用于激發(fā)并維持等離子體的基于波導的設備的制造方法
【專利摘要】一種設備(100，1000)包括：電磁波導(100)，其支持電磁波在電磁波導的第一端(102)與電磁波導的第二端(104)之間沿第一方向的傳播；以及電磁波導內(nèi)的電磁場成形結(jié)構(gòu)(300)。電磁場成形結(jié)構(gòu)限定從設備的第一壁(103?1)中的第一孔徑(107)延伸到相反的第二壁(103?2)中的第二孔徑(109)的通道(108)。通道具有沿與第一方向不平行的第二方向延伸的軸線。第一孔徑與第二孔徑之間沿第二方向的距離小于波導的內(nèi)部區(qū)域(111)在其第一端和第二端的寬度。在一些實施例中，等離子體炬(900)布置在通道內(nèi)。等離子體炬的長度緊密地匹配其相互作用區(qū)域。
【專利說明】用于激發(fā)并維持等離子體的基于波導的設備
【背景技術(shù)】
[0001] 基于等離子體源的發(fā)射光譜法和質(zhì)譜分析法是廣為接受的元素分析方法。希望的 是適合作為樣品的原子光譜分析的發(fā)射源的電性等離子體應滿足許多標準。等離子體應當 產(chǎn)生樣品的脫溶、揮發(fā)、霧化和激發(fā)。然而，將樣品引入到等離子體中不應當使等離子體變 得不穩(wěn)定或使其焰滅。
[0002] -種已知且被接受的用于發(fā)射光譜分析的等離子體源是射頻(RF)電感禪合等離 子體(ICP)源，通常在27MHz或40MHz工作。一般來講，通過使用RF ICP源，等離子體被約束在 圓柱形區(qū)域中，而中央核屯、一定程度上較冷。運種等離子體被稱為"環(huán)形"等離子體。為了使 用RF ICP源對樣品進行光譜分析，可W將載有氣溶膠的氣體流形式的樣品同軸地引導到環(huán) 形等離子體的中央核屯、中。
[0003] 盡管運種等離子體源是已知的并且工作良好，但是它們通常要求使用氣氣作為等 離子氣體。然而，氣氣有些昂貴并且在一些國家不容易獲得或者完全無法獲得。
[0004] 因此，許多年來越來越多地對微波功率(例如，2.45G化，此時可W使用廉價的磁控 管)支持的等離子體源感興趣。
[0005] 然而，至少直到最近，基于微波等離子體源的原子發(fā)射光譜(AES)系統(tǒng)(也稱為MP AES系統(tǒng)）比采用ICP源的系統(tǒng)通常表現(xiàn)出明顯更差的檢測極限，并且它們的樣品導入要求 已經(jīng)通?？量痰枚唷?br>[0006] 為了發(fā)射光譜系統(tǒng)的最佳分析性能，認為等離子體應當被約束在環(huán)形區(qū)域中，從 而模仿由RF ICP源產(chǎn)生的等離子體。
[0007] 已經(jīng)證實，使用微波激發(fā)產(chǎn)生運種環(huán)形等離子體比使用RF ICP源困難得多。在使 用RF ICP源的情況下，沿著等離子體炬的長軸卷繞的載流線圈用于給等離子體供電。線圈 產(chǎn)生相對于等離子體炬的長軸大體軸向定向的磁場，并且運轉(zhuǎn)而在等離子體中引起循環(huán)電 流，并且運些電流相對于等離子體炬的長軸對稱。因此，等離子體炬附近的電磁場分布具有 相對于等離子體炬的長軸固有的環(huán)形對稱性。所W，用RF ICP源產(chǎn)生環(huán)形等離子體相對容 易。
[000引然而，用于將功率輸送到微波等離子體的電磁波導沒有運種類型的環(huán)形對稱性， 所W產(chǎn)生環(huán)形微波等離子體困難很多。
[0009] 美國專利申請13/838,474和13/839,028公開了一些基于電磁波導的設備，運些設 備用于激發(fā)并維持等離子體并且可W使用微波等離子體(MP)炬和適當配置的波導腔來產(chǎn) 生環(huán)形或準環(huán)形等離子體。
[0010] 微波等離子體炬通常由烙融二氧化娃或氧化侶制成并且由Ξ個同軸氣體管組成， 包括注射器W及中間管和外管。在外管提供等離子氣體時，分析物通過注射管被輸送到等 離子體中。如美國專利申請13/838,474和13/839,028所述，例如，微波等離子體炬通過設置 在電磁波導的側(cè)壁中的兩個孔相對于矩形電磁波導的寬度而水平地定位，運些側(cè)壁限定電 磁波導的內(nèi)部區(qū)域或腔體。電磁波導腔提供所需的電磁場W在微波等離子體炬內(nèi)激活并維 持等離子體。
[0011] 不同于其長度不受任何結(jié)構(gòu)參數(shù)的限制的ICP炬，微波等離子體炬的主等離子體 室的長度必須等于或大于電磁波導的寬度，使得等離子體被約束在炬內(nèi)部。此外，微波功率 將大體分布在腔體的整個寬度上或波導內(nèi)部，所W即使比電磁波導的寬度短的微波等離子 體炬實際上是可行的，電磁波導中只有一部分微波功率將與等離子體禪合。另一方面，由于 電磁波導外側(cè)的電磁場強度不可忽略，所W從功率禪合的觀點看，延長炬W延伸超出波導 是沒有任何意義的。因此，拋開其他方面的考慮，運樣看來，當微波等離子體炬的主等離子 體室與電磁波導腔的寬度一樣長時，炬和腔最佳地彼此適應。
[0012] 因此，希望提供一種改進的微波等離子體源，運種微波等離子體源能夠提供接近 RF ICP的改善的性能，并且具有諸如尺寸小、簡單和較低的操作成本等特性。
【附圖說明】
[0013] 結(jié)合附圖圖示閱讀W下詳細描述，可W更好地理解各個實施例。在任何可適用和 實際的情況下，相似的附圖標記指代相似的構(gòu)件。
[0014] 圖1是根據(jù)第一示例性實施例的設備的一部分的透視圖。
[0015] 圖2是根據(jù)第一示例性實施例的設備的一部分的俯視圖。
[0016] 圖3是用于波導的電磁場成形結(jié)構(gòu)的第一示例性實施例的透視圖。
[0017] 圖4是用于波導的電磁場成形結(jié)構(gòu)的第一示例性實施例的剖視截面圖。
[0018] 圖5是包括虹膜結(jié)構(gòu)的設備的示例性實施例的內(nèi)部區(qū)域的一部分的端視圖。
[0019] 圖6是包括虹膜結(jié)構(gòu)的設備的示例性實施例的內(nèi)部區(qū)域的一部分的透視圖。
[0020] 圖7是包括虹膜結(jié)構(gòu)的設備的示例性實施例的內(nèi)部區(qū)域的一部分的特寫視圖。
[0021] 圖8是用于限定波導用虹膜的實施例的虹膜結(jié)構(gòu)的內(nèi)部區(qū)域的一部分的另一個特 寫視圖。
[0022] 圖9A是微波等離子體炬的示例性實施例的側(cè)視圖。
[0023] 圖9B是微波等離子體炬的示例性實施例的剖視截面圖。
[0024] 圖10是根據(jù)第二示例性實施例的實例的一部分的透視圖。
[0025] 圖11是描繪了根據(jù)第二示例性實施例的設備的虹膜的區(qū)域中期望模式的電場矢 量的實例的側(cè)視圖。
[0026] 圖12是由根據(jù)第二示例性實施例的設備產(chǎn)生的等離子體的實例的剖視圖。
[0027] 圖13A是示出了虹膜狹槽的形狀的一個實施例的端視圖。
[0028] 圖13B是示出了虹膜狹槽的形狀的另一個實施例的端視圖。
[0029] 圖13C是示出了虹膜狹槽的形狀的另一個實施例的端視圖。
[0030] 圖13D是示出了虹膜狹槽的形狀的另一個實施例的端視圖。
【具體實施方式】
[0031] 在W下詳細描述中，為了解釋并且不是限制的目的，闡述了公開具體細節(jié)的說明 性實施例，W透徹理解根據(jù)本教導的實施例。然而，對受益于本公開的人顯而易見的是，根 據(jù)本教導的脫離本文所公開的具體細節(jié)的其它實施例仍在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。而 且，省略了眾所周知的設備和方法的描述，W便不模糊示例性實施例的描述。運些方法和設 備處于本教導的范圍內(nèi)。
[0032] 一般來講，應當理解，除非上下文中清楚地另外指示，說明書和所附權(quán)利要求書中 使用的術(shù)語"一個"、"一種"W及"所述"包括單個指代物和多個指代物。因此，例如，"裝置' 包括一個裝置和多個裝置。如本文所用，詞語"大約"或基本上的意思是名義值的+/-10%內(nèi) (例如，大約180度會包含從164度至198度的角度;基本上反方向的意思是從164度至198度 的方向變化;等等）。
[0033] 本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)并證實，從流體力學的觀點看，運種構(gòu)造的微波等離子體炬通 常比期望的更長。似乎在非常靠近注射器的端部處(例如，在注射器下游的開始的2 -'3cm 處)發(fā)生大部分重要的物理現(xiàn)象，其中在該區(qū)域處分析物與等離子體相互作用，在本文中被 稱為"相互作用區(qū)域"。微波等離子體炬超出相互作用區(qū)域的額外長度必然意味著檢測器必 須進一步遠離相互作用區(qū)域，運允許等離子體在該熱相互作用區(qū)域與檢測器之間冷卻，并 且允許分析物的朝向微波等離子體炬的壁的更大的徑向端流擴散。所有運些效果都是不可 取的。此外，本發(fā)明人已經(jīng)認識到，除了消除運些效果之外，如果能夠?qū)⒏嗟墓β示奂?相互作用區(qū)域本身，而不是將功率分散在長炬的整個長度上，就會極大地增強微波等離子 體炬的性能。例如，已經(jīng)觀察到，作為微波等離子體炬工作足夠的時間段的結(jié)果，分析物涂 層出現(xiàn)在微波等離子體炬的外管壁上。在大部分情況下，涂層是不對稱的并且出現(xiàn)在微波 等離子體炬的出口端附近。外管壁上的分析物涂層是不可取的并且會縮短微波等離子體炬 的壽命。此外，由于分析物覆蓋了注射器的內(nèi)表面和外表面，因此經(jīng)常觀察到注射器阻塞。
[0034] 所有運些因素表明應當減小電磁波導的內(nèi)部區(qū)域或腔體的寬度W便容納更短的 微波等離子體炬，該微波等離子體炬的長度更緊密地匹配其相互作用區(qū)域。
[0035] 然而，電磁波導的內(nèi)部區(qū)域的寬度受到其基本模式的截止寬度的限制。例如，在 2.45G化，電磁波導的基本模式對于低于約6.1cm的寬度截止。此外，例如，在2.45G化工作的 微波隨著電磁波導偏離7.2cm的標準內(nèi)部寬度(例如，對于WR-284波導)發(fā)生很大的衰減。因 此，減小整個電磁波導的內(nèi)部寬度是不可行的。
[0036] 希望提供一種具有微波等離子體炬的基于電磁波導的設備，該微波等離子體炬可 W允許微波等離子體炬的區(qū)域中的電磁波導腔的寬度更緊密地匹配微波等離子體炬的相 互作用區(qū)域，而不使電磁波導內(nèi)的微波衰減超出可接受的極限。在一些情況下，運可W允許 使用其長度已經(jīng)減小到更緊密地匹配其相互作用區(qū)域的炬。
[0037] 本技術(shù)總體設及一種包括與微波等離子體(MP)炬一起使用W產(chǎn)生并維持在光譜 化學分析中有用的等離子體的電磁波導的設備。本發(fā)明人已經(jīng)設想并制造出用于電磁波導 的新型電磁場成形結(jié)構(gòu)和構(gòu)造，其可W允許微波等離子體炬的區(qū)域中的電磁波導的寬度更 緊密地匹配微波等離子體炬的相互作用區(qū)域，而不使電磁波導內(nèi)的微波衰減超出可接受的 極限。在一些實施例中，運可W允許使用其長度已經(jīng)減小到更緊密地匹配其相互作用區(qū)域 的微波等離子體炬。在本文中，電磁波導成形結(jié)構(gòu)也稱為虹膜(iris)結(jié)構(gòu)，并且其在電磁波 導內(nèi)部建立了不連續(xù)的區(qū)域，該區(qū)域呈現(xiàn)出阻擋或改變電磁波導中的電磁場的圖案形狀的 阻抗失配(擾動）。電磁波導內(nèi)的電場在運種電磁場成形結(jié)構(gòu)上會發(fā)生180度相移，從而產(chǎn)生 從該結(jié)構(gòu)的第一側(cè)到該結(jié)構(gòu)的第二側(cè)的電場的方向反轉(zhuǎn)，使得此結(jié)構(gòu)的第二側(cè)的電場的方 向與此結(jié)構(gòu)的第一側(cè)的電場的方向相反。通過采用運種構(gòu)造，在一些實施例中，可W產(chǎn)生環(huán) 形等離子體。將結(jié)合附圖中圖示的示例性實施例提供更詳細的解釋。
[0038] 圖1是根據(jù)第一示例性實施例的設備100的一部分的透視圖。圖2是根據(jù)第一示例 性實施例的設備100的一部分的俯視圖。設備100可W包括用于激發(fā)并維持等離子體的基于 電磁波導的設備。
[0039] 為了便于更好地理解W下描述，圖1和圖2W及其他附圖示出了一起生成Ξ維空間 的Ξ個垂直方向x、y和Z組。在W下描述中，x、y和Z方向分別表示"寬度"、"高度"和"長度"。 當然，應當理解的是，在本發(fā)明中術(shù)語"寬度V'高度"和"長度"相對于x、y和Z方向的分配是 任意的并且可W采用不同的方式分配運些術(shù)語。為了便于更好地理解本文公開的實施例， 在各個附圖中示出了x、y和Z方向的各種組合，但是在所有情況中，在全部附圖中一致地使 用運些方向。
[0040] 設備100包括電磁波導Γ波導"）101，該電磁波導具有第一端102W及第二端104， 該第二端104沿著Z方向與第一端102分開并且與其間隔開W限定波導101的長度。設備100 包括:多個壁103,該多個壁103包括第一壁103-1和與其相反的第二壁103-2并且限定腔體 或內(nèi)部區(qū)域111，該腔體或內(nèi)部區(qū)域111被配置成支持電磁波的W適于產(chǎn)生并維持等離子體 的頻率在第一端102與第二端104之間沿第一方向（即，Z方向）的期望傳播模式Γ模式"）；W 及虹膜結(jié)構(gòu)（圖1和圖2中未示出，參見W下圖3至圖8)，其限定了包括通道或虹膜孔108的虹 膜，通過該通道或虹膜孔108微波等離子體炬可W至少部分地布置在波導101內(nèi)。運里，虹膜 被限定為波導101內(nèi)不連續(xù)的區(qū)域，該區(qū)域呈現(xiàn)出阻擋或改變波導中的電磁場的圖案形狀 的阻抗失配(擾動）。在一些實施例中，可W通過減小波導內(nèi)部的高度和寬度來產(chǎn)生虹膜。W 下將參照圖3至圖8描述有關虹膜結(jié)構(gòu)的一個或多個實施例的另外的細節(jié)。
[0041 ]如上所述，波導101被配置成支持W微波頻率(例如，2.45GHz)在其內(nèi)部區(qū)域111內(nèi) 的期望傳播模式(例如，TEio)。盡管圖1圖示的波導101的實施例與傳播方向（Z方向）交叉的 方向上具有大致矩形截面，但是應當理解，可W設想具有其他類型的截面的其他波導形狀。 在設備100的一些實施例中，在工作中，波導101布置成在其第一端102處鄰近微波能量的源 (未示出），并且在第二端104處短路。
[0042] 圖3是電磁場成形結(jié)構(gòu)300的示例性實施例的透視圖，該電磁場成形結(jié)構(gòu)在下文中 被稱為"虹膜結(jié)構(gòu)300"，該虹膜結(jié)構(gòu)可W包括在設備100中。圖4是穿過虹膜結(jié)構(gòu)300的一部 分的剖視截面圖。虹膜結(jié)構(gòu)300是可用在設備100中W限定波導101中的虹膜的虹膜結(jié)構(gòu)的 一個實施例。
[0043] 在圖4圖示的實施例中，虹膜結(jié)構(gòu)300限定虹膜106,該虹膜106包括通道或虹膜孔 1〇8(下文中稱為"虹膜孔108")，虹膜孔108在波導101的第一壁103-1中的第一孔徑107與波 導101的與第一壁103-1相反的第二壁103-2中的第二孔徑109之間沿X方向延伸。虹膜結(jié)構(gòu) 300還限定:第一狹槽Γ第一虹膜狹槽"）310,第一狹槽310在虹膜孔108與波導101的第一端 102之間布置在虹膜孔108的第一側(cè)或者沿著第一側(cè)布置；W及第二狹槽Γ第二虹膜狹槽"） 312,第二狹槽312在虹膜孔108與波導101的第二端104之間布置在虹膜孔108的第二側(cè)或沿 著第二側(cè)布置。第一虹膜狹槽310和第二虹膜狹槽312分別限定沿著從波導101的第一端102 到波導101的第二端104的方向（即，Z方向）穿過虹膜結(jié)構(gòu)300的通路。第一虹膜狹槽310和第 二虹膜狹槽312沿Z方向彼此分開且間隔開。虹膜狹槽310和312分別沿X方向具有寬度WS，并 且還在截取圖3的剖視圖的區(qū)域中沿y方向具有高度HS。一般來講，第一虹膜狹槽310和第二 虹膜狹槽312可W具有彼此相同的大小和形狀，或者大小和/或形狀可W互不相同。
[0044] 在具有電磁場成形結(jié)構(gòu)300的波導101的操作的一個實施例中，電磁波可W在波導 101的第一端102與波導101的第二端104之間沿z方向傳播，從而穿過第一虹膜狹槽310、虹 膜孔108和第二虹膜狹槽312。
[0045] 在圖2和圖3圖示的實施例中，虹膜孔108具有圓柱形狀，其中圓柱形的主軸116在 與電磁波的傳播方向（即，Z方向）不平行的第二方向上延伸。在圖2和圖3圖示的實施例中， 虹膜孔108具有在第一孔徑107與第二孔徑之間沿X方向延伸的主軸116,并且在由y方向和Z 方向限定的平面上具有大致圓形的截面。在其他實施例中，虹膜孔108具有非圓柱形的形 狀。例如，在一些實施例中，虹膜孔108可W具有矩形棱柱、六邊形棱柱、八邊形棱柱、楠圓形 棱柱等的形狀。在一些實施例中，虹膜孔相對于軸線對稱并且沒有尖角。
[0046] 虹膜106的中屯、（例如，在主軸116上)布置成沿Z方向與波導101的第一端102相距 一定距離(在圖2中表示成第一長度L1)。此外，虹膜106的中屯、(例如，在主軸116上)沿Z方向 布置成與波導101的第二端104相距一定距離(在圖2中表示成第二長度L2)。運樣，虹膜106 位于波導101的第一區(qū)段或部分117與波導101的第二區(qū)段或部分118之間。值得注意的是， 波導101可W是包括第一部分117和第二部分118并且虹膜106位于運兩者之間的單一件?？?替代地，波導101可W包括兩個單獨件(例如，作為單獨件的第一部分117和第二部分118)且 虹膜106位于運兩者之間。
[0047] 在一些實施例中，限定虹膜106的虹膜結(jié)構(gòu)300可W包括金屬區(qū)段，該金屬區(qū)段沿 著波導101的長度(Z方向）具有厚度尺寸，并且具有沿X方向延伸穿過金屬區(qū)段的寬度的通 孔W限定虹膜孔108,其中該虹膜孔108被配置成在其中容納微波等離子體炬(參見W下討 論的圖9A至圖9B和圖10)。設備100中的波導101W及限定虹膜106的虹膜結(jié)構(gòu)300分別由合 適的導電材料制成，例如適合在設備100的選定的工作頻率使用的金屬(例如侶)或金屬合 金。在一些實施例中，虹膜結(jié)構(gòu)300可W與波導101集成為一體。在其他實施例中，虹膜結(jié)構(gòu) 300可W是插入到波導101中的、或者插入到波導101的兩個單獨的部分117和118之間的單 獨結(jié)構(gòu)。波導101和虹膜106的某些方面是與Hammer的共同所有的美國專利6,683,272中描 述的對應的特征所共有的。美國專利6,683,272的公開內(nèi)容通過引用的方式特別地并入本 文中。
[004引如圖1和圖2所示，在設備100中，第一孔徑107與第一孔徑109沿X方向的距離W2小 于波導101的內(nèi)部區(qū)域111在第一端102和第二端104的寬度W1。例如，在一些實施例中，W2可 W是大約7.2cm，而W1可W在2cm至3cm的范圍內(nèi)。在一些實施例中，除了布置或放置包括虹 膜孔108的虹膜106的位置或地方113之外，波導101的內(nèi)部區(qū)域111的寬度處處皆為W1>W2。 在一些實施例中，并且如W下參照圖9A至圖9B和圖10更詳細地討論的，虹膜孔108的長度可 W更緊密地匹配插入在虹膜孔108中的微波等離子體炬的相互作用區(qū)域。此外，如W下更詳 細地所討論的，減小設備100的內(nèi)部區(qū)域在位置113附近的寬度，使得可W在不使波導101內(nèi) 的微波衰減超出可接受的極限的情況下實現(xiàn)W2<W1。在一些實施例中，運可W允許使用其 長度已經(jīng)減小到更緊密地匹配其相互作用區(qū)域的微波等離子體炬。
[0049]通過使第一虹膜狹槽310和第二虹膜狹槽312中的一者或兩者在端部比在中部具 有更大的高度，可W使設備100中的電場經(jīng)歷從第一虹膜狹槽310到第二虹膜狹槽312的相 移或方向變化。具體地講，可W使電場經(jīng)歷大約180度的相移，運是從第一虹膜狹槽310到第 二虹膜狹槽312的方向反轉(zhuǎn)，使得第二虹膜狹槽312處的電場與第一虹膜狹槽310處的電場 的方向相反。
[0050] 為此，在虹膜結(jié)構(gòu)300中，第一虹膜狹槽310和第二虹膜狹槽312中的一者或兩者在 虹膜狹槽的端部的高度（即，y方向上的尺寸）大于在虹膜狹槽中部的高度。在一些實施例 中，第一虹膜狹槽310和第二虹膜狹槽312兩者分別在虹膜狹槽的端部的高度大于在虹膜狹 槽中部的高度。
[0051] 圖5是設備100的內(nèi)部區(qū)域111的一部分的端視圖，還圖示了虹膜結(jié)構(gòu)300的第二虹 膜狹槽312的示例形狀。運里，應當理解，第一虹膜狹槽310可W具有與圖4和圖5所示的第二 虹膜狹槽312相同的形狀。
[0052] 在圖3至圖6圖示的具體的實例中，第二虹膜狹槽312具有類似于所謂"雙脊"波導 的截面形狀，并且該形狀在本文中稱為"領結(jié)"（'""bowtie")。第二虹膜狹槽312可W看成是 分成Ξ部分:第一端部312a，具有第一寬度WS1和第二高度HS1;第二端部312b，具有第二寬 度WS2和第二高度HS2;和中間部分312c，布置在第一端部312a與第二端部31化之間，其中中 間部分312c具有第Ξ寬度WS3和第Ξ高度HS3。在一些實施例中，第一高度HS1和第二高度 服2均可W大于第Ξ高度HS3。在一些實施例中，第一高度H1和第二高度H2可W彼此相同。在 服1等于HS2的一些實施例中，第一高度冊1和第二高度HS2可W是第Ξ高度服3的至少兩倍。 在一些實施例中，第一高度HS1和第二高度HS2可W是第Ξ高度HS3的至少五倍。在WS1等于 WS2的一些實施例中，WS3與牌1的比在約2.5:1至3.5:1的范圍內(nèi)。
[0053] 如W下參照圖11更詳細地所述，第一虹膜狹槽310和/或第二虹膜狹槽312的形狀 可W使電場在虹膜106的相反兩側(cè)具有相反的方向，運在虹膜孔108內(nèi)產(chǎn)生軸向磁場（即，沿 X方向）。在一些實施例中，由布置在虹膜106的虹膜孔108中的微波等離子體炬產(chǎn)生的等離 子體內(nèi)部的電場分布呈圓周方向（circ皿ferential)，運類似于RF ICP源的情形。
[0054] 在一些實施例中，虹膜狹槽310和312的"領結(jié)"形狀在微波諧振頻率下（例如， 2.45GHz)建立帶通濾波器。因此，寬度窄版本的虹膜106可W被優(yōu)化成還在諧振頻率下提供 帶通。由于具有運種構(gòu)造，一方面，虹膜106在諧振頻率下具有帶通特性，所W波不容易消 失，并且另一方面，虹膜106可W被優(yōu)化W產(chǎn)生期望的對稱電磁場分布。
[005引一般來講，當虹膜106沿X方向的寬度減?。ɡ?，從W1減小到W2)時，領結(jié)形狀的虹 膜狹槽310和312提供的諧振頻率移動到較高的頻率(例如，達到4G化）。通過按比例放大尺 寸能夠使諧振返回到波導101所需的頻率(例如，2.45G化），運導致寬度增大，但是一般來 講，運可能不可取的。
[0056] 在一些實施例中，通過有效地增大虹膜狹槽310和312的電容可W補償由于在虹膜 106的區(qū)域中波導101的寬度減小引起的諧振頻率的變化。使電容增大的一種方法是增大虹 膜狹槽310和312的長度。
[0057] 因此，在一些實施例中，通過在虹膜狹槽310和312的一個或兩個內(nèi)提供高介電材 料來增大諧振頻率。
[0058] 圖6是包括虹膜結(jié)構(gòu)的設備的示例性實施例的內(nèi)部區(qū)域的一部分的透視圖。圖6圖 示了在虹膜狹槽310和312的各個中設置的高介電材料塊610的實施例。
[0059] 在圖示的實施例中，在兩個虹膜狹槽310和312中分別設置高介電材料塊610,但是 在其他實施例中，高介電材料塊610可W僅設置在虹膜狹槽310和312的一者中。在圖示的實 施例中，高介電材料塊610僅設置在虹膜狹槽310和312的中間部分中，但是在其他實施例 中，高介電材料塊610可W設置在虹膜狹槽310和312的中間部分和端部(例如，31姑和31化） 中。在一些實施例中，例如，根據(jù)波導101的尺寸大小和/或操作頻率，高介電材料塊610可w 全部省去。
[0060] 在一些實施例中，高介電材料塊610可W具有至少為2的介電常數(shù)，并且更優(yōu)選至 少為4的介電常數(shù)。在一些實施例中，塊610可W是對可見光透明的石英塊。運在一些設備中 是可取的。在一些實施例中，介電材料可W包括陶瓷或氧化侶。在其他實施例中，介電材料 可W包括W下材料的一種或多種:氮化娃、氮化侶、藍寶石和娃?？蒞根據(jù)材料的介電常數(shù) 選擇塊610的厚度。一般來講，當介電常數(shù)較大時可W采用較薄的材料，并且當介電常數(shù)較 小時可W采用較厚的材料。
[0061] 圖7是包括虹膜結(jié)構(gòu)的設備的示例性實施例的內(nèi)部區(qū)域的一部分的特寫視圖。圖7 圖示了設置在虹膜狹槽312中的高介電材料塊610。
[0062] 圖8是用于限定波導用虹膜的實施例的虹膜結(jié)構(gòu)的內(nèi)部區(qū)域的一部分的另一個特 寫視圖。圖8圖示了設置在虹膜狹槽310和312中的高介電材料塊610。
[0063] 如上所述，虹膜孔108可W被配置成在其中容納微波等離子體炬。微波等離子體炬 是具有用于輸送等離子氣體的導管或通道的裝置，等離子氣體在與電磁波接觸時產(chǎn)生等離 子體。微波等離子體炬還可W包括用于向形成等離子體的位置輸送氣溶膠或氣體形式的樣 品的導管或通道。
[0064] 圖9A是微波等離子體(MP)炬900的示例性實施例的側(cè)視圖，該微波等離子體炬可 W與設備100-起使用，并且圖9B是微波等離子體炬900的剖視截面圖。微波等離子體炬900 包括注射器902、內(nèi)管903和最外管904,它們彼此同屯、，并且分別可W由非導電材料(諸如石 英或陶瓷等制成）。微波等離子體炬900的同屯、管共享共同的中屯、縱軸910,當微波等離子體 炬900插入在設備100的虹膜孔108中時，該中屯、縱軸910可W定向為沿X方向，與虹膜孔108 的主軸116平行或?qū)R。當在工作中時，微波等離子體炬900具有如上定義的相互作用區(qū)域 920。
[0065] 在一些現(xiàn)有的微波等離子體炬中，微波等離子體炬在注射器902的端部905超過參 考平面R的長度L充分延伸超過相互作用區(qū)域920的端部。例如，在一些微波等離子體炬中， 長度L可W是約7.2cm，W便延伸過標準2.45GHz波導（例如，WR-284波導）的寬度，而相互作 用區(qū)域920的長度可W是僅2或3cm。如上所述，運會造成采用運種微波等離子體炬的原子發(fā) 射光譜儀(AES)的性能的幾個缺點。例如，通常發(fā)現(xiàn)當相互作用區(qū)域的長度大約是炬的直徑 的2至3倍時，微波等離子體炬的性能最佳。
[0066] 圖10是設備1000的示例性實施例的一部分的透視圖。設備1000包括設備100,設備 100包括如上所述的虹膜結(jié)構(gòu)和虹膜孔108,微波等離子體炬900布置在該虹膜結(jié)構(gòu)和虹膜 孔108中。
[0067] 在操作中，當微波等離子體炬900被插入到虹膜孔108中時，具有將要進行光譜分 析的夾帶樣品的載氣正常地流過注射器902,中間氣流設置在內(nèi)管903中，并且等離子體維 持和炬冷卻氣流設置在最外管904中。在一些實施例中，等離子體維持和炬冷卻氣體可W是 氮氣。例如，等離子體維持和炬冷卻氣體可W是氮氣，并且布局設置成用于產(chǎn)生運種氣體的 氣流，W利于形成具有大體空屯、的穩(wěn)定的等離子體，并且防止微波等離子體炬900變得過 熱。例如，在一些實施例中，等離子體維持氣體可W徑向地離軸注射，使得氣流盤旋。也就是 說，環(huán)形入口中的氣流流線形成環(huán)繞與X軸平行的微波等離子體炬900的對稱軸的螺旋線。 此氣流維持等離子體，在內(nèi)部氣流中攜帶的分析樣品通過來自等離子體的福射和傳導來加 熱。在一些實施例中，為了最初點燃等離子體，等離子體維持和炬冷卻氣流可W臨時且短暫 地從例如氮氣變成氣氣。
[0068] 在與Hammer共同所有的美國專利7,030,979中詳細描述了微波等離子體炬的示例 性實施例的更詳細的描述。美國專利7,030,979的公開內(nèi)容通過引用的方式特別地并入本 文中。
[0069] 如上所述，在設備1000中，第一孔徑107和第一孔徑109之間沿X方向的距離W2小于 波導101的內(nèi)部區(qū)域111在第一端102和第二端104的寬度W1。在一些實施例中，距離W2匹配 或大致匹配微波等離子體炬的相互作用區(qū)域920的長度。此外，可W實現(xiàn)將設備100在微波 等離子體炬900附近的寬度從W1附帶地減小到W2,而不使波導101內(nèi)的微波衰減超出可接受 的極限。在一些實施例中，可W實現(xiàn)將波導101在微波等離子體炬900附近的寬度從W1減小 到W2,而很少或不使微波衰減。在一些實施例中，微波等離子體炬900的插入到虹膜孔108中 的部分的長度Lt可W與第一孔徑107與第一孔徑109之間的距離W2相同或大致相同。
[0070] 在一些實施例中，運可W允許減小微波等離子體炬900的長度。例如，在一些實施 例中，圖9A中圖示的長度L可W減小到Lt。在一些實施例中，在操作中，微波等離子體炬900 的端部可W與設備100的波導101的第一壁103-1中的第一孔徑107大致對齊。
[0071 ]如上所述，當未被擾動時在波導101中支持所選模式。然而，虹膜106表現(xiàn)出改變波 導101中的模式的波長和形狀的擾動。憑借波導101和虹膜106的結(jié)構(gòu)，可W期望的形狀產(chǎn)生 并維持等離子體。
[0072] 在一些實施例中，波導101可W被配置成支持具有在電磁頻譜的微波部分中的頻 率的TEio傳播模式。例如，在一些實施例中，所選模式可W具有大約2.45G化的特征頻率。然 而，值得注意的是，本文描述的實施例不限于在2.45G化工作，并且一般來講，不限于在微波 頻譜工作。具體地講，因為所選擇的操作頻譜范圍決定所選操作模式(一個或多個)的波長， 并且操作波長主要受到微波等離子體炬900和波導101的幾何尺寸的限制，因此操作頻率也 受微波等離子體炬900和波導101的幾何尺寸的限制。說明性地，本教導可W容易地實施為 包括高于和低于2.45GHz的操作頻率。此外，期望模式不限于所說明的TEio模式，并且波導 101(或圖1描繪的第一部分117和/或第二部分118)未必為矩形形狀。通過本公開可W設想 到其他模式、或者其他波導形狀，或者其他模式和其他波導形狀兩者。
[0073] 圖11是描述虹膜106的區(qū)域中的期望模式的電場線1110的實例的側(cè)視圖，圖示了 電場線1110圍繞虹膜孔108內(nèi)部方向發(fā)生改變。運里，可W看出，第一虹膜狹槽310和第二虹 膜狹槽312沿Z方向（即，波導101的傳播方向）布置在虹膜孔108的相反兩側(cè)。具體地講，在虹 膜孔108的第一側(cè)的第一虹膜狹槽310處的電場線1110定向成與在虹膜孔108的第二側(cè)的第 二虹膜狹槽312處的電場線1112方向相反，其中虹膜孔108的第二側(cè)與虹膜孔108的第一側(cè) 相反。也就是說，虹膜結(jié)構(gòu)300被配置成在電磁波傳播穿過虹膜結(jié)構(gòu)300使電場的方向大體 上反轉(zhuǎn)（即，在虹膜結(jié)構(gòu)300的第一側(cè)上的第一虹膜狹槽310處的電場的方向相對于在虹膜 結(jié)構(gòu)300的第二側(cè)上的第二虹膜狹槽312處的電場的方向呈相反方向或呈180度）。
[0074] 圖12是設備1000的示例性實施例可W產(chǎn)生的等離子體1200的實例的剖視圖。等離 子體1200通常被約束在圓柱形空間中并且可W被稱為環(huán)形等離子體。
[0075] 盡管圖12圖示了具有大體環(huán)形形狀的等離子體的實例，但是在其他實施例中，可 W產(chǎn)生具有不同形狀的等離子體。在一些實施例中，等離子體可W相對于中屯、縱軸910對稱 或大體對稱，具有在一定程度上更冷的中屯、核屯、，例如，等離子體可W是管狀或大體管狀， 或者具有空屯、矩形棱柱形狀。另外，還可W設想其他等離子體形狀。
[0076] 在圖3和圖4圖示的具體的示例性實施例中，第一虹膜狹槽310和第二虹膜狹槽312 具有"領結(jié)"的形狀，例如，具有矩形的第一端部312a和第二端部31化，W及布置在兩者之間 的矩形中屯、部312c。然而，應當理解，在此實施例的其他變型中，第一虹膜狹槽310和/或第 二虹膜狹槽312可W具有不同的形狀。圖13A至圖13D圖示了第一虹膜狹槽310和/或第二虹 膜狹槽312可W具有的不同形狀的幾種實例。例如，圖13A圖示了虹膜狹槽的中屯、部與端部 之間的過渡部分為彎曲形狀的實施例。圖13B圖示了虹膜狹槽的上緣和下緣為彎曲形狀的 實施例。圖13C圖示了虹膜狹槽的高度從虹膜狹槽的中間分別向虹膜狹槽的相對兩端線性 地增大的實施例。圖13D圖示了虹膜狹槽的第一和第二端部不是矩形而是具有等腰梯形形 狀的實施例，其中梯形的短邊布置成與虹膜狹槽的中屯、部相鄰，梯形的長邊布置在虹膜狹 槽的端部。
[0077] W上描述的示例性實施例的許多變型是可行的。例如，盡管圖1和圖10中圖示的實 施例中未呈現(xiàn)，但是在實施例中，凸緣狀延伸部可W設置在第一孔徑107的下方，從第一壁 103-1的底部沿X方向延伸，用于安裝目的。在一些實施例中，另一個類似的凸緣狀延伸部可 W設置在第一孔徑109的下方，從波導101的相反側(cè)的第二壁103-2沿X方向延伸。此外，可W 結(jié)合示例性實施例的特征W產(chǎn)生其他實施例。
[0078] 如上所述用于激發(fā)并維持等離子體的基于波導的設備的實施例可W用于各種系 統(tǒng)中并且用于各種應用，包括但不限于，用于執(zhí)行原子發(fā)射光譜分析的原子發(fā)射光譜儀 (AES)或用于執(zhí)行質(zhì)譜分析的質(zhì)譜儀。在一些實施例中，攝譜儀(例如，中階梯光柵光譜儀 化chelle spec化ogra地））可W用于將等離子體發(fā)射的原子化福射分離成光譜發(fā)射波長， 其中光譜發(fā)射波長在照相機上成像W產(chǎn)生光譜數(shù)據(jù)，W及處理器或計算機可W用于處理和 顯示并且/或者存儲照相機捕捉的光譜數(shù)據(jù)。在各種實施例中，設備可W用氣態(tài)和/或水性 樣品操作。在一些實施例中，如上所述用于激發(fā)并維持等離子體的基于波導的設備可W用 于氣相色譜分析系統(tǒng)中。
[0079] 示例性實施例
[0080] 除本公開中其他地方描述的實施例之外，本發(fā)明的示例性實施例還包括但不限于 W下實施例：
[0081] 1. -種裝置，包括：
[0082] 電磁波導，被配置成在支持電磁波在所述電磁波導的第一端與所述電磁波導的第 二端之間沿第一方向的傳播;W及
[0083] 所述電磁波導內(nèi)的電磁場成形結(jié)構(gòu)，所述電磁場成形結(jié)構(gòu)在其中限定從所述設備 的第一壁中的第一孔徑延伸到所述設備的相反的第二壁中的第二孔徑的通道，所述通道具 有沿著與所述第一方向不平行的第二方向延伸的軸線，
[0084] 其中所述第一孔徑與所述第二孔徑之間沿所述第二方向的距離小于波導的內(nèi)部 區(qū)域在其第一端和第二端的寬度。
[0085] 2.根據(jù)實施例1所述的設備，還包括設置在所述通道內(nèi)的等離子體炬。
[0086] 3.根據(jù)實施例2所述的設備，其中所述等離子體炬從所述第一孔徑延伸穿過所述 通道到達所述第二孔徑。
[0087] 4.根據(jù)實施例2-3的任一個所述的設備，其中所述等離子體炬的第一端與所述第 一孔徑基本上對齊。
[0088] 5.根據(jù)實施例2-4的任一個所述的設備，其中所述設備被配置成在所述通道中產(chǎn) 生等離子體，并且其中所述等離子體相對于所述等離子體炬的縱軸基本上大體對稱。
[0089] 6.根據(jù)實施例5所述的設備，其中所述等離子體具有大體環(huán)形形狀。
[0090] 7.根據(jù)實施例5所述的設備，其中所述等離子體具有大體管狀形狀。
[0091] 8.根據(jù)實施例1-7的任一個所述的設備，其中所述電磁場成形結(jié)構(gòu)被配置成在所 述電磁波傳播穿過所述電磁場成形結(jié)構(gòu)時使電場的方向大體上反轉(zhuǎn)。
[0092] 9.根據(jù)實施例1-8的任一個所述的設備，其中所述電磁場成形結(jié)構(gòu)限定：第一狹 槽，在所述通道與所述波導的第一端之間布置在所述通道的第一側(cè)；W及第二狹槽，在所述 通道與所述波導的第二端之間布置在所述通道的第二側(cè)，每個狹槽限定沿著從所述波導的 第一端到所述波導的第二端的方向穿過所述電磁場成形結(jié)構(gòu)的通路。
[0093] 10.根據(jù)實施例9所述的設備，其中至少一個所述狹槽在其端部的高度大于在其中 間的高度。
[0094] 11.根據(jù)實施例9-10的任一個所述的設備，其中每個所述狹槽在其端部的高度大 于在其中間的局度。
[00M] 12.根據(jù)實施例9-11的任一個所述的設備，其中至少一個所述狹槽包括：
[0096] 具有第一高度的第一端部；
[0097] 具有第二高度的第二端部；W及
[0098] 布置在所述第一端部與所述第二端部之間的中間部分，其中所述中間部分具有第 Ξ高度，
[0099] 其中所述第Ξ高度小于所述第一高度并且小于所述第二高度。
[0100] 13.根據(jù)實施例9-12的任一個所述的設備，其中每個所述狹槽包括：
[0101] 具有第一高度的第一端部；
[0102] 具有第二高度的第二端部；W及
[0103] 布置在所述第一端部與所述第二端部之間的中間部分，其中所述中間部分具有第 Ξ高度，
[0104] 其中所述第Ξ高度小于所述第一高度并且小于所述第二高度。
[0105] 14.根據(jù)實施例12-13的任一個所述的設備，其中所述第一端部具有第一寬度，所 述第二端部具有第二寬度，并且所述中間部分具有第Ξ寬度，其中所述第一寬度與所述第 二寬度相同。
[0106] 15.根據(jù)實施例12-14的任一個所述的設備，還包括布置在至少一個所述狹槽的至 少中間部分中的介電材料。
[0107] 16.根據(jù)實施例12-14的任一個所述的設備，還包括布置在每個所述狹槽的至少中 間部分中的介電材料。
[0108] 17.根據(jù)實施例8-14的任一個所述的設備，還包括布置在至少一個所述狹槽的至 少一部分中的介電材料。
[0109] 18.根據(jù)實施例8-14的任一個所述的設備，還包括布置在每個所述狹槽中的介電 材料。
[0110] 19.根據(jù)實施例15-18的任一個所述的設備，其中所述介電材料的介電常數(shù)至少為 2。
[0111] 20.根據(jù)實施例15-19的任一個所述的設備，其中所述介電材料包括石英。
[0112] 21.根據(jù)實施例15-20的任一個所述的設備，其中所述等離子體炬的長度與所述通 道的長度大致相同。
[0113] 22.-種原子發(fā)射光譜儀，包括根據(jù)實施例1-21的任一個所述的設備。
[0114] 23.-種質(zhì)譜儀，包括根據(jù)實施例1-21的任一個所述的設備。
[0115] 24. -種氣相色譜分析系統(tǒng)，包括根據(jù)實施例1-21的任一個所述的設備。
[0116] 25. -種方法，包括W下步驟：
[0117] 將等離子體炬布置在由虹膜結(jié)構(gòu)限定的虹膜孔內(nèi)，所述虹膜結(jié)構(gòu)在電磁波導中提 供虹膜;并且
[0118] 產(chǎn)生電磁場，其中所述波導中的電場的方向從所述虹膜的第一側(cè)到所述虹膜的第 二側(cè)發(fā)生改變，其中所述虹膜的第一側(cè)和第二側(cè)是所述虹膜的相對于所述電磁場的傳播方 向彼此相對的兩側(cè)，
[0119] 其中所述波導的內(nèi)部區(qū)域在布置所述虹膜孔的位置處的寬度小于波導的內(nèi)部區(qū) 域在其第一端和第二端的寬度。
[0120] 26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述虹膜的第二側(cè)處的電場的方向與所述 虹膜的第一側(cè)處的電場的方向相反。
[0121] 27.根據(jù)實施例25-26的任一個所述的方法，還包括建立沿著所述等離子體炬的縱 軸延伸的軸向磁場的步驟。
[0122] 28.根據(jù)實施例25-27的任一個所述的方法，還包括W下步驟：
[0123] 向所述等離子體炬提供等離子體形成氣體；
[0124] 供應電磁功率W建立所述電磁場；W及
[0125] 產(chǎn)生等離子體。
[0126] 29.根據(jù)實施例28所述的方法，其中所述等離子體具有大體環(huán)形形狀。
[0127] 30.根據(jù)實施例28所述的方法，其中所述等離子體具有大體管狀形狀。
[0128] 31.根據(jù)實施例25-30的任一個所述的方法，還包括向所述等離子體引入樣品的步 驟。
[0129] 32.根據(jù)實施例35所述的方法，其中所述樣品是水性的。
[0130] 33.根據(jù)實施例35所述的方法，其中所述樣品是氣態(tài)的。
[0131] 34.根據(jù)實施例31-33的任一個所述的方法，還包括對所述樣品執(zhí)行質(zhì)譜分析的步 驟。
[0132] 35.根據(jù)實施例31-33的任一個所述的方法，還包括對所述樣品執(zhí)行原子發(fā)射光譜 分析的步驟。
[0133] 36.根據(jù)實施例33所述的方法，還包括對所述樣品執(zhí)行氣相色譜分析的步驟。
[0134] 已經(jīng)描述了本發(fā)明的多個實施例。然而，本領域的普通技術(shù)人員應當理解，在不脫 離本發(fā)明的精神和范圍的情況下能夠進行許多變化和修改，并且運些變化和修改仍然在所 附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。本發(fā)明因此絕不受除權(quán)利要求書的范圍之外的限制。
【主權(quán)項】
1. 一種裝置（100，1000)，包括： 電磁波導（100 )，其被配置成支持電磁波在所述電磁波導的第一端（102)與所述電磁波 導的第二端(104)之間沿第一方向的傳播;以及 所述電磁波導內(nèi)的電磁場成形結(jié)構(gòu)（300)，所述電磁場成形結(jié)構(gòu)在其中限定通道 (108)，所述通道從所述設備的第一壁（103-1)中的第一孔徑（107)延伸到所述設備的相反 的第二壁（103-2)中的第二孔徑（109)，所述通道具有沿與所述第一方向不平行的第二方向 延伸的軸線， 其中所述第一孔徑與所述第二孔徑之間沿第二方向的距離小于所述波導的內(nèi)部區(qū)域 (111)在其所述第一端和所述第二端處的寬度。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備（1000)，還包括等離子體炬(900)，所述等離子體炬設置 在所述通道內(nèi)。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設備（1000)，其中所述等離子體炬從所述第一孔徑延伸穿過 所述通道到達所述第二孔徑。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設備（1000)，其中所述等離子體炬的第一端與所述第一孔徑 基本上對齊。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設備（1000)，其中所述設備被配置成在所述通道中產(chǎn)生等離 子體(1200)，并且其中所述等離子體相對于所述等離子體炬的縱軸基本上對稱。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的設備（1000)，其中所述等離子體炬具有大致環(huán)形形狀和大致 管狀形狀中的一者。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備（100,1000)，其中所述電磁場成形結(jié)構(gòu)被配置成隨著所 述電磁波傳播穿過所述電磁場成形結(jié)構(gòu)而使電場(1100)的方向大體上反轉(zhuǎn)。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備（100,1000)，其中所述電磁場成形結(jié)構(gòu)限定：第一狹槽 (310)，其在所述通道與所述波導的第一端之間布置在所述通道的第一側(cè)；以及第二狹槽 (312)，其在所述通道與所述波導的第二端之間布置在所述通道的第二側(cè)，每個狹槽限定沿 著所述第一方向穿過所述電磁場成形結(jié)構(gòu)的通路。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設備（100,1000)，其中至少一個所述狹槽在其端部的高度大 于在其中間的高度。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的設備（100，1000)，其中每個所述狹槽在其端部的高度大于在 其中間的高度。11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設備（100，1000 )，其中至少一個所述狹槽包括： 具有第一高度的第一端部(312a); 具有第二高度的第二端部(312b);以及 布置在所述第一端部與所述第二端部之間的中間部分(312c)，其中所述中間部分具有 第三高度， 其中所述第三高度小于所述第一高度并且小于所述第二高度。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設備（100,1000)，其中所述第一端部具有第一寬度，所述第 二端部具有第二寬度，并且所述中間部分具有第三寬度，其中所述第一寬度與所述第二寬 度相同。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的設備（100,1000)，還包括介電材料(610)，所述介電材料至 少布置在至少一個所述狹槽的中間部分中。14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設備（100,1000)，還包括介電材料(610)，所述介電材料布置 在至少一個所述狹槽的至少一部分中。15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的設備（100,1000)，其中所述介電材料的介電常數(shù)至少為2。
【文檔編號】H05H1/30GK106063384SQ201580012078
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年3月23日 公開號201580012078.8, CN 106063384 A, CN 106063384A, CN 201580012078, CN-A-106063384, CN106063384 A, CN106063384A, CN201580012078, CN201580012078.8, PCT/2015/22092, PCT/US/15/022092, PCT/US/15/22092, PCT/US/2015/022092, PCT/US/2015/22092, PCT/US15/022092, PCT/US15/22092, PCT/US15022092, PCT/US1522092, PCT/US2015/022092, PCT/US2015/22092, PCT/US2015022092, PCT/US201522092
【發(fā)明人】賽義德·扎伊迪, 皮特·T·威廉姆斯, 梅爾魯斯·瓦希德保爾
【申請人】安捷倫科技有限公司