光性抗蝕劑的狀態(tài)。其后，浸漬到規(guī)定的蝕刻溶液，去除未殘留感光性抗蝕劑部分的金屬膜，最后，去除殘留的感光性抗蝕劑。通過(guò)這樣，在晶體片121的規(guī)定的部分形成有金屬圖案125。此外，說(shuō)明了同時(shí)形成激勵(lì)電極部126、配線部127和引出部128的情況，但既可以分別單獨(dú)地形成，也可以不使用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)而使用濺射技術(shù)或者蒸鍍技術(shù)來(lái)形成，也可以組合光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)以及濺射技術(shù)或者蒸鍍技術(shù)來(lái)形成。

本實(shí)施方式的晶體元件120包括：晶體片121，在俯視時(shí)形成為大致矩形形狀，并具備振動(dòng)部122以及周邊部124，所述振動(dòng)部122具有向彼此相對(duì)的方向突出的第一凸部122a和第二凸部122b，周邊部124沿著振動(dòng)部122的外緣配置并且厚度比振動(dòng)部122?。灰粚?duì)激勵(lì)電極部126，設(shè)置于第一凸部122a的上表面和第二凸部122b的下表面；一對(duì)引出部128，沿著晶體片121的規(guī)定的一邊排列設(shè)置；以及配線部127，一端與激勵(lì)電極部126連接并且另一端與引出部128連接。另外，第一凸部122a具有相對(duì)于設(shè)置有激勵(lì)電極部126的第一凸部122a的上表面傾斜的第一側(cè)面s11以及與第一側(cè)面s11在規(guī)定方向上對(duì)置并且與設(shè)置有激勵(lì)電極部126的第一凸部122a的上表面對(duì)置的第二側(cè)面s12，第二凸部122b具有相對(duì)于設(shè)置有激勵(lì)電極部126的第二凸部122b的下表面傾斜的第三側(cè)面s13以及與第三側(cè)面s13在規(guī)定方向上對(duì)置并且與設(shè)置有激勵(lì)電極部126的第二凸部122b的下表面對(duì)置的第四側(cè)面s14，第一側(cè)面s11在晶體片121的厚度方向上的俯視時(shí)，配置成與第三側(cè)面s13重疊，第二側(cè)面s12在晶體片121的厚度方向上的俯視時(shí)，配置成與第四側(cè)面s14重疊。

通過(guò)這樣，在從被激勵(lì)電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時(shí)，在從激勵(lì)電極部126的外緣朝向振動(dòng)部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)所成的角度與側(cè)面(第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面或者第四側(cè)面)垂直的情況相比減小，因此能夠減輕在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的量，能夠抑制由于在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

另外，在本實(shí)施方式的晶體元件120中，第一側(cè)面s11位于晶體片121的晶軸的x軸的正方向側(cè)，與垂直于x軸的面平行，第二側(cè)面s12位于晶體片121的晶軸的x軸的負(fù)方向側(cè)，與垂直于x軸的面平行，第三側(cè)面s13位于晶體片121的晶軸的x軸的正方向側(cè)，與垂直于x軸的面平行，第四側(cè)面s14位于晶體片121的晶軸的x軸的負(fù)方向側(cè)，與垂直于x軸的面平行。即，晶體片121在俯視時(shí)，第一側(cè)面s11相對(duì)于通過(guò)第一凸部122a的主面的中心cu并且與x軸垂直的假想線clu，位于x軸的正方向側(cè)，第二側(cè)面s12相對(duì)于通過(guò)第一凸部122a的主面的中心cu并且與x軸垂直的假想線clu，位于x軸的負(fù)方向側(cè)，第三側(cè)面s13相對(duì)于通過(guò)第二凸部122b的主面的中心cd并且與x軸垂直的假想線cld，位于x軸的正方向側(cè)，第四側(cè)面s14相對(duì)于通過(guò)第二凸部122b的主面的中心cd并且與x軸垂直的假想線cld，位于x軸的負(fù)方向側(cè)。

通過(guò)這樣，在側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)反射的振動(dòng)降低，從而能夠降低對(duì)被激勵(lì)電極部126夾住的部分的厚度滑動(dòng)振動(dòng)造成的影響，能夠抑制電特性變差的量。一般來(lái)說(shuō)，在對(duì)激勵(lì)電極部126施加電壓而使被激勵(lì)電極部126夾住的振動(dòng)部122的一部分進(jìn)行厚度滑動(dòng)振動(dòng)時(shí)，其振動(dòng)位移在與x軸平行的方向的中心部最大。因此，在與x軸平行的朝向上從側(cè)面被反射而傳播的振動(dòng)容易對(duì)被激勵(lì)電極部126夾住的部分的厚度滑動(dòng)振動(dòng)造成影響。即，在實(shí)施方式中，當(dāng)在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)進(jìn)行剖視的情況下，使第一側(cè)面s11與第三側(cè)面s13位于上下方向上，同時(shí)使第二側(cè)面s12與第四側(cè)面s14位于上下方向上，從而與在z′y′平面進(jìn)行剖視時(shí)位于上下方向的情況相比，能夠進(jìn)一步降低在側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)反射的振動(dòng)對(duì)由激勵(lì)電極部126夾住的部分的厚度滑動(dòng)振動(dòng)造成的影響，能夠抑制電特性變差的量。

另外，在本實(shí)施方式的晶體元件120中，設(shè)置有激勵(lì)電極部126的第一凸部122a的上表面與第一側(cè)面s11的角度大于90°并且小于180°、具體來(lái)說(shuō)是135°～155°。另外，設(shè)置有激勵(lì)電極部126的第一凸部122a的上表面與第二側(cè)面s12的角度大于90°并且小于180°、具體來(lái)說(shuō)是150°～170°。另外，設(shè)置有激勵(lì)電極部126的第二凸部122b的下表面與第三側(cè)面s13的角度大于90°并且小于180°、具體來(lái)說(shuō)是150°～170°。另外，設(shè)置有激勵(lì)電極部126的第二凸部122b的下表面與第四側(cè)面s14的角度大于90°并且小于180°、具體來(lái)說(shuō)是135°～155°。

通過(guò)這樣，在從被激勵(lì)電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時(shí)，在從激勵(lì)電極部126的外緣朝向振動(dòng)部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)所成的角度與側(cè)面(第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面或者第四側(cè)面)垂直的情況相比進(jìn)一步減小，因此能夠減輕在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的量，能夠抑制由于在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

另外，在本實(shí)施方式的晶體元件120中，在俯視晶體元件120時(shí)，從與x軸垂直的晶體片121的邊、且位于x軸的正方向側(cè)的晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第一側(cè)面s11的邊為止的距離d11(+)短于從規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(-)，并且，到位于x軸的正方向側(cè)的第三側(cè)面s13的邊為止的距離d13(+)短于從規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(-)。另外，從規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14的邊為止的距離d14(+)短于從規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第四側(cè)面s14的邊為止的距離d14(-)，并且，從規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14的邊為止的距離d14(+)短于到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第二側(cè)面s12的邊為止的距離d12(-)。即，晶體片121在將相比假想線clu、cld更位于x軸的正方向側(cè)的與x軸垂直的邊設(shè)為晶體片121的規(guī)定的另一邊時(shí)，規(guī)定的另一邊與靠近規(guī)定的另一邊的第三側(cè)面s13的邊之間的距離(d13(+))短于規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離規(guī)定的另一邊的第一側(cè)面s11的邊之間的距離(d11(-))，規(guī)定的另一邊與靠近規(guī)定的另一邊的第四側(cè)面s14的邊之間的距離(d14(+))短于規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離規(guī)定的另一邊的第二側(cè)面s12的邊之間的距離(d12(-))。

通過(guò)這樣，在從被激勵(lì)電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時(shí)，在從激勵(lì)電極部126的外緣朝向振動(dòng)部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側(cè)面(第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13或者第四側(cè)面s14)所成的角度與側(cè)面(第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面或者第四側(cè)面)垂直的情況相比減小，因此能夠減輕在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的量，能夠抑制由于在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

另外，在本實(shí)施方式的晶體元件120中，當(dāng)在xy′平面(與x軸和y′軸平行的平面)對(duì)晶體片121進(jìn)行剖視的情況下，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11為止的距離d11(-)等于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第三側(cè)面s13為止的距離d13(-)。另外，在晶體片121中，從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第二側(cè)面s12為止的距離d12(+)等于從晶體片121的規(guī)定的另一邊到位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14為止的距離d14(+)。即，在晶體片121中，規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離規(guī)定的另一邊的第一側(cè)面s11的邊之間的距離(d11(-))等于規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離規(guī)定的另一邊的第三側(cè)面s13的邊之間的距離(d13(-))，規(guī)定的另一邊與靠近規(guī)定的另一邊的第二側(cè)面s12的邊之間的距離(d12(+))等于規(guī)定的另一邊與靠近規(guī)定的另一邊的第四側(cè)面s14的邊之間的距離(d14(+))。

通過(guò)這樣，在對(duì)晶體元件120進(jìn)行俯視透視的情況下，能夠使位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第一側(cè)面s11與位于x軸的負(fù)方向側(cè)的第三側(cè)面s13重疊，同時(shí)使位于x軸的正方向側(cè)的第二側(cè)面s12與位于x軸的正方向側(cè)的第四側(cè)面s14重疊，能夠減輕在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的量。其結(jié)果是，能夠抑制由于在第一側(cè)面s11、第二側(cè)面s12、第三側(cè)面s13和第四側(cè)面s14反射的振動(dòng)而電特性變差的量。

本實(shí)施方式的晶體器件由這樣的晶體元件120、安裝有晶體元件120的元件搭載部件110以及與元件搭載部件110接合并且對(duì)晶體元件120進(jìn)行氣密密封的蓋體130構(gòu)成。通過(guò)這樣，能夠降低由于從被激勵(lì)電極部126夾住的晶體片121的一部分傳播的振動(dòng)在第一凸部122a和第二凸部122b的側(cè)面反射而發(fā)生的電特性的變化，其結(jié)果是，能夠減小等價(jià)串聯(lián)電阻值。

本發(fā)明不限定于以上的實(shí)施方式，也可以通過(guò)各種方式來(lái)實(shí)施。

具有晶體元件的晶體器件不限定于晶體振子。例如，也可以是除晶體元件之外還具有對(duì)晶體元件施加電壓而生成振蕩信號(hào)的集成電路元件(ic)的振蕩器。另外，例如，晶體器件也可以帶恒溫槽。在晶體器件中，也可以適當(dāng)構(gòu)成封裝晶體元件的元件搭載部件的構(gòu)造。例如，元件搭載部件也可以是在上表面和下表面具有凹部的截面h型。

晶體元件的形狀和尺寸不限定于在實(shí)施方式中例示的形狀和尺寸，也可以適當(dāng)設(shè)定。激勵(lì)電極部的形狀不限定于在俯視時(shí)大致為矩形，例如也可以是橢圓形狀。

第一凸部和第二凸部在俯視晶體元件時(shí)，其中心既可以與晶體片的中心一致，也可以偏心。

在俯視晶體元件的上表面時(shí)通過(guò)振動(dòng)部的上表面(第一凸部的主面)的中心的假想線與在從上表面俯視透視晶體元件的下表面時(shí)通過(guò)振動(dòng)部的下表面(第二凸部的主面)的中心的假想線既可以重疊，也可以不重疊。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

110…元件搭載部件

110a…基體

110b…框體

111…搭載襯墊

112…外部端子

120…晶體元件

121…晶體片

122…振動(dòng)部

122a…第一凸部

122b…第二凸部

123…傾斜部

123a…第一傾斜部

123b…第二傾斜部

124…周邊部

125…金屬圖案

126…激勵(lì)電極部

127…配線部

128…引出部

130…蓋體

140…導(dǎo)電性粘接劑

s11…第一側(cè)面

s12…第二側(cè)面

s13…第三側(cè)面

s14…第四側(cè)面

d11(+)、d21(+)…晶體片的規(guī)定的另一邊與靠近晶體片的規(guī)定的另一邊的第一側(cè)面的邊之間的距離(從晶體片的規(guī)定的另一邊到位于+x側(cè)的第一側(cè)面為止的距離)

d11(-)、d21(-)…晶體片的規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離晶體片的規(guī)定的另一邊的第一側(cè)面的邊之間的距離(從晶體片的規(guī)定的另一邊到位于-x側(cè)的第一側(cè)面為止的距離)

d12(+)、d22(+)…晶體片的規(guī)定的另一邊與靠近晶體片的規(guī)定的另一邊的第二側(cè)面的邊之間的距離(從晶體片的規(guī)定的另一邊到位于+x側(cè)的第二側(cè)面為止的距離)

d12(-)、d22(-)…晶體片的規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離晶體片的規(guī)定的另一邊的第二側(cè)面的邊之間的距離(從晶體片的規(guī)定的另一邊到位于-x側(cè)的第二側(cè)面為止的距離)

d13(+)、d23(+)…晶體片的規(guī)定的另一邊與靠近晶體片的規(guī)定的另一邊的第三側(cè)面的邊之間的距離(從晶體片的規(guī)定的另一邊到位于+x側(cè)的第三側(cè)面為止的距離)

d13(-)、d23(-)…晶體片的規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離晶體片的規(guī)定的另一邊的第三側(cè)面的邊之間的距離(從晶體片的規(guī)定的另一邊到位于-x側(cè)的第三側(cè)面為止的距離)

d14(+)、d24(+)…晶體片的規(guī)定的另一邊與靠近晶體片的規(guī)定的另一邊的第四側(cè)面的邊之間的距離(從晶體片的規(guī)定的另一邊到位于+x側(cè)的第四側(cè)面為止的距離)

d14(-)、d24(-)…晶體片的規(guī)定的另一邊與遠(yuǎn)離晶體片的規(guī)定的另一邊的第四側(cè)面的邊之間的距離(從晶體片的規(guī)定的另一邊到位于-x側(cè)的第四側(cè)面為止的距離)。