技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開的一種內外雙微環(huán)諧振器結構，包括有N?Sub型襯底，N?Sub型襯底的頂部設置有SiO2埋層，SiO2埋層頂部的兩側分別設置有上側直波導和下側直波導，SiO2埋層頂部的中間分別設置有外環(huán)形波導和內環(huán)形波導。本發(fā)明一種內外雙微環(huán)諧振器結構具有諧振峰平坦和自由光譜范圍大的優(yōu)點，在不增加芯片面積和工藝成本的情況下，改善了微環(huán)諧振器的諧振特性，便于微環(huán)諧振器結構向高速、低功耗的方向發(fā)展。

技術研發(fā)人員：馮松;薛斌;李連碧;雷倩倩;楊延飛;宋立勛;翟學軍;朱長軍
受保護的技術使用者：西安工程大學
技術研發(fā)日：2017.03.02
技術公布日：2017.07.14