顯示裝置的制作方法
本申請(qǐng)要求于2016年3月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0027699號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)通過(guò)引用全部包含于此。
本發(fā)明的方面涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著視覺(jué)上表現(xiàn)各種電信號(hào)信息的顯示領(lǐng)域快速發(fā)展，引入了具有諸如纖薄外形、重量輕、功耗低的優(yōu)異特性的各種平板顯示裝置，此外，正在研究和開(kāi)發(fā)柔性顯示裝置。
具有纖薄外形和柔性特性的顯示裝置可以包括薄膜包封層以阻擋來(lái)自外部的水分和/或氧氣等的滲透。通常的薄膜包封層具有無(wú)機(jī)層和有機(jī)層交替堆疊的構(gòu)造。然而，因?yàn)橛袡C(jī)層和無(wú)機(jī)層在不同的腔室中通過(guò)不同的工藝制造，所以制造薄膜包封層的工藝是復(fù)雜的，并且在腔室之間轉(zhuǎn)移期間會(huì)將雜質(zhì)引入薄膜包封層中，導(dǎo)致薄膜包封層受損。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的一些實(shí)施例的方面針對(duì)一種顯示裝置，所述顯示裝置包括具有諸如纖薄外形、重量輕、功耗低的期望的(例如，優(yōu)異的)特性的薄膜包封層，并且所述薄膜包封層是通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝制造的。
另外的方面部分地將在以下的描述中闡述，并且部分地通過(guò)該描述將是清楚的或者可以通過(guò)實(shí)施所提出的實(shí)施例而了解。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：顯示基底，包括至少一個(gè)臺(tái)階部；薄膜包封層，位于顯示基底上方，所述薄膜包封層包括構(gòu)造為減少由于至少一個(gè)臺(tái)階部引起的高度差異的緩沖層和位于緩沖層上方的阻擋層，緩沖層包括多個(gè)子層和位于多個(gè)子層之間的界面，界面包括從臺(tái)階部的外部朝向與臺(tái)階部疊置的部分從凹面形狀變?yōu)橥姑嫘螤畹膹澢砻妗?/p>
在實(shí)施例中，多個(gè)子層中的每個(gè)具有從大約
在實(shí)施例中，在臺(tái)階部的外部中的界面中的兩個(gè)相鄰的界面之間的間距朝向顯示基底增大。
在實(shí)施例中，界面中的兩個(gè)相鄰的界面之間的間距從臺(tái)階部的外部朝向與臺(tái)階部疊置的部分減小。
在實(shí)施例中，緩沖層在與臺(tái)階部分隔開(kāi)的位置處具有第一厚度，在與臺(tái)階部疊置的位置處具有第二厚度，其中，第二厚度大于等于第一厚度的大約0.5倍，并且小于第一厚度的大約1倍。
在實(shí)施例中，多個(gè)子層包括具有碳和氫的氧化硅，基于硅、氧和碳的原子總數(shù)，多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約20至大約50原子％的硅、大約10至大約40原子％的氧和大約30至大約60原子％的碳。
在實(shí)施例中，多個(gè)子層中的每個(gè)包括第一區(qū)域和位于第一區(qū)域上方的第二區(qū)域，第二區(qū)域的上表面形成多個(gè)界面中的一個(gè)界面，第二區(qū)域具有比第一區(qū)域的硅含量比例大的硅含量比例，第二區(qū)域具有比第一區(qū)域的碳含量比例小的碳含量比例。
在實(shí)施例中，基于硅、氧和碳的原子總數(shù)，多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約30至大約40原子％的硅、大約18至大約28原子％的氧和大約40至大約50原子％的碳。
在實(shí)施例中，基于硅、氧和碳的原子總數(shù)，多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約33至大約36原子％的硅、大約20至大約23原子％的氧和大約42至大約45原子％的碳。
在實(shí)施例中，顯示基底包括基礎(chǔ)基底和位于基礎(chǔ)基底上方的顯示部分，顯示部分包括多個(gè)顯示元件和限定多個(gè)顯示元件的發(fā)光區(qū)域的像素限定層，至少一個(gè)臺(tái)階部包括像素限定層。
在實(shí)施例中，顯示裝置還包括位于顯示部分上方的保護(hù)層，保護(hù)層包括與緩沖層的材料相同的材料。
在實(shí)施例中，多個(gè)顯示元件中的每個(gè)包括第一電極、第二電極和位于第一電極與第二電極之間的中間層，中間層包括有機(jī)發(fā)射層，顯示基底還包括位于第一電極與保護(hù)層之間的覆蓋層，覆蓋層具有比保護(hù)層的折射率大的折射率。
在實(shí)施例中，保護(hù)層具有從大約1.38至大約1.5的折射率。
在實(shí)施例中，保護(hù)層還包括結(jié)合氫的碳化硅。
在實(shí)施例中，薄膜包封層被構(gòu)造為密封顯示部分，阻擋層包括第一阻擋層和第二阻擋層，緩沖層置于第一阻擋層和第二阻擋層之間，第一阻擋層和第二阻擋層包括無(wú)機(jī)層。
在實(shí)施例中，第一阻擋層和第二阻擋層在緩沖層的外部處彼此接觸。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，提供一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：在基礎(chǔ)基底上方形成顯示部分；形成密封顯示部分的薄膜包封層，薄膜包封層的形成包括：將原料氣體和反應(yīng)氣體注入到其中設(shè)置有基礎(chǔ)基底的腔室中，通過(guò)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在基礎(chǔ)基底上方沉積前驅(qū)體層，以及通過(guò)利用等離子體固化前驅(qū)體層來(lái)形成子層；形成多個(gè)子層并形成其中堆疊有多個(gè)子層的緩沖層；在腔室內(nèi)部在緩沖層上方形成阻擋層，其中，多個(gè)子層包括具有碳和氫的氧化硅，其中，基于硅、氧和碳的原子總數(shù)，多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約20至大約50原子％的硅、大約10至大約40原子％的氧和大約30至大約60原子％的碳。
在實(shí)施例中，原料氣體包括六甲基二硅氧烷，反應(yīng)氣體包括氧氣、一氧化二氮和/或氫氣。
在實(shí)施例中，緩沖層包括多個(gè)子層之間的界面，多個(gè)子層中的每個(gè)包括第一區(qū)域和位于第一區(qū)域上方的第二區(qū)域，第二區(qū)域的上表面形成多個(gè)界面中的一個(gè)界面，第二區(qū)域具有比第一區(qū)域的硅含量比例大的硅含量比例，并且第二區(qū)域具有比第一區(qū)域的碳含量比例小的碳含量比例。
在實(shí)施例中，基于硅、氧和碳的原子總數(shù)，多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約30至大約40原子％的硅、大約18至大約28原子％的氧和大約40至大約50原子％的碳。
在實(shí)施例中，基于硅、氧和碳的原子總數(shù)，多個(gè)子層中的每個(gè)包括大約33至大約36原子％的硅、大約20至大約23原子％的氧和大約42至大約45原子％的碳。
在實(shí)施例中，顯示部分在它的表面上方包括至少一個(gè)臺(tái)階部，緩沖層在與臺(tái)階部隔開(kāi)的位置處具有第一厚度，在與臺(tái)階部疊置的位置處具有第二厚度，第二厚度大于等于第一厚度的大約0.5倍，并且小于第一厚度的大約1倍。
在實(shí)施例中，界面形成為從臺(tái)階部的外部朝向與臺(tái)階部疊置的部分從凹面形狀變?yōu)橥姑嫘螤畹膹澢砻妗?/p>
在實(shí)施例中，臺(tái)階部的外部中的界面中的兩個(gè)相鄰的界面之間的間距朝向顯示部分增大。
在實(shí)施例中，界面中的兩個(gè)相鄰的界面之間的間距從臺(tái)階部的外部朝向與臺(tái)階部疊置的部分減小。
在實(shí)施例中，多個(gè)子層中的每個(gè)具有從大約
在實(shí)施例中，所述方法還包括：在形成薄膜包封層之前，在顯示部分上方形成保護(hù)層，其中，保護(hù)層包括與子層的材料相同的材料，并通過(guò)利用與子層相同的方法來(lái)形成，其中，在形成保護(hù)層時(shí)引入到腔室中的氧氣的流量比在形成子層時(shí)引入到腔室中的氧氣的流量大。
在實(shí)施例中，保護(hù)層還包括結(jié)合氫的碳化硅。
在實(shí)施例中，保護(hù)層具有從大約1.38至大約1.5的折射率。
在實(shí)施例中，顯示部分包括多個(gè)顯示元件，每個(gè)顯示元件包括第一電極、第二電極和位于第一電極與第二電極之間的中間層，中間層包括有機(jī)發(fā)射層，其中，顯示裝置包括位于第二電極與保護(hù)層之間的覆蓋層，覆蓋層具有比保護(hù)層的折射率大的折射率。
因此，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，薄膜包封層包括緩沖層，使得可以防止或基本上防止阻擋層被由雜質(zhì)等引起的臺(tái)階差異損壞，因此可以改善薄膜包封層的特性。另外，因?yàn)榫彌_層和阻擋層通過(guò)相同的工藝制造，所以可以改善(例如，增大)顯示裝置的制造效率。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的，發(fā)明構(gòu)思的范圍不受該效果的限制。
附圖說(shuō)明
通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，這些和/或其它方面將變得明顯和更加容易領(lǐng)會(huì)，在附圖中：
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置的平面圖；
圖2是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置的一部分的示例的剖視圖；
圖3是示出圖2的顯示裝置的部分a的放大視圖；
圖4是示出與圖3的子層的位置相對(duì)的子層的組成的曲線圖。
圖5是示出制造圖1的顯示裝置的工藝的流程圖；
圖6是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置的部分的另一示例的剖視圖；
圖7是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置的部分的另一示例的剖視圖；
圖8是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置的部分的另一示例的剖視圖；
圖9是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置的部分的另一示例的剖視圖；以及
圖10是示出沿圖1的線ii-ii'截取的顯示裝置的一部分的示例的剖視圖。
具體實(shí)施方式
由于發(fā)明構(gòu)思允許各種合適的改變和許多實(shí)施例，因此將在附圖中示出示例性實(shí)施例并在書(shū)面描述中詳細(xì)描述示例性實(shí)施例。然而，這不意圖將發(fā)明構(gòu)思限制為具體的實(shí)踐模式，并且應(yīng)當(dāng)理解的是，不脫離發(fā)明構(gòu)思的精神和技術(shù)范圍的所有改變、等同物和替代物被包含在發(fā)明構(gòu)思中。在發(fā)明構(gòu)思的描述中，當(dāng)認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)的某些詳細(xì)解釋可能不必要地使發(fā)明構(gòu)思的實(shí)質(zhì)模糊時(shí)，省略現(xiàn)有技術(shù)的某些詳細(xì)解釋。
在下文中，將參照其中示出發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述發(fā)明構(gòu)思。在參照附圖進(jìn)行描述時(shí)，附圖中同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的或?qū)?yīng)的元件，并且可以省略它們的重復(fù)的描述。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置10的平面圖；圖2是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置10的一部分的示例的剖視圖；圖3是示出圖2的顯示裝置10的部分a的放大視圖；圖4是示出與圖3的子層的位置相對(duì)的子層的組成的曲線圖。
參照?qǐng)D1至圖4，根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置10可以包括顯示基底100和位于顯示基底100上方的薄膜包封層200。薄膜包封層200可以包括緩沖層210和阻擋層220。
顯示基底100可以通過(guò)包括多個(gè)顯示元件來(lái)產(chǎn)生圖像。顯示基底100可以包括諸如有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、發(fā)光二極管(led)和液晶顯示器(lcd)的各種合適種類的顯示元件。另外，顯示基底100可以在一側(cè)上包括用于從電源或信號(hào)發(fā)生器向多個(gè)顯示元件傳遞電信號(hào)的焊盤部150。
顯示基底100可以包括至少一個(gè)臺(tái)階部s。臺(tái)階部s可以由顯示基底100的結(jié)構(gòu)造成，或者可以由于顯示基底100的表面上的顆粒和/或類似物而形成。
臺(tái)階部s在顯示基底100的表面中引起高度差異，當(dāng)外力施加到顯示基底100時(shí)，應(yīng)力集中在臺(tái)階部s上，因此會(huì)發(fā)生對(duì)薄膜包封層200(例如，臺(tái)階部s上方的阻擋層220)的諸如裂縫的損壞。另外，在臺(tái)階部s與顯示基底100之間的接觸角小(例如，形成銳角，諸如臺(tái)階部s具有倒錐形的形狀或者臺(tái)階部s通過(guò)顆粒形成)的情況下，薄膜包封層200不完全地填充臺(tái)階部s與顯示基底100之間的空間，因此會(huì)在顯示基底100與薄膜包封層200之間產(chǎn)生氣隙和/或類似物。為了防止或基本上防止氣隙的形成，形成在顯示基底100上方的薄膜包封層200可以包括緩沖層210。
緩沖層210可以通過(guò)減小臺(tái)階部s的臺(tái)階差異來(lái)防止或基本上防止由于臺(tái)階差異引起的應(yīng)力集中或當(dāng)施加外力時(shí)阻擋層220的損壞。緩沖層210完全地圍繞臺(tái)階部s，從而防止或基本上防止在顯示基底100與薄膜包封層200之間產(chǎn)生氣隙，即使在臺(tái)階部s與顯示基底100之間的接觸角處形成銳角。另外，緩沖層210可以減小形成在阻擋層220上的應(yīng)力。
緩沖層210可以包括多個(gè)堆疊的子層222。多個(gè)子層222是可以彼此區(qū)分開(kāi)的(例如，可以彼此辨別的)層。界面226可以位于多個(gè)子層222之間。
多個(gè)子層222可以包括具有碳和氫的氧化硅。例如，多個(gè)子層222可以包括具有經(jīng)驗(yàn)式sioxcyhz的材料。在這種情況下，當(dāng)x的組成比例增大時(shí)，多個(gè)子層222可以具有接近無(wú)機(jī)層的性質(zhì)。當(dāng)y的組成比例增大時(shí)，多個(gè)子層222可以具有接近有機(jī)層的性質(zhì)。
如果x的組成比例過(guò)大，那么因?yàn)槎鄠€(gè)子層222共形地形成，所以會(huì)很難減小臺(tái)階部s的臺(tái)階差異(例如，臺(tái)階高度)，并且在臺(tái)階部s與顯示基底100之間的接觸角小的情況下，會(huì)在顯示基底100與薄膜包封層200之間產(chǎn)生氣隙。然而，如果y的組成比例過(guò)大，那么因?yàn)橛糜谛纬勺訉?22的前驅(qū)體層具有高的流動(dòng)性，所以在臺(tái)階部s上方形成具有恒定厚度的子層222會(huì)是困難的。此外，當(dāng)緩沖層210的厚度等于或小于臺(tái)階部s的厚度時(shí)，如果y的組成比例特別大，那么緩沖層210不會(huì)充分地覆蓋臺(tái)階部s的上部，因此，阻擋層220會(huì)被臺(tái)階部s損壞。
因此，即使緩沖層210具有優(yōu)異的臺(tái)階覆蓋，并且臺(tái)階部s與顯示基底100之間的接觸角是小的，為了防止或基本上防止在顯示基底100與薄膜包封層200之間產(chǎn)生氣隙，基于硅、氧和碳的原子總數(shù)，多個(gè)子層222中的每個(gè)可以包括大約20至大約50原子％的硅、大約10至大約40原子％的氧和大約30至大約60原子％的碳。在實(shí)施例中，多個(gè)子層222中的每個(gè)可以包括大約30至大約40原子％的硅、大約18至大約28原子％的氧和大約40至大約50原子％的碳。在另一實(shí)施例中，多個(gè)子層222中的每個(gè)可以包括大約33至大約36原子％的硅、大約20至大約23原子％的氧和大約42至大約45原子％的碳。在這種情況下，氧與硅的比例(o/si)可以是大于等于大約0.4并且小于等于大約1。
多個(gè)子層222中的每個(gè)可以具有范圍從大約
多個(gè)子層222完全地圍繞臺(tái)階部s。在這種情況下，界面226可以包括從臺(tái)階部s的外部朝向與臺(tái)階部s疊置的位置的從凹面形狀變化為凸面形狀的彎曲的表面。這里，凹面形狀表示朝向顯示基底100彎折的形狀，凸面形狀表示遠(yuǎn)離顯示基底100(例如，朝向顯示基底100的相對(duì)側(cè))彎折的形狀。界面226的具有凹面形狀和凸面形狀的曲率半徑可以隨著距顯示基底100越遠(yuǎn)而逐漸地增大。
例如，在臺(tái)階部s的外部中，界面226中的兩個(gè)相鄰的界面226之間的間距(例如，間隙或距離)g1和g21可以朝向顯示基底100增大(g21>g1)。界面226中的兩個(gè)相鄰的界面226之間的間距g21和g22可以從臺(tái)階部s的外部朝向與臺(tái)階部s疊置的位置減小(g21>g22)。這里，位于臺(tái)階部s的外部處的界面226之間的間距g1和g21可以表示界面226的凹面形狀之間的最大間距。
即，在一個(gè)子層222中，位于臺(tái)階部s的外部處的厚度g21和位于與臺(tái)階部s疊置的位置處的厚度g22之間的差異朝向顯示基底100增大，并隨著臺(tái)階部s的高度增大而增大。所述差異可以隨著子層222堆疊而逐漸地減小。因此，初始堆疊的子層222可以完全地覆蓋臺(tái)階部s的表面，并填充臺(tái)階部s與顯示基底100之間的間隙。隨著子層222堆疊，臺(tái)階部s的臺(tái)階差異(例如，臺(tái)階高度)減小，并可以使緩沖層210的上表面平坦化或基本上平坦化。另外，緩沖層210在與臺(tái)階部s分隔開(kāi)的位置處具有第一厚度t1，在與臺(tái)階部s疊置的位置處具有第二厚度t2。在這種情況下，第二厚度t2可以大于等于厚度t1的大約0.5倍，并且小于等于厚度t1的1倍。
多個(gè)子層222中的每個(gè)可以包括第一區(qū)域223和依次位于第一區(qū)域223上方并包括形成界面226的上表面的第二區(qū)域224。在固化用于形成子層222的前驅(qū)體層的同時(shí)形成第二區(qū)域224，并且第二區(qū)域224可以具有范圍從大約
第二區(qū)域224可以具有與第一區(qū)域223的組成不同的組成。圖4示出了在圖3的第一位置p1、第二位置p2和第三位置p3處通過(guò)使用x射線光電子能譜(xps)測(cè)定包括在子層222中的碳1、氧2和硅3的含量而得到的結(jié)果。參照?qǐng)D4，示出了在第一位置p1處的硅3的含量大于在第二位置p2和第三位置p3處的硅3的含量，在第一位置p1處的碳1的含量小于在第二位置p2和第三位置p3處的碳1的含量。即，因?yàn)榈诙^(qū)域224的硅3的含量比例大于第一區(qū)域223的硅3的含量比例，第二區(qū)域224的碳1的含量比例小于第一區(qū)域223的碳1的含量比例，所以相比于第一區(qū)域223，第二區(qū)域224可以具有接近無(wú)機(jī)層的性質(zhì)。因此，因?yàn)榫彌_層210具有在其中有著不同性質(zhì)的第一區(qū)域223和第二區(qū)域224具有小的厚度并是多層的結(jié)構(gòu)，所以提高了阻擋水分和氧氣的特性，并可以獲得優(yōu)異的柔性。
薄膜包封層200包括位于緩沖層210上方的阻擋層220。阻擋層220阻擋外部水分和氧氣的滲透，阻擋層220可以比緩沖層210大，可以覆蓋緩沖層210的上表面和側(cè)表面，并在緩沖層210的外部處接觸顯示基底100。
阻擋層220可以包括氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化銫和/或氮氧化硅(sion)等。
圖5是示出制造圖1的顯示裝置10的方法的流程圖；圖6是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置10的部分的另一示例的剖視圖。
參照?qǐng)D1至圖3和圖5，制造顯示裝置10的方法可以包括形成顯示基底100(s10)并在顯示基底100上方形成薄膜包封層200(s20至s40)。
如下面參照?qǐng)D7所描述的，顯示基底100包括基礎(chǔ)基底101(參見(jiàn)，例如，圖7)和形成在基礎(chǔ)基底101上方的顯示部分110(參見(jiàn)，例如，圖7)。下面參照?qǐng)D7描述顯示基底100。
可以通過(guò)形成緩沖層210，然后通過(guò)在緩沖層210上方形成阻擋層220(s40)來(lái)形成薄膜包封層200，所述緩沖層210通過(guò)重復(fù)在顯示基底100上方沉積前驅(qū)體層(s20)并通過(guò)固化沉積的前驅(qū)體層形成一個(gè)子層222(s30)的操作來(lái)形成。
可以通過(guò)將原料氣體和反應(yīng)氣體注入其中設(shè)置有顯示基底100的腔室中，并執(zhí)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)來(lái)形成前驅(qū)體層。原料氣體可以是六甲基二硅氧烷，反應(yīng)氣體可以是氧氣或氫氣；然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。在實(shí)施例中，原料氣體可以是六甲基二硅氮烷、四乙氧基硅烷、四甲基環(huán)四硅氧烷、八甲基環(huán)四硅氧烷、四甲基硅烷和/或四甲基二硅氧烷等。
作為示例，當(dāng)六甲基二硅氧烷用作原料氣體，并且氧氣用作反應(yīng)氣體時(shí)，六甲基二硅氧烷在單體的基礎(chǔ)上分解，然后可以如下所述沉積具有sioxcyhz的組成的前驅(qū)體層。
化學(xué)式1
hmdso((ch3)3si-o-si(ch3)3)→(ch3)3si-o-si(ch3)2+ch3→sioxcyhz+chx’
化學(xué)式2
hmdso((ch3)3si-o-si(ch3)3)→(ch3)3si-o-+-si(ch3)3→sioxcyhz+sicx"hy
即，當(dāng)六甲基二硅氧烷分解時(shí)，形成碳酸酯基和甲基。在這種情況下，隨著作為反應(yīng)氣體的氧氣的流量的增大，氧化反應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，沉積的前驅(qū)體層內(nèi)的碳的含量可以減小。當(dāng)前驅(qū)體層內(nèi)的碳的含量減小時(shí)，形成的子層222可以具有接近無(wú)機(jī)層的性質(zhì)。因此，子層222的性質(zhì)可以在沉積前驅(qū)體層時(shí)通過(guò)調(diào)整氧氣的流量或使用一氧化二氮代替氧氣來(lái)調(diào)整。
例如，為了執(zhí)行沉積以允許前驅(qū)體層填充顯示基底100與薄膜包封層200之間的間隙并且具有足夠的(例如，優(yōu)異的)臺(tái)階覆蓋，引入到腔室中的氧氣的流量可以是大約100至大約20000sccm；然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。在沉積前驅(qū)體層時(shí)，可以根據(jù)子層222的性質(zhì)來(lái)調(diào)節(jié)腔室內(nèi)的原料氣體和反應(yīng)氣體的溫度、壓力和流量。例如，氧氣的流量可以隨著子層222的堆疊的數(shù)量(例如，隨著堆疊的次數(shù))增大而增大。因此，初始沉積的前驅(qū)體層具有改善的流動(dòng)性，因此可以有效地填充臺(tái)階部s與顯示基底100之間的間隙。
在沉積前驅(qū)體層之后，通過(guò)固化前驅(qū)體層形成子層222。例如，前驅(qū)體層的固化可以通過(guò)使用氫氣等離子體來(lái)執(zhí)行。在實(shí)施例中，前驅(qū)體層的固化可以通過(guò)使用氧氣或任意氣體的等離子體來(lái)執(zhí)行。
子層222可以具有范圍從大約
在一個(gè)子層222中，臺(tái)階部s的外部處的厚度g21和與臺(tái)階部s疊置的位置處的厚度g22之間的差異可以朝向顯示基底100增大，并隨著子層222堆疊而逐漸地減小。因此，初始堆疊的子層222完全地覆蓋臺(tái)階部s的表面，并填充臺(tái)階部s與顯示基底100之間的間隙。隨著多個(gè)子層222被堆疊，臺(tái)階部s的臺(tái)階差異(例如，臺(tái)階高度)減小，因此可以使緩沖層210的表面平坦化或基本上平坦化。在這種情況下，形成的緩沖層210在與臺(tái)階部s分隔開(kāi)的位置處具有第一厚度t1，并在與臺(tái)階部s疊置的位置處具有第二厚度t2。這里，第二厚度t2可以大于等于厚度t1的大約0.5倍且小于等于厚度t1的一倍。
為此，基于硅、氧和碳的原子總數(shù)，子層222可以包括大約20至大約50原子％的硅、大約10至大約40原子％的氧和大約30至大約60原子％的碳。在實(shí)施例中，子層222可以包括大約30至大約40原子％的硅、大約18至大約28原子％的氧和大約40至大約50原子％的碳。在實(shí)施例中，子層222可以包括大約33至大約36原子％的硅、大約20至大約23原子％的氧和大約42至大約45原子％的碳。具有上面的組成的子層222可以具有范圍從大約2至大約3gpa的模量。
圖6示出了緩沖層210圍繞具有圓形橫截面的顆粒p。當(dāng)緩沖層210具有上面的組成時(shí)，如圖6中所示，緩沖層210完全地圍繞顆粒p。因此，即使在顆粒p與顯示基底100之間的接觸角形成銳角的情況下，也不在顆粒p下方產(chǎn)生氣隙，并且減小了由顆粒p引起的臺(tái)階差異，使得可以減小施加到形成在緩沖層210上方的阻擋層220的應(yīng)力。
多個(gè)子層222可以包括第一區(qū)域223和在固化工藝期間直接暴露于等離子體的第二區(qū)域224。第二區(qū)域224是其中通過(guò)等離子體減少了碳的含量比例的區(qū)域，并且與第一區(qū)域223相比，第二區(qū)域224可以具有接近無(wú)機(jī)層的性質(zhì)。因此，因?yàn)榫彌_層210具有其中有著不同性質(zhì)的第一區(qū)域223和第二區(qū)域224具有小的厚度并且是多層的結(jié)構(gòu)，所以提高了阻擋水分和氧氣的特性，并可以保持優(yōu)異的柔性。
可以通過(guò)在腔室內(nèi)部使用與形成緩沖層210相同的方法來(lái)形成阻擋層220。因此，當(dāng)形成薄膜包封層200時(shí)，可以減小單件產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)間。
圖7是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置10的部分的另一示例的剖視圖。
參照?qǐng)D7，顯示裝置10可以包括顯示基底100和位于顯示基底100上方的薄膜包封層200。薄膜包封層200可以包括緩沖層210和阻擋層220。薄膜包封層200可以通過(guò)密封顯示部分110防止或基本上防止外部氧氣和水分滲透到顯示部分110中。因?yàn)榫彌_層210和阻擋層220與參照?qǐng)D1至圖6描述的緩沖層210和阻擋層220相同或基本上相同，所以可以不重復(fù)它們的描述。
顯示基底100可以包括基礎(chǔ)基底101和位于基礎(chǔ)基底101上方的顯示部分110。顯示部分110可以包括顯示元件110b和電連接到顯示元件110b的薄膜晶體管(tft)110a。盡管下面描述顯示元件110b包括有機(jī)發(fā)射層的示例，但是本發(fā)明的實(shí)施例不限于此，顯示元件110b可以包括各種合適種類的諸如發(fā)光二極管(led)和/或液晶顯示器等的顯示元件。
基礎(chǔ)基底101可以包括各種合適的材料。例如，基礎(chǔ)基底101可以包括具有sio2作為主要組分的透明玻璃材料。然而，基礎(chǔ)基底101不限于此，并可以包括透明塑料材料。塑料材料可以包括具有聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纖維素(tac)和/或乙酸丙酸纖維素(cap)等的有機(jī)材料。
緩沖層102可以形成在基礎(chǔ)基底101上方。例如，緩沖層102可以包括諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦和/或氮化鈦等的無(wú)機(jī)材料和/或諸如聚酰亞胺、聚酯和/或丙烯醛基等的有機(jī)材料，并可以包括來(lái)自上面的材料中的多個(gè)堆疊的材料。
tft110a可以包括有源層103、柵電極105、源電極107和漏電極108。下面描述tft110a是頂柵型tft的情況，其中，有源層103、柵電極105、源電極107和漏電極108以所述順序依次地形成。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此，可以使用諸如底部型tft的各種合適類型的tft110a。
有源層103包括半導(dǎo)體材料，并可以包括例如非晶硅和/或多晶硅等。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此，有源層103可以包括各種合適的材料。在實(shí)施例中，有源層103可以包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。在另一實(shí)施例中，有源層103可以包括氧化物半導(dǎo)體材料。例如，有源層103可以包括諸如zn、in、ga、sn、cd、ge的12、13、14族的金屬元素和/或它們的組合的氧化物。
柵極絕緣層104形成在有源層103上方。柵極絕緣層104可以包括具有諸如氧化硅和/或氮化硅等的無(wú)機(jī)材料的單層或多層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣層104將有源層103與柵電極105絕緣。
柵電極105形成在柵極絕緣層104上方。柵電極105可以連接到將導(dǎo)通/截止信號(hào)施加到tft110a的柵極線。柵電極105可以包括低電阻金屬材料。柵電極105可以包括具有al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和/或cu等的單層或多層結(jié)構(gòu)。
層間絕緣層106形成在柵電極105上方。層間絕緣層106將源電極107和漏電極108與柵電極105絕緣。層間絕緣層106可以包括具有無(wú)機(jī)材料的單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，無(wú)機(jī)材料可以包括金屬氧化物或金屬氮化物。例如，無(wú)機(jī)材料可以包括sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2和/或zro2等。
源電極107和漏電極108形成在層間絕緣層106上方。源電極107和漏電極108均可以包括具有al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和/或cu等的單層或多層結(jié)構(gòu)。源電極107和漏電極108接觸有源層103的區(qū)域。
鈍化層109可以覆蓋tft110a。鈍化層109解決了起源于tft110a的臺(tái)階差異，使它的上表面平坦化，因此，防止或基本上防止由于下部不規(guī)則性而對(duì)顯示元件110b產(chǎn)生缺陷。
鈍化層109可以包括具有有機(jī)材料的單層或多層結(jié)構(gòu)。有機(jī)材料可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)、具有苯酚基的聚合物衍生物、丙烯酰類聚合物、酰亞胺類聚合物、芳香醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對(duì)二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物和/或它們摻合物的通用的聚合物。另外，鈍化層109可以包括無(wú)機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層的復(fù)合堆疊層。
顯示元件110b形成在鈍化層109上方。顯示元件110b包括第一電極111、面向第一電極111的第二電極113和位于第一電極111與第二電極113之間的中間層112。
第一電極111可以電連接到漏電極108。第一電極111可以具有各種合適的形狀，例如，可以以島的形狀圖案化。
第一電極111可以形成在鈍化層109上方，并通過(guò)形成在鈍化層109中的接觸孔電連接到tft110a。例如，第一電極111可以是反射電極。例如，第一電極111可以包括具有ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和/或它們的混合物的反射層，以及形成在反射層上方的透明電極層。透明電極層可以包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)、氧化銦鎵(igo)和/或氧化鋁鋅(azo)等。
面向第一電極111的第二電極113可以是透明電極，并可以包括金屬薄膜，所述金屬薄膜具有小的功函數(shù)，并包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag和/或mg等，以及它們的混合物。另外，還可以通過(guò)使用ito、izo、zno和/或in2o3等在金屬薄膜上形成輔助電極層或匯流電極。因此，第二電極113可以傳輸從包括在中間層112中的有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光。即，從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光可以直接地朝向第二電極113發(fā)射或者被包括反射電極的第一電極111反射并朝向第二電極113發(fā)射。
然而，根據(jù)實(shí)施例的顯示部分110不限于頂部發(fā)射類型的顯示部分，并可以是從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光朝向基礎(chǔ)基底101射出的底部發(fā)射類型的顯示部分。在這種情況下，第一電極111可以包括透明電極，第二電極113可以包括反射電極。另外，根據(jù)實(shí)施例的顯示部分110可以是在包括頂部方向和底部方向的兩個(gè)方向上發(fā)射光的雙發(fā)射類型的顯示部分。
包括絕緣材料的像素限定層119形成在第一電極111上方。像素限定層119可以包括包含聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯(bcb)和/或苯酚樹(shù)脂等的有機(jī)絕緣材料中的至少一種，并可以通過(guò)使用諸如旋轉(zhuǎn)涂覆的方法來(lái)形成。像素限定層119暴露第一電極111的設(shè)定的或預(yù)定的區(qū)域，包括有機(jī)發(fā)射層的中間層112位于暴露的區(qū)域中。即，像素限定層119限定有機(jī)發(fā)光裝置的像素區(qū)域。像素限定層119可以是圖1至圖6中示出的并參照?qǐng)D1至圖6描述的臺(tái)階部s(參見(jiàn)，例如，圖2)，緩沖層210可以減小由像素限定層119引起的臺(tái)階差異。
包括在中間層112中的有機(jī)發(fā)射層可以包括低分子的有機(jī)材料或聚合物有機(jī)材料，除了有機(jī)發(fā)射層之外，還選擇性地包括諸如空穴傳輸層(htl)、空穴注入層(hil)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)的功能層。
圖8是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置10的部分的另一示例的剖視圖。
參照?qǐng)D8，顯示裝置10可以包括顯示基底100和位于顯示基底100上方的薄膜包封層200。
顯示基底100可以包括基礎(chǔ)基底101和位于基礎(chǔ)基底101上方的顯示部分110。顯示部分110可以包括tft110a和顯示元件110b。另外，薄膜包封層200通過(guò)密封顯示部分110來(lái)防止或基本上防止外部氧氣和/或水分等滲透到顯示部分110中，并可以包括緩沖層210和阻擋層220。
因?yàn)轱@示裝置10的薄膜包封層200與圖1至圖7中示出的和參照?qǐng)D1至圖7描述的薄膜包封層200相同或基本上相同，所以可以不重復(fù)它們的描述。
參照?qǐng)D8，顯示裝置10還可以包括位于顯示部分110上方的保護(hù)層300。顯示基底100還可以包括位于保護(hù)層300與顯示元件110b的第二電極113之間的覆蓋層120。
保護(hù)層300可以包括與緩沖層210的材料相同或基本上相同的材料。即，保護(hù)層300可以包括具有碳和氫的氧化硅。然而，與緩沖層210相比，保護(hù)層300可以具有接近無(wú)機(jī)層的性質(zhì)。例如，保護(hù)層300可以包括比緩沖層210的氧的含量大的氧的含量，并包括比緩沖層210的碳的含量小的碳的含量，并還包括與氫結(jié)合的碳化硅。
當(dāng)保護(hù)層300具有上述無(wú)機(jī)層的性質(zhì)時(shí)，在形成保護(hù)層300期間脫氣現(xiàn)象減少，因此可以防止或基本上防止顯示元件被發(fā)出的氣體所損壞。
保護(hù)層300可以通過(guò)使用與用于形成緩沖層210所使用的方法相同的方法來(lái)形成。即，在形成薄膜包封層200之前，將原料氣體和反應(yīng)氣體注入到其中設(shè)置有顯示基底100的腔室中，可以通過(guò)使用pecvd形成保護(hù)層300。在這種情況下，為了允許保護(hù)層300具有接近無(wú)機(jī)層的性質(zhì)，在形成保護(hù)層300時(shí)引入腔室中的作為反應(yīng)氣體的氧氣的流量可以大于在形成緩沖層210時(shí)引入腔室中的氧氣的流量。因此，保護(hù)層300和薄膜包封層200二者可以通過(guò)使用相同的方法在一個(gè)腔室中形成。
覆蓋層120形成在第二電極113上方，并保護(hù)顯示元件110b、協(xié)助從顯示元件110b產(chǎn)生的光，使得可以有效率地發(fā)射光。例如，覆蓋層120可以包括諸如a-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3和/或cupc的有機(jī)材料。在這種情況下，覆蓋層120可以具有范圍從大約1.6至大約3.0的折射率。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此，覆蓋層120可以包括可阻擋水分和/或氧氣的材料。
包括與緩沖層210的材料相同或基本上相同的材料的保護(hù)層300可以具有比覆蓋層120的折射率小的折射率。例如，保護(hù)層300可以具有范圍從大約1.38至大約1.5的折射率。當(dāng)進(jìn)一步將氟(f)添加到保護(hù)層300中時(shí)，保護(hù)層300可以具有更低的折射率。當(dāng)保護(hù)層300具有如上所述的小的折射率時(shí)，可以抑制從顯示元件110b產(chǎn)生的光在被發(fā)射到外部的過(guò)程期間消光，因此可以改善(例如，增大)顯示裝置10的光提取效率。
圖9是示出沿圖1的線i-i'截取的顯示裝置10的部分的另一示例的剖視圖；圖10是示出沿圖1的線ii-ii'截取的顯示裝置的一部分的示例的剖視圖。
參照?qǐng)D9和圖10，顯示裝置10可以包括顯示基底100和位于顯示基底100上方的薄膜包封層200。
顯示基底100可以包括基礎(chǔ)基底101和位于基礎(chǔ)基底101上方的顯示部分110。顯示部分110可以包括tft110a和顯示元件110b。因?yàn)轱@示部分110與參照?qǐng)D7描述的顯示部分110相同或基本上相同，所以可以不重復(fù)它們的描述。
薄膜包封層200密封顯示部分110，并可以包括順序地堆疊的第一阻擋層230、緩沖層210和第二阻擋層220。
基于硅、氧和碳的總原子數(shù)，緩沖層210可以包括大約20至大約50原子％的硅、大約10至大約40原子％的氧和大約30至大約60原子％的碳。另外，在實(shí)施例中，緩沖層210可以包括大約30至大約40原子％的硅、大約18至大約28原子％的氧和大約40至大約50原子％的碳。在實(shí)施例中，緩沖層210可以包括大約33至大約36原子％的硅、大約20至大約23原子％的氧和大約42至大約45原子％的碳。因此，緩沖層210可以減少由像素限定層119形成的臺(tái)階差異(例如，臺(tái)階高度)，并防止或基本上防止在臺(tái)階差異與薄膜包封層200之間形成氣隙。
第二阻擋層220可以包括氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化銫和/或氮氧化硅等。
例如，第一阻擋層230可以包括與第二阻擋層220的材料相同或基本上相同的材料。
在另一實(shí)施例中，第一阻擋層230可以包括與緩沖層210的材料相同或基本上相同的材料。在第一阻擋層230包括與緩沖層210的材料相同或基本上相同的材料的情況下，第一阻擋層230可以包括比緩沖層210的無(wú)機(jī)材料的量大的無(wú)機(jī)材料的量。第一阻擋層230和緩沖層210可以通過(guò)使用相同的沉積方法依次地在相同腔室內(nèi)形成。然而，當(dāng)沉積第一阻擋層230時(shí)，相比于緩沖層210的沉積，可以通過(guò)增大氧氣(反應(yīng)氣體)的流量來(lái)改善(例如，增大)第一阻擋層230的硬度。
如圖10中所示出的，第一阻擋層230和第二阻擋層220可以比緩沖層210進(jìn)一步延伸，并可以在緩沖層210的外部處彼此接觸。另外，第一阻擋層230和第二阻擋層220中的至少一個(gè)可以在緩沖層210的外部處接觸柵極絕緣層104和層間絕緣層106。因此，可以防止或基本上防止通過(guò)側(cè)面?zhèn)鬏斖獠克?，并可以改?例如，增大)薄膜包封層200的粘合力。
另外，顯示基底100還可以在基礎(chǔ)基底101的邊緣處包括壩狀物d。壩狀物d可以形成在非顯示區(qū)域中，所述非顯示區(qū)域是其中設(shè)置有顯示元件110b的顯示區(qū)域的外側(cè)。電壓線p可以設(shè)置在非顯示區(qū)域中，并通過(guò)布線116連接到第二電極113。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此，電壓線p可以直接地接觸第二電極113。
壩狀物d可以包括與具有從柵極絕緣層104至像素限定層119的絕緣層中的至少一個(gè)的材料相同或基本上相同的材料。壩狀物d可以與包括金屬材料的電壓線p的至少外邊緣疊置并接觸。因此，與無(wú)機(jī)材料相比，包括相對(duì)于金屬具有優(yōu)異的粘合力的有機(jī)材料的壩狀物d由于具有優(yōu)異的粘合力而可以穩(wěn)定地形成。
壩狀物d可以包括單層或多個(gè)層。例如，壩狀物d可以包括具有與鈍化層109的材料相同或基本上相同的材料的第一層和位于第一層上方具有與像素限定層119的材料相或基本上相同的材料的第二層。另外，壩狀物d可以以復(fù)數(shù)的形式設(shè)置。在壩狀物d以復(fù)數(shù)的形式設(shè)置的情況下，壩狀物d的高度可以朝向基礎(chǔ)基底101的外部增大。
壩狀物d可以防止或基本上防止緩沖層210形成至基礎(chǔ)基底101的邊緣。因?yàn)橛糜谛纬删彌_層210的前驅(qū)體層可以具有一定程度的流動(dòng)性，所以壩狀物d可以通過(guò)阻擋前驅(qū)體層朝向基礎(chǔ)基底101的邊緣流動(dòng)來(lái)防止或基本上防止緩沖層210的邊緣尾部的形成。因此，緩沖層210可以面對(duì)或接觸壩狀物d的內(nèi)表面。對(duì)于另一個(gè)示例，緩沖層210可以與壩狀物d的一部分重疊，但不延伸到壩狀物d外側(cè)。
然而，第一阻擋層230和第二阻擋層220可以覆蓋壩狀物d。當(dāng)?shù)谝蛔钃鯇?30包括與緩沖層210的材料相同或基本上相同的材料時(shí)，相比于緩沖層210，第一阻擋層230包括無(wú)機(jī)層的許多特性，因此第一阻擋層230共形地形成。因此，用于形成第一阻擋層230的前驅(qū)體層的流動(dòng)性是沒(méi)有問(wèn)題的。
第一阻擋層230和第二阻擋層220可以在壩狀物d的外部處彼此接觸。另外，第一阻擋層230和第二阻擋層220中的至少一個(gè)可以在壩狀物d的外部處接觸柵極絕緣層104或?qū)娱g絕緣層106。因此，可以防止或基本上防止通過(guò)側(cè)面?zhèn)鬏斖獠克?，并可以改?例如，增大)薄膜包封層200的粘合力。
圖9和圖10中示出的顯示裝置10還可以包括保護(hù)層300(參見(jiàn)，例如，圖8)和圖8中示出的并參照?qǐng)D8描述的覆蓋層120(參見(jiàn)，例如，圖8)。
將理解的是，雖然在這里可使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)。因此，在不脫離發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
為了易于描述，在這里可使用諸如“在……下方”、“下面的”、“在……下”、“在……上方”和“上面的”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了圖中描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)還意圖包含設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為“在”其它元件或特征“下方”或“下”的元件將隨后被定位為“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例術(shù)語(yǔ)“在……下方”和“在……下”可包含上方和下方兩種方位。設(shè)備可被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)并應(yīng)該相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對(duì)描述符。此外，還將理解的是，當(dāng)層被稱為“在”兩個(gè)層“之間”時(shí)，該層可以是位于兩個(gè)層之間的唯一層，或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。
這里使用的術(shù)語(yǔ)是出于描述具體實(shí)施例的目的，并非意圖限制發(fā)明構(gòu)思。如這里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)(種/者)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，說(shuō)明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如在此使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意和全部組合。諸如“……中的至少一種(個(gè))”的表述在一列元件之后時(shí)，修飾整列元件而不修飾該列的單獨(dú)元件。另外，在描述發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例時(shí)“可以”的使用指“發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例”。另外，術(shù)語(yǔ)“示例性”意圖指示例或圖示。
將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”、“結(jié)合到”或“鄰近”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谄渌驅(qū)由稀⒅苯舆B接到、結(jié)合到或鄰近其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谝粋€(gè)或更多個(gè)中間元件或?qū)印．?dāng)元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”、“直接結(jié)合到”或“緊鄰”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。
如在此使用的，術(shù)語(yǔ)“基本上”，“大約”和類似術(shù)語(yǔ)用作近似的術(shù)語(yǔ)，而不是作為程度的術(shù)語(yǔ)，并且意圖解釋本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的測(cè)量值或計(jì)算值的固有變化。
如在此使用的，術(shù)語(yǔ)“使用”可以被認(rèn)為與術(shù)語(yǔ)“利用”同義。
此外，在這里所述的任何數(shù)值范圍意圖包括所述范圍內(nèi)包含相同數(shù)值精度的所有子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍意圖包括在所列舉的最小值1.0和所述最大值10.0之間(并且包括)的所有子范圍，即，具有大于等于1.0的最小值，小于等于10.0的最大值，諸如以2.4至7.6為例。在這里所述的任何最大數(shù)值限制意圖包括其中包含有所有較低數(shù)值限制，并且在本說(shuō)明書(shū)中所述的任何最小數(shù)值限制意圖包括其中包含有所有較高數(shù)值限制。因此，申請(qǐng)人保留修改本說(shuō)明書(shū)(包括權(quán)利要求書(shū))的權(quán)利，以明確地陳述包含在在這里明確引用的范圍內(nèi)的任何子范圍。所有這些范圍意圖在本說(shuō)明書(shū)中固有地描述。
盡管已經(jīng)參照附圖中示出的實(shí)施例描述了發(fā)明構(gòu)思，但是這僅是示例性的，并且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求及其等同物限定的發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可以在形式、細(xì)節(jié)及其等同物上進(jìn)行各種合適的改變。
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