本申請涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基片對準(zhǔn)裝置，基片對準(zhǔn)方法和物理氣相沉積方法。

背景技術(shù)：

晶圓級物理氣相沉積(PVD)金屬工藝廣泛應(yīng)用于IC，MEMS，以及先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝中。金屬后制程一般是使硅片進(jìn)入黃光區(qū)域進(jìn)行涂膠-曝光-顯影等工藝，由此，將硅片上的金屬層定義出圖形，以便后道開始蝕刻制程。曝光工藝本身是需要與前層對準(zhǔn)的，否則會導(dǎo)致上層金屬層與下層結(jié)構(gòu)無法互聯(lián)，隨著工藝能力的提升，線寬越來越窄，曝光時，前后層是否能精確對準(zhǔn)尤為重要。

由于金屬層沉積后，在硅片表面形成不透光的薄膜，因此硅片都會在某個位置留出標(biāo)記作為曝光對準(zhǔn)標(biāo)記。PVD機臺會在沉積腔體中對應(yīng)硅片的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記上方設(shè)置掩蓋零件，使此曝光對準(zhǔn)標(biāo)記上不沉積金屬，這樣，后道黃光曝光時可以以此曝光對準(zhǔn)標(biāo)記作為對準(zhǔn)依據(jù)。為了使硅片的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記和機臺掩蓋零件能對準(zhǔn)，需要在金屬沉積前將硅片放置在指定位置。

通常，硅片外圈都有某個標(biāo)記區(qū)域，可以是平邊或三角缺口，如圖1(a)和圖1(b)所示，在圖1(a)中，硅片1的標(biāo)記區(qū)域為平邊1a，在圖1(b)中，硅片1的標(biāo)記區(qū)域為三角缺口1b。PVD機臺都會在金屬沉積前，將硅片先傳送至一個能夠使硅片轉(zhuǎn)動的機械轉(zhuǎn)動腔體，按照機臺制定的菜單，將硅片轉(zhuǎn)動到某指定角度，以便硅片在進(jìn)入金屬沉積腔體內(nèi)之后，每片硅片的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記都與相應(yīng)的掩蓋零件對準(zhǔn)，接下來，使硅片進(jìn)入金屬沉積腔體完成沉積。

在現(xiàn)有技術(shù)中，機械轉(zhuǎn)動腔體通常采用激光對準(zhǔn)方式來控制硅片轉(zhuǎn)動的角度，例如，在機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)，可以從上面發(fā)射激光，在下面接收，如果硅片轉(zhuǎn)動到平邊或者缺口與接收器對準(zhǔn)的位置，則下面的接收器可以接收到激光，機臺會判斷為硅片轉(zhuǎn)動到指定的角度，而如果硅片轉(zhuǎn)動到其他位置時，會因為硅片阻擋激光，接收器無法 接收到激光。

應(yīng)該注意，上面對技術(shù)背景的介紹只是為了方便對本申請的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的背景技術(shù)部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有的控制硅片轉(zhuǎn)動的方式中，接收器在將光信號轉(zhuǎn)化為電信號過程中可能存在一定的延遲，導(dǎo)致機械轉(zhuǎn)動沒有在指定位置停住，從而使硅片偏離了指定角度，另外，在硅片邊緣存在破損時，接收器將會產(chǎn)生多個接收信號，從而造成誤判，使硅片無法轉(zhuǎn)動到指定角度。在硅片沒有轉(zhuǎn)動到指定角度就進(jìn)入沉積腔體進(jìn)行金屬沉積的情況下，會導(dǎo)致硅片的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記無法被掩蓋零件掩蓋而沉積到金屬，由此，后道黃光曝光制程無法進(jìn)行，造成硅片報廢或者重新返工，嚴(yán)重降低生產(chǎn)效率。

本申請實施例提供一種基片對準(zhǔn)裝置，基片對準(zhǔn)方法和物理氣相沉積方法，能夠?qū)⒒膱D像與標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，來判斷是否完成基片對準(zhǔn)，由此，提高基片對準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。

根據(jù)本申請的一個實施例，提供一種基片對準(zhǔn)方法，該方法包括：

使基片轉(zhuǎn)動，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動角度滿足預(yù)設(shè)條件時，使所述基片停止轉(zhuǎn)動；

拍攝所述基片的圖像；

當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時，將所述基片傳送至預(yù)定位置。

根據(jù)本申請的另一個實施例，其中，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時，使所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動第一角度后停止，再次拍攝所述基片的圖像，并判斷再次拍攝的所述基片的圖像與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像是否匹配。

根據(jù)本申請的另一個實施例，其中，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時，計算所述基片的圖像與所述預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像的偏差，并根據(jù)所述偏差控制所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動所述第一角度。

根據(jù)本申請的另一個實施例，其中，當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時，發(fā)出報警信息。

根據(jù)本申請的另一個實施例，其中，所述預(yù)設(shè)條件包括，與所述基片表面垂直的 光透過所述基片的標(biāo)記區(qū)域。

根據(jù)本申請的另一個實施例，提供一種物理氣相沉積方法，該方法包括：

將基片傳送至物理氣相沉積機臺的機械轉(zhuǎn)動腔體；

使所述機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)的所述基片轉(zhuǎn)動，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動角度滿足預(yù)設(shè)條件時，使所述基片停止轉(zhuǎn)動；

拍攝所述基片的圖像；

當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時，將所述基片傳送至所述物理氣相沉積機臺的沉積腔體；

在所述沉積腔體內(nèi)的所述基片的表面沉積薄膜材料。

根據(jù)本申請的另一個實施例，其中，在沉積所述薄膜材料的過程中，遮蓋所述基片表面的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，以使所述薄膜材料不沉積在所述曝光對準(zhǔn)標(biāo)記上。

根據(jù)本申請的另一個實施例，提供一種基片對準(zhǔn)裝置，其中，該基片對準(zhǔn)裝置包括：

機械轉(zhuǎn)動腔體，其能使位于其中的所述基片轉(zhuǎn)動；

傳送單元，其用于將所述基片傳入或傳出所述機械轉(zhuǎn)動腔體；

光發(fā)射單元，其用于發(fā)射光；

光接收單元，用于接收所述光發(fā)射單元所發(fā)射的光，其中，當(dāng)所述基片在所述機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)轉(zhuǎn)動時，所述光發(fā)射單元和所述光接收單元分別位于所述基片的上下兩側(cè)；

圖像獲取單元，其用于獲取位于所述機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)的所述基片在停止轉(zhuǎn)動時的圖像；

圖像處理單元，其用于將所述圖像獲取單元所獲取的所述基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較；以及

控制單元，其在所述光接收單元接收到所述光發(fā)射單元所發(fā)射的光時，使所述基片停止轉(zhuǎn)動，并使所述圖像獲取單元獲取所述基片的圖像，在所述圖像處理單元判斷為所述基片的圖像與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時，使所述傳送單元將所述基片傳送出所述機械轉(zhuǎn)動腔體。

根據(jù)本申請的另一個實施例，其中，所述機械轉(zhuǎn)動腔體具有透明的上蓋，所述圖像獲取單元設(shè)置于所述機械轉(zhuǎn)動腔體的外部，并透過所述上蓋對所述基片進(jìn)行拍攝。

本申請的有益效果在于：將基片的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，來判斷是否完成基片對準(zhǔn)，由此，提高基片對準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。。

參照后文的說明和附圖，詳細(xì)公開了本申請的特定實施方式，指明了本申請的原理可以被采用的方式。應(yīng)該理解，本申請的實施方式在范圍上并不因而受到限制。在所附權(quán)利要求的精神和條款的范圍內(nèi)，本申請的實施方式包括許多改變、修改和等同。

針對一種實施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施方式中使用，與其它實施方式中的特征相組合，或替代其它實施方式中的特征。

應(yīng)該強調(diào)，術(shù)語“包括/包含”在本文使用時指特征、整件、步驟或組件的存在，但并不排除一個或更多個其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。

附圖說明

所包括的附圖用來提供對本申請實施例的進(jìn)一步的理解，其構(gòu)成了說明書的一部分，用于例示本申請的實施方式，并與文字描述一起來闡釋本申請的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1(a)、圖1(b)是具有標(biāo)記區(qū)域的基片的示意圖；

圖2是本申請實施例1的基片對準(zhǔn)方法的一個流程示意圖；

圖3是本申請實施例2的物理氣相沉積方法的一個流程示意圖；

圖4是本申請實施例3的基片對準(zhǔn)裝置的一個組成示意圖。

具體實施方式

參照附圖，通過下面的說明書，本申請的前述以及其它特征將變得明顯。在說明書和附圖中，具體公開了本申請的特定實施方式，其表明了其中可以采用本申請的原則的部分實施方式，應(yīng)了解的是，本申請不限于所描述的實施方式，相反，本申請包括落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的全部修改、變型以及等同物。

在本申請中，基片的可以是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中常用的晶圓，例如硅晶圓、絕緣體 上的硅(Silicon-On-Insulator，SOI)晶圓、鍺硅晶圓、鍺晶圓或氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)晶圓等；并且，該晶圓可以是沒有進(jìn)行過半導(dǎo)體工藝處理的晶圓，也可以是已經(jīng)進(jìn)行過處理的晶圓，例如進(jìn)行過離子注入、蝕刻和/或擴散等工藝處理過的晶圓，本申請對此并不限制。

在本申請中，基片可以具有標(biāo)記區(qū)域，該標(biāo)記區(qū)域與基片的其它區(qū)域具有不同形狀，并且能夠允許光通過，例如，該標(biāo)記區(qū)域可以是如圖1(a)所示的平邊狀或如圖1(b)所示的三角缺口狀，但本申請可以不限于此，基片的標(biāo)記區(qū)域也可以是其它形狀。

實施例1

本申請實施例1提供一種基片對準(zhǔn)方法，用于控制基片的旋轉(zhuǎn)角度，使基片上的特定區(qū)域能夠與基片外的特定區(qū)域進(jìn)行對準(zhǔn)。圖2是該基片對準(zhǔn)方法的一個示意圖，如圖1所示，該方法包括：

S201、使基片轉(zhuǎn)動，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動角度滿足預(yù)設(shè)條件時，使所述基片停止轉(zhuǎn)動；

S202、拍攝所述基片的圖像；

S203、判斷所述基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像是否匹配；

S204、當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時(即，S203判斷為是)，將所述基片傳送至預(yù)定位置。

在本申請中，當(dāng)基片的轉(zhuǎn)動角度滿足預(yù)設(shè)條件，并且，當(dāng)基片停止轉(zhuǎn)動時基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時，才認(rèn)為該基片完成了對準(zhǔn)，由此，能夠防止僅根據(jù)預(yù)設(shè)條件來判定基片對準(zhǔn)時所產(chǎn)生的基片對準(zhǔn)偏差問題。

在本實施例的步驟S201中，可以使基片被傳送到機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)，基片可以在該機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)被轉(zhuǎn)動，關(guān)于機械轉(zhuǎn)動腔體的結(jié)構(gòu)和工作原理，可以參考現(xiàn)有技術(shù)，本實施例不再贅述。

在本實施例中，機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)可以具有光發(fā)射單元和光接收單元，當(dāng)基片在機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)轉(zhuǎn)動時，光發(fā)射單元和光接收單元分別位于該基片的上下兩側(cè)。在基片的標(biāo)記區(qū)域，光發(fā)射單元發(fā)射的光可以透過該標(biāo)記區(qū)域，并被光接收單元所接收；而在基片的標(biāo)記區(qū)域以外的區(qū)域，光發(fā)射單元發(fā)射的光被基片阻擋。

在本實施例的步驟S201中，該預(yù)設(shè)條件可以包括，與基片表面垂直的光透過該基片的標(biāo)記區(qū)域，此時，光接收單元能夠接收到光發(fā)射單元所發(fā)射的光。在滿足該預(yù)設(shè)條件時，可以使基片停止轉(zhuǎn)動。

在本實施例的步驟S202中，可以通過圖像傳感器對機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)的停止轉(zhuǎn)動的基片進(jìn)行拍照，從而得到基片的圖像。例如，該機械轉(zhuǎn)動腔體的上蓋可以是透明材料形成，例如有機玻璃，并且，圖像傳感器可以設(shè)置在該機械轉(zhuǎn)動腔體外部，并透過該上蓋對基片進(jìn)行拍攝，當(dāng)然，本實施例不限于此，在步驟S202中還可以采用其他方式來得到基片的圖像。

在本實施例的步驟S203中，可以將基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行對比，判斷二者是否匹配。例如，該預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像可以是將標(biāo)準(zhǔn)基片轉(zhuǎn)動到標(biāo)準(zhǔn)位置時，由圖像傳感器對該標(biāo)準(zhǔn)基片進(jìn)行拍攝所得到的圖像。以物理氣相沉積制程為例，當(dāng)該標(biāo)準(zhǔn)基片轉(zhuǎn)動到該標(biāo)準(zhǔn)位置的情況下，該標(biāo)準(zhǔn)基片在被傳送至預(yù)定位置，例如沉積腔時，該標(biāo)準(zhǔn)基片的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記能夠與沉積腔內(nèi)的機臺掩蓋零件對準(zhǔn)，由此，沉積的材料不會遮蓋基片上的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，當(dāng)然，在其他的半導(dǎo)體制程中，該標(biāo)準(zhǔn)位置還可以是符合其他要求的位置。在本實施例中，將基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行對比的具體算法，可以參考現(xiàn)有技術(shù)，本實施例不再贅述。

在本實施的步驟S204中，當(dāng)基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時，判斷為該基片被轉(zhuǎn)動到了標(biāo)準(zhǔn)位置，即，該基片完成了對準(zhǔn)，此時，可以將該基片傳送至預(yù)定位置。

如圖2所示，在本實施例中，還可以包括如下的步驟S205：

S205、當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時(即，S203判斷為否)，使所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動第一角度后停止，并返回步驟S202以再次拍攝所述基片的圖像，并進(jìn)行到S203以判斷再次拍攝的基片的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖像是否匹配。

在本實施例中，根據(jù)步驟S205，可以通過多次“轉(zhuǎn)動-停止-拍攝-比對”的循環(huán)，來不斷調(diào)整基片的轉(zhuǎn)動角度，直到基片的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖像一致，才完成基片對準(zhǔn)過程。

在本實施例中，可以采用控制系統(tǒng)來實現(xiàn)步驟S205，并且，該步驟S205可以包括下面的步驟：

A、計算基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像的偏差；

B、根據(jù)上述偏差，來計算基片需要繼續(xù)轉(zhuǎn)動的第一角度；

C、控制基片轉(zhuǎn)動該第一角度。

根據(jù)上述步驟A、B和C，可以精確地控制基片的轉(zhuǎn)動角度，以進(jìn)行基片對準(zhǔn)。關(guān)于上述步驟A、B、C的具體實現(xiàn)方式，可以參考現(xiàn)有技術(shù)，本實施例不再贅述。

當(dāng)然，本實施例也可以不采用控制系統(tǒng)來實現(xiàn)步驟S205，而是由人工來控制基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動第一角度。

在本實施例中，當(dāng)基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時，還可以發(fā)出報警信息，例如在顯示屏上顯示報警圖像和/或通過揚聲器發(fā)出報警聲音等，由此，告知工作人員該基片尚未完成對準(zhǔn)。

根據(jù)本實施例的基片對準(zhǔn)方法，將基片的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，來判斷是否完成基片對準(zhǔn)，由此，能夠提高基片對準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。

本實施例的基片對準(zhǔn)方法不僅可以適用于物理氣相沉積制程，也可以適用于其它的需要對基片進(jìn)行對準(zhǔn)的制程中。

實施例2

本申請實施例2提供一種物理氣相沉積方法，圖3是該物理氣相沉積方法的一個示意圖，如圖3所示，該方法包括：

S301、將基片傳送至物理氣相沉積機臺的機械轉(zhuǎn)動腔體；

S302、使所述機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)的所述基片轉(zhuǎn)動，并且在所述基片的轉(zhuǎn)動角度滿足預(yù)設(shè)條件時，使所述基片停止轉(zhuǎn)動；

S303、拍攝所述基片的圖像；

S304、判斷所述基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像是否匹配；

S305、當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時，將所述基片傳送至所述物理氣相沉積機臺的沉積腔體；

S306在所述沉積腔體內(nèi)的所述基片的表面沉積薄膜材料。

在本實施例中，如圖3所示，該方法還可以包括：

S307、當(dāng)所述基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時(即，S304判斷為否)，使所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動第一角度后停止，并返回步驟S303以再次拍攝所述基片的圖像，并進(jìn)行到S304以判斷再次拍攝的基片的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖像是否匹配。

在本實施例中，關(guān)于步驟S302、S303、S304、S305和S307的說明可以參考實 施例1中對步驟S201-S205的說明，本實施例不再贅述。

在本實施例的S307中，在對薄膜材料進(jìn)行物理氣相沉積的過程中，沉積腔體內(nèi)的機臺掩蓋零件能夠遮蓋基片表面的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，以使薄膜材料不沉積在該曝光對準(zhǔn)標(biāo)記上。

根據(jù)本實施例的物理氣相沉積方法，能夠準(zhǔn)確地將基片的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記與沉積腔體內(nèi)的機臺掩蓋零件對準(zhǔn)，從而防止曝光對準(zhǔn)標(biāo)記被沉積材料所覆蓋。

實施例3

本申請實施例3提供一種基片對準(zhǔn)裝置，用于實現(xiàn)實施例1所述的基片對準(zhǔn)方法。圖4是實施例3的基片對準(zhǔn)裝置的一個組成示意圖，如圖4所示，該基片對準(zhǔn)裝置包括：

機械轉(zhuǎn)動腔體41，其能使位于其中的基片1轉(zhuǎn)動；

傳送單元(圖未示出)，其用于將基片傳入或傳出所述機械轉(zhuǎn)動腔體；

光發(fā)射單元42，其用于發(fā)射光，該光例如是激光；

光接收單元43，用于接收所述光發(fā)射單元所發(fā)射的光，其中，當(dāng)所述基片在所述機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)轉(zhuǎn)動時，所述光發(fā)射單元和所述光接收單元分別位于所述基片的上下兩側(cè)；

圖像獲取單元44，其用于獲取位于所述機械轉(zhuǎn)動腔體內(nèi)的所述基片在停止轉(zhuǎn)動時的圖像，該圖像獲取單元44例如可以是圖像傳感器；

圖像處理單元45，其用于將所述圖像獲取單元所獲取的所述基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較；以及

控制單元46，其在所述光接收單元接收到所述光發(fā)射單元所發(fā)射的光時，使所述基片停止轉(zhuǎn)動，并使所述圖像獲取單元獲取所述基片的圖像，在所述圖像處理單元判斷為所述基片的圖像與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像匹配時，使所述傳送單元將所述基片傳送出所述機械轉(zhuǎn)動腔體。

在本實施例中，控制單元46還可以進(jìn)行如下的控制：

當(dāng)基片的圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像不匹配時，使所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動第一角度后停止，并使圖像獲取單元44再次拍攝基片的圖像，判斷再次拍攝的基片的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖像是否匹配。

在本實施例中，控制單元46使所述基片繼續(xù)轉(zhuǎn)動第一角度的控制步驟中可以進(jìn)一步包括如下的控制步驟：

計算基片的圖像與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圖像的偏差；

根據(jù)上述偏差，來計算基片需要繼續(xù)轉(zhuǎn)動的第一角度；

控制基片轉(zhuǎn)動該第一角度。

在本實施例中，機械轉(zhuǎn)動腔體可以具有透明的上蓋，所述圖像獲取單元44可以設(shè)置于該機械轉(zhuǎn)動腔體的外部，并透過所述上蓋對所述基片進(jìn)行拍攝。

根據(jù)本實施例的基片對準(zhǔn)裝置，將基片的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行比較，來判斷是否完成基片對準(zhǔn)，由此，能夠提高基片對準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。

以上結(jié)合具體的實施方式對本申請進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，這些描述都是示例性的，并不是對本申請保護(hù)范圍的限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本申請的精神和原理對本申請做出各種變型和修改，這些變型和修改也在本申請的范圍內(nèi)。