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一種上電復位電路的制作方法

文檔序號:41850598發(fā)布日期:2025-05-09 18:09閱讀:1來源:國知局
一種上電復位電路的制作方法

本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計,特別是涉及一種上電復位電路。


背景技術(shù):

1、por(power-on?reset,上電復位)電路在系統(tǒng)中一般處于最高優(yōu)先級,因此一般無可用參考電壓源與電流源,因此por電路閾值電壓一般偏差較大(常見的por電路的誤差范圍在+-20%左右),易受溫度、工藝角的影響。

2、一般情況下,由于基準電路的優(yōu)先級低于por電路,當por電路閾值電壓設(shè)定較低時(以1.6v為例),會使得電路無穩(wěn)定的基準電壓可用;其次,若基準電路的優(yōu)先級高于por電路,當電源電壓低于基準源的最低工作電壓時,基準源輸出零電壓,使得por電路錯誤指示,不能保護系統(tǒng)。

3、如圖1所示,目前傳統(tǒng)方案是通過產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電流源作為參考電壓使用,具體為:偏置電流經(jīng)p型場效應(yīng)管m1鏡像至p型場效應(yīng)管m3后,加在電阻r2′上產(chǎn)生正溫度系數(shù)電壓,n型場效應(yīng)管m5的柵源電壓vgs是負溫度系數(shù)電壓,用于減小基準電壓vref正溫度系數(shù)電壓的斜率,采用電源電壓vin減去n型場效應(yīng)管m5的柵源電壓vgs(即vin-vgs)作為再將基準電壓vref和采樣電壓vsam進行比較,當電源電壓vin上升時,采樣電壓vsam逐漸上升超過基準電壓vref,por電路翻轉(zhuǎn)。這種方法雖然近似的抵消了溫度系數(shù),但不能完全抵消;并且易受工藝角與工藝偏差的影響,溫度系數(shù)在不同工藝角也不太一樣,por電路翻轉(zhuǎn)閾值往往較為固定,por電路翻轉(zhuǎn)對電源上升、下降斜率要求較高。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的在于提供一種上電復位電路,旨在使得上電復位電路在復位電路的閾值電壓以內(nèi)正確指示。

2、為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種上電復位電路,包括啟動子電路、連接于啟動子電路的基準子電路、連接于基準子電路的比較子電路;

3、所述基準子電路包括帶隙基準核心模塊,連接于所述帶隙基準核心模塊的第六nmos管,連接于啟動子電路的第九pmos管;所述第九pmos管的柵極連接于啟動子電路、源極連接于所述第六nmos管的柵極、漏極接地;所述第六nmos管為native管,其柵極連接于啟動子電路、源極連接于所述帶隙基準核心模塊和比較子電路、漏極連接于電源電壓;

4、所述啟動子電路接收啟動信號用以啟動整個電路,啟動過程中,所述第九pmos管和第六nmos管的柵極被啟動子電路拉高至電源電壓,所述第六nmos管源極輸出基準電壓至所述比較子電路,所述比較子電路比較基準電壓和輸入電壓采樣電壓,當采樣電壓大于基準電壓時,輸出復位信號至后續(xù)電路。

5、優(yōu)選地,所述啟動子電路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第五pmos管,第一nmos管、第二nmos管和第一電阻;第一pmos管的柵極接收啟動信號,第一pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第五pmos管的源極連接于電源電壓,第一pmos管的漏極連接于第二pmos管的源極;第二pmos管的柵極接地、漏極連接于第一nmos管的漏極和柵極;第一nmos管的柵極還連接于第二nmos管的柵極,第一nmos管的源極接地;第二nmos管的源極通過第一電阻接地;第二nmos管的漏極連接于第四pmos管和第五pmos管的柵極以及第三pmos管的漏極;第三pmos管的柵極連接于基準子電路;第四pmos管漏極連接于基準子電路中第九pmos管的柵極;第五pmos管的漏極連接于基準子電路中第六nmos管的柵極。

6、優(yōu)選地,所述基準子電路還包括第七nmos管、第八nmos管、第八pmos管、第十pmos管和第二電阻,所述第七nmos管的漏極通過第二電阻連接于所述第六nmos管的源極,用以產(chǎn)生偏置電流;所述第七nmos管和第八nmos管的柵極相互連接、且兩者源極均接地;所述第八nmos管的漏極連接于第十pmos管的漏極和柵極;所述第八pmos管和第十pmos管的源極連接于電源電壓、柵極相互連接并連接于啟動子電路中第三pmos管的柵極;第八pmos管的漏極分別連接于第六nmos管的柵極和第九pmos管的源極,用以在電路啟動完成后,為第六nmos管和第九pmos管提供電流源。

7、優(yōu)選地,所述基準子電路還包括運放模塊,所述運放模塊分別連接于第七nmos管、第九pmos管和帶隙基準核心模塊。

8、優(yōu)選地,所述運放模塊包括第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六pmos管和第七pmos管;所述第六pmos管和第七pmos管的源極連接于電源電壓、柵極相互連接;第六pmos管的漏極連接于柵極、還連接于第三nmos管的漏極;第七pmos管的漏極連接于第九pmos管的柵極和第四nmos管的漏極;第三nmos管的源極和第四nmos管的源極同時連接于第五nmos管的漏極,第三nmos管的柵極和第四nmos管的柵極連接于帶隙基準核心模塊;所述第五nmos管的源極接地、柵極連接于所述第七nmos管的漏極和柵極。

9、優(yōu)選地,所述帶隙基準核心模塊包括第一三極管、第二三極管、第三電阻、第四電阻、第五電阻和第六電阻;第一三極管和第二三極管的基極和集電極均接地,第一三極管的發(fā)射極連接于第三電阻的一端,所述第三電阻的另一端連接于第四電阻的一端,第四電阻的另一端連接于第六nmos的源極;第二三極管的發(fā)射極連接于第五電阻的一端,第五電阻的另一端連接于第六電阻的一端,第六電阻的另一端連接于第四電阻的一端。

10、優(yōu)選地,所述比較子電路包括比較器、第七電阻和第八電阻;所述第七電阻的一端連接于電源電壓、另一端連接于第八電阻的一端和比較器第一輸入端,第八電阻的另一端接地,比較器第二輸入端連接于第六nmos管的源極,輸出端用以輸出復位信號。

11、本發(fā)明技術(shù)方案中的基準子電路能在環(huán)路啟動完成前始終近似跟隨電源電壓、啟動完成后輸出基準電壓,且啟動過程無異常翻轉(zhuǎn),不會出現(xiàn)錯誤指示導致影響系統(tǒng)工作。



技術(shù)特征:

1.一種上電復位電路,包括啟動子電路、連接于啟動子電路的基準子電路、連接于基準子電路的比較子電路,其特征在于:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電復位電路,其特征在于,所述啟動子電路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第五pmos管,第一nmos管、第二nmos管和第一電阻;第一pmos管的柵極接收啟動信號,第一pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第五pmos管的源極連接于電源電壓,第一pmos管的漏極連接于第二pmos管的源極;第二pmos管的柵極接地、漏極連接于第一nmos管的漏極和柵極;第一nmos管的柵極還連接于第二nmos管的柵極,第一nmos管的源極接地;第二nmos管的源極通過第一電阻接地;第二nmos管的漏極連接于第四pmos管和第五pmos管的柵極以及第三pmos管的漏極;第三pmos管的柵極連接于基準子電路;第四pmos管漏極連接于基準子電路中第九pmos管的柵極;第五pmos管的漏極連接于基準子電路中第六nmos管的柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的上電復位電路,其特征在于,所述基準子電路還包括第七nmos管、第八nmos管、第八pmos管、第十pmos管和第二電阻,所述第七nmos管的漏極通過第二電阻連接于所述第六nmos管的源極,用以產(chǎn)生偏置電流;所述第七nmos管和第八nmos管的柵極相互連接、且兩者源極均接地;所述第八nmos管的漏極連接于第十pmos管的漏極和柵極;所述第八pmos管和第十pmos管的源極連接于電源電壓、柵極相互連接并連接于啟動子電路中第三pmos管的柵極;第八pmos管的漏極分別連接于第六nmos管的柵極和第九pmos管的源極,用以在電路啟動完成后,為第六nmos管和第九pmos管提供電流源。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的上電復位電路,其特征在于,所述基準子電路還包括運放模塊,所述運放模塊分別連接于第七nmos管、第九pmos管和帶隙基準核心模塊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的上電復位電路,其特征在于,所述運放模塊包括第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六pmos管和第七pmos管;所述第六pmos管和第七pmos管的源極連接于電源電壓、柵極相互連接;第六pmos管的漏極連接于柵極、還連接于第三nmos管的漏極;第七pmos管的漏極連接于第九pmos管的柵極和第四nmos管的漏極;第三nmos管的源極和第四nmos管的源極同時連接于第五nmos管的漏極,第三nmos管的柵極和第四nmos管的柵極連接于帶隙基準核心模塊;所述第五nmos管的源極接地、柵極連接于所述第七nmos管的漏極和柵極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電復位電路,其特征在于,所述帶隙基準核心模塊包括第一三極管、第二三極管、第三電阻、第四電阻、第五電阻和第六電阻;第一三極管和第二三極管的基極和集電極均接地,第一三極管的發(fā)射極連接于第三電阻的一端,所述第三電阻的另一端連接于第四電阻的一端,第四電阻的另一端連接于第六nmos的源極;第二三極管的發(fā)射極連接于第五電阻的一端,第五電阻的另一端連接于第六電阻的一端,第六電阻的另一端連接于第四電阻的一端。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電復位電路,其特征在于,所述比較子電路包括比較器、第七電阻和第八電阻;所述第七電阻的一端連接于電源電壓、另一端連接于第八電阻的一端和比較器第一輸入端,第八電阻的另一端接地,比較器第二輸入端連接于第六nmos管的源極,輸出端用以輸出復位信號。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種上電復位電路,包括啟動子電路、連接于啟動子電路的基準子電路、連接于基準子電路的比較子電路;基準子電路包括帶隙基準核心模塊,連接于帶隙基準核心模塊的第六NMOS管,連接于啟動子電路的第九PMOS管;啟動子電路接收啟動信號用以啟動整個電路,啟動過程中,第九PMOS管和第六NMOS管的柵極被啟動子電路拉高至電源電壓,第六NMOS管源極輸出基準電壓至比較子電路,比較子電路比較基準電壓和采樣電壓,當采樣電壓大于基準電壓時,輸出復位信號至后續(xù)電路。本發(fā)明技術(shù)方案中的基準子電路能在環(huán)路啟動完成前始終近似跟隨電源電壓、啟動完成后輸出基準電壓,且啟動過程無異常翻轉(zhuǎn),不會出現(xiàn)錯誤指示導致影響系統(tǒng)工作。

技術(shù)研發(fā)人員:李浩森,向建軍
受保護的技術(shù)使用者:成都銳成芯微科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/8
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