技術(shù)編號(hào)：41872753
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件相關(guān)，具體地說，涉及一種mim電容器及制備方法。背景技術(shù)、傳統(tǒng)的金屬-絕緣體-金屬電容器(metal-insulator-metal?capacitor，mim電容器)是由下極板金屬、中間介質(zhì)層以及上極板金屬組成，形成兩層金屬之間夾介質(zhì)層的三明治結(jié)構(gòu)，電容器的介質(zhì)層主要是由氧化硅或氮化硅構(gòu)成，電容公式為c＝ε*εr*s/d，其中ε為真空介電常數(shù)(.*-(f/m))，εr為介質(zhì)層介電常數(shù)，s為電容器上下極板有效面積，d為介質(zhì)層厚度。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。