本技術(shù)涉及掩膜版，特別涉及一種邊緣改進的普通金屬掩膜版。

背景技術(shù)：

1、在oled(organic?light-emitting?diode)顯示技術(shù)領(lǐng)域，掩膜版的邊緣設(shè)計對于確保制程穩(wěn)定性和圖案精度至關(guān)重要。

2、傳統(tǒng)的掩膜版邊緣設(shè)計在oled高分辨率制程中常常受到以下技術(shù)挑戰(zhàn)的影響：

3、1.張網(wǎng)效應(yīng)：傳統(tǒng)的邊緣設(shè)計容易受到張網(wǎng)效應(yīng)的干擾，導(dǎo)致邊緣區(qū)域的應(yīng)力分布不均勻，這可能引起圖案的變形和不一致性。

4、2.傳統(tǒng)邊緣設(shè)計限制：傳統(tǒng)的邊緣設(shè)計方法通常限于簡單的形狀和結(jié)構(gòu)，難以滿足現(xiàn)代高精度制程的需求，這限制了邊緣區(qū)域的性能，可能會影響整個制程的質(zhì)量和成本。

5、3.現(xiàn)有改進方法的局限性：先前的技術(shù)嘗試通過不同的邊緣設(shè)計策略來改進邊緣區(qū)域的穩(wěn)定性和一致性，然而，這些方法可能不足以解決復(fù)雜的制程挑戰(zhàn)，如張網(wǎng)效應(yīng)、小尺寸cell和高分辨率制程。

6、因此，迫切需要一種創(chuàng)新的方法，以改進掩膜版的邊緣設(shè)計，從而提高邊緣區(qū)域的穩(wěn)定性，同時滿足oled高精度制程的要求。

7、上述背景技術(shù)是為了便于理解本實用新型，并非是申請本實用新型之前已向普通公眾公開的公知技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對上述缺陷，本實用新型提供一種邊緣改進的普通金屬掩膜版，一方面降低了整個掩膜版的負荷，另一方面可以使用更少的力來達到相同的張網(wǎng)效果，從而提高了操作的效率和精度。

2、技術(shù)方案是：一種邊緣改進的普通金屬掩膜版，包括基片，基片包括aa區(qū)和位于aa區(qū)外將aa區(qū)包圍在內(nèi)的邊緣區(qū)，邊緣區(qū)包括左邊緣區(qū)、右邊緣區(qū)、上邊緣區(qū)和下邊緣區(qū)，上邊緣區(qū)的邊緣部分為上夾持區(qū)，下邊緣區(qū)的邊緣部分為下夾持區(qū)，所述上夾持區(qū)和下夾持區(qū)各自包括若干夾持位，相鄰兩個夾持位之間夾持一個空腔。

3、進一步地，所述基片材料為因瓦。

4、進一步地，所述基片厚度為100～200μm。

5、進一步地，所述上夾持區(qū)的夾持位為4個，下夾持區(qū)的夾持位為4個。

6、進一步地，所述夾持位的寬度小于夾子的最大夾持寬度。

7、進一步地，所述空腔向aa區(qū)方向延伸，延伸幅度為半球形腔，夾持位邊緣線與半球形腔邊緣線連接形成邊緣曲線型圖案。

技術(shù)特征：

1.一種邊緣改進的普通金屬掩膜版，包括基片(1)，基片(1)包括aa區(qū)(2)和位于aa區(qū)(2)外將aa區(qū)(2)包圍在內(nèi)的邊緣區(qū)，邊緣區(qū)包括左邊緣區(qū)(3)、右邊緣區(qū)(4)、上邊緣區(qū)(5)和下邊緣區(qū)(6)，上邊緣區(qū)(5)的邊緣部分為上夾持區(qū)(7)，下邊緣區(qū)(6)的邊緣部分為下夾持區(qū)(8)，其特征在于，所述上夾持區(qū)(7)和下夾持區(qū)(8)各自包括若干夾持位(10)，相鄰兩個夾持位(10)之間夾持一個空腔(11)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣改進的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述基片(1)材料為因瓦。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣改進的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述基片(1)厚度為100～200μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的邊緣改進的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述上夾持區(qū)(7)的夾持位(10)為4個，下夾持區(qū)(8)的夾持位(10)為4個。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣改進的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述夾持位(10)的寬度小于夾子(9)的最大夾持寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的邊緣改進的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述空腔(11)向aa區(qū)(2)方向延伸，延伸幅度為半球形腔(12)，夾持位(10)邊緣線與半球形腔(12)邊緣線連接形成邊緣曲線型圖案。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種邊緣改進的普通金屬掩膜版，包括基片，基片包括AA區(qū)和位于AA區(qū)外將AA區(qū)包圍在內(nèi)的邊緣區(qū)，邊緣區(qū)包括左邊緣區(qū)、右邊緣區(qū)、上邊緣區(qū)和下邊緣區(qū)，上邊緣區(qū)的邊緣部分為上夾持區(qū)，下邊緣區(qū)的邊緣部分為下夾持區(qū)，所述上夾持區(qū)和下夾持區(qū)各自包括若干夾持位，相鄰兩個夾持位之間夾持一個空腔。本技術(shù)一方面降低了整個掩膜版的負荷，另一方面可以使用更少的力來達到相同的張網(wǎng)效果，從而提高了操作的效率和精度。

技術(shù)研發(fā)人員：王眾,王娟,楊廷翔
受保護的技術(shù)使用者：成都拓維高科光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240709
技術(shù)公布日：2025/5/8