本發(fā)明涉及噴嘴板的制造方法。

背景技術(shù)：

1、以往，如專利文獻1所示，已知通過單晶硅基板來制造液滴排出裝置的液滴排出頭的噴嘴板。在該噴嘴板利用各向異性濕式蝕刻形成噴嘴流路。

2、專利文獻1：日本專利第5519263號公報

3、然而，在對表面的結(jié)晶方位為{100}面的單晶硅基板執(zhí)行各向異性濕式蝕刻的情況下，腐蝕作用在一定方向上進行。因此，只能形成與液滴排出面對置的面的開口部為正方形的噴嘴流路。若將這樣的噴嘴板與墨流路的截面形狀例如為長方形的其他的板接合，則墨流路與噴嘴流路的接合部的形狀不一致。因此，墨射出時的阻力變強，而需要使驅(qū)動電壓上升。另外，彎液面變得不穩(wěn)定而產(chǎn)生射出缺陷等，射出特性惡化。進一步地，由于在噴嘴流路的形狀上存在限制，因此若想要確保噴嘴流路的體積，則難以使在單晶硅基板上并排設(shè)置為一列的噴嘴開口部高密度化。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于，為了解決該課題，提供能夠兼顧噴嘴開口部的高密度化和良好的射出特性的噴嘴板的制造方法。

2、權(quán)利要求1所記載的發(fā)明是液滴排出頭的噴嘴板的制造方法，包含：

3、第1工序，形成與表面的結(jié)晶方位為{100}面的單晶硅基板的第一面連通且與[010]方向相比在[100]方向上較長的第一孔、和能夠與上述第一孔和上述單晶硅基板的第二面連通的第二孔；以及

4、第2工序，通過利用針對上述單晶硅基板的各向異性濕式蝕刻將上述第一孔和上述第二孔擴大從而形成噴嘴流路，上述噴嘴流路具備具有{111}面的噴嘴錐形部、和與該噴嘴錐形部相連續(xù)的平直連通部。

5、權(quán)利要求2所記載的發(fā)明是在權(quán)利要求1記載的噴嘴板的制造方法中，

6、在上述第1工序中，上述第二孔的[001]方向的長度形成為與從上述第二孔的上述第一面?zhèn)鹊亩瞬恐辽鲜龅谝豢椎腫100]方向的端部的長度大致相等。

7、權(quán)利要求3所記載的發(fā)明是在權(quán)利要求1記載的噴嘴板的制造方法中，

8、在上述第1工序中，上述第二孔的[001]方向的長度形成為比從上述第二孔的上述第一面?zhèn)鹊亩瞬恐辽鲜龅谝豢椎腫100]方向的端部的長度長，

9、在上述噴嘴錐形部形成階梯差面。

10、權(quán)利要求4所記載的發(fā)明是在權(quán)利要求1至3中任一項所記載的噴嘴板的制造方法中，

11、上述第一孔與上述第二孔的中心一致。

12、權(quán)利要求5所記載的發(fā)明是在權(quán)利要求1至3中任一項所記載的噴嘴板的制造方法中，

13、在上述第1工序中，將上述第一孔的底部形成為階梯狀。

14、權(quán)利要求6所記載的發(fā)明是在權(quán)利要求1至3中任一項所記載的噴嘴板的制造方法中，

15、上述第1工序包含以下工序：

16、通過利用干式蝕刻對上述單晶硅基板從上述第一面進行深挖加工至中途為止，從而形成第三孔，

17、其次，沿著上述第三孔的內(nèi)表面形成噴嘴掩模層，

18、其次，去除形成于上述第三孔的底部的上述噴嘴掩模層，

19、通過對上述第三孔進一步進行深挖加工來形成上述第一孔，

20、通過上述第2工序形成具備從上述噴嘴錐形部的上述第二面?zhèn)鹊亩瞬科疬B續(xù)的噴嘴平直部的噴嘴流路。

21、權(quán)利要求7所記載的發(fā)明是在權(quán)利要求1至3中任一項所記載的噴嘴板的制造方法中，

22、上述單晶硅基板從上述第二面起形成有非濕式蝕刻層。

23、權(quán)利要求8所記載的發(fā)明是在權(quán)利要求1至3中任一項所記載的噴嘴板的制造方法中，

24、包含第3工序，上述第3工序?qū)⑸鲜鰢娮炝髀返纳鲜龅谝幻鎮(zhèn)纫约?或者上述第二面?zhèn)鹊拈_口部的直徑擴大。

25、根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠兼顧噴嘴開口部的高密度化和良好的射出特性的噴嘴板的制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種噴嘴板的制造方法，是液滴排出頭的噴嘴板的制造方法，其中，包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴嘴板的制造方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴嘴板的制造方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的噴嘴板的制造方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的噴嘴板的制造方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的噴嘴板的制造方法，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的噴嘴板的制造方法，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的噴嘴板的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本申請的噴嘴板(110)的制造方法包含：第1工序，形成與表面的結(jié)晶方位為{100}面的單晶硅基板(B)的第一面(Bb)連通且與[010]方向相比在[100]方向上較長的第一孔(305)、和能夠與第一孔(305)和單晶硅基板(B)的第二面(Ba)連通的第二孔(306)；以及第2工序，通過利用針對單晶硅基板(B)的各向異性濕式蝕刻將第一孔(305)和第二孔(306)擴大，從而形成噴嘴流路(100)，該噴嘴流路具備具有{111}面的噴嘴錐形部(20)、和與噴嘴錐形部(20)相連續(xù)的平直連通部(10)。

技術(shù)研發(fā)人員：橫山光,鮫島幸一
受保護的技術(shù)使用者：柯尼卡美能達株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8