本發(fā)明涉及鍍膜，特別是涉及一種蒸發(fā)鍍膜裝置及使用方法。

背景技術(shù)：

1、目前，在玻璃、晶體、芯片等基材的加工過程中，一般會(huì)對(duì)成型后的基材表面采用真空鍍膜的方式以形成涂層，原理是在真空條件下，采用物理方法，將材料源表面氣化成氣體原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體處理后在基材表面沉積為具有特殊功能的薄膜，以滿足基材在使用時(shí)的需求，且為了提高薄膜的附著效果，通常會(huì)在鍍膜時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)處理。

2、在現(xiàn)有的鍍膜過程中，針對(duì)結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜的基材或材質(zhì)不同、鍍膜厚度要求不同的基材，為了達(dá)到符合各自要求的鍍膜質(zhì)量，蒸發(fā)是不可忽視的步驟。沉積源與基材間距會(huì)對(duì)薄膜均勻性造成一定影響，根據(jù)實(shí)際鍍膜經(jīng)驗(yàn)，沉積源與基材間距減小的情況下，薄膜厚度相對(duì)更大，均勻性也相對(duì)更好，且相同種類的蒸鍍材料在保持質(zhì)量不變的前提下，隨基材到沉積源距離的增加，蒸發(fā)鍍膜所得的薄膜厚度也逐漸減小，因此需考慮如何合理地調(diào)整沉積源與基材的間距，然而現(xiàn)有的鍍膜裝置通常是固定沉積源，在鍍膜時(shí)不能根據(jù)不同的鍍膜厚度要求實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)蒸發(fā)距離，靈活性較差，導(dǎo)致鍍膜質(zhì)量良莠不齊等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

2、一方面，本發(fā)明提供了一種蒸發(fā)鍍膜裝置，包括鍍膜組件、外殼組件和沉積源，所述鍍膜組件包括密封殼、移動(dòng)內(nèi)桿、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件和擋板，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)組件包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)和鍍膜件，所述外殼組件包括真空鍍膜外殼、動(dòng)力機(jī)構(gòu)、導(dǎo)向柱和連通管，其中，所述鍍膜組件設(shè)置于真空鍍膜外殼內(nèi)部，所述移動(dòng)內(nèi)桿與所述密封殼的頂端固定連接，所述導(dǎo)向柱與所述真空鍍膜外殼的頂端固定連接，所述移動(dòng)內(nèi)桿插接于所述導(dǎo)向柱內(nèi)側(cè)，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)設(shè)置于所述密封殼內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出端從密封殼的底部延伸至密封殼外并與鍍膜件固定連接，所述擋板設(shè)置于鍍膜件的下側(cè)，所述擋板靠近真空鍍膜外殼的一端通過支撐臂與密封殼的側(cè)端固定連接，所述動(dòng)力機(jī)構(gòu)設(shè)置于真空鍍膜外殼的頂端，且所述動(dòng)力機(jī)構(gòu)的輸出端貫穿真空鍍膜外殼的頂端并與密封殼的頂部固定連接，所述連通管的一端與密封殼連通，另一端延伸至真空鍍膜外殼的外側(cè)。

3、具體的，所述擋板設(shè)置有兩個(gè)，兩個(gè)所述擋板分別位于鍍膜件的下端兩側(cè)。

4、具體的，所述鍍膜件為開口向下的鍋形結(jié)構(gòu)。

5、進(jìn)一步的，所述擋板遠(yuǎn)離真空鍍膜外殼的一端向上傾斜。

6、具體的，所述沉積源的底部設(shè)置有升降底座，所述升降底座的底端固定于真空鍍膜外殼的底部?jī)?nèi)側(cè)。

7、具體的，所述真空鍍膜外殼包括上殼體和下殼體，所述上殼體和下殼體密封連接，且所述上殼體或所述下殼體的外表面開設(shè)有置物通道。

8、另一方面，本發(fā)明還提供了一種蒸發(fā)鍍膜裝置的使用方法，包括如下步驟：

9、s1，將沉積源與基材之間的距離調(diào)整至初始位置，進(jìn)行鍍膜件的復(fù)位。

10、s2，根據(jù)基材對(duì)應(yīng)的鍍膜總厚度，以及鍍膜厚度區(qū)間與沉積速率的對(duì)應(yīng)關(guān)系表，確定出基材在鍍膜時(shí)對(duì)應(yīng)的若干鍍膜沉積速率。

11、s3，當(dāng)接收到鍍膜開啟指令時(shí)，根據(jù)預(yù)設(shè)的速率-距離關(guān)系模型，實(shí)時(shí)調(diào)整每一鍍膜沉積速率對(duì)應(yīng)的蒸發(fā)距離以進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，并獲取實(shí)時(shí)鍍膜厚度；所述蒸發(fā)距離是指沉積源與基材之間的距離。

12、s4，當(dāng)實(shí)時(shí)鍍膜厚度等于鍍膜總厚度時(shí)，蒸發(fā)鍍膜結(jié)束。

13、進(jìn)一步地，s2步驟還包括如下步驟：

14、s21，根據(jù)基材對(duì)應(yīng)的鍍膜總厚度，從鍍膜厚度區(qū)間與沉積速率的對(duì)應(yīng)關(guān)系表中查找到若干目標(biāo)鍍膜厚度區(qū)間；所述目標(biāo)鍍膜厚度區(qū)間是指包括有不大于鍍膜總厚度的任一厚度值的任一鍍膜厚度區(qū)間。

15、s22，根據(jù)鍍膜厚度區(qū)間與沉積速率的對(duì)應(yīng)關(guān)系表中的鍍膜厚度區(qū)間與沉積速率的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定出每一目標(biāo)鍍膜厚度區(qū)間對(duì)應(yīng)的沉積速率。

16、具體的，所述速率-距離關(guān)系模型對(duì)應(yīng)的公式符合如下條件：

17、其中，s表示沉積速率，l表示蒸發(fā)距離。

18、本發(fā)明實(shí)施例至少具有以下技術(shù)效果：在鍍膜時(shí)通過控制動(dòng)力機(jī)構(gòu)的升降能夠帶動(dòng)鍍膜件的升降，移動(dòng)內(nèi)桿隨著動(dòng)力機(jī)構(gòu)輸出端的升降沿著導(dǎo)向柱內(nèi)上下移動(dòng)，保證鍍膜件在鍍膜時(shí)的平衡穩(wěn)定性，通過將鍍膜件設(shè)置成鍋形，并與擋板配合，使得在鍍膜時(shí)濺射的鍍膜材料能夠停留在鍍膜件與擋板之間，有效防止鍍膜材料濺射到真空鍍膜外殼的腔體內(nèi)，以防止覆蓋沉積源而影響蒸發(fā)效果，在面對(duì)不同的基材鍍膜厚度要求與質(zhì)量要求時(shí)，可根據(jù)鍍膜厚度、沉積速率，以及蒸發(fā)距離之間的關(guān)系，在鍍膜過程中實(shí)時(shí)調(diào)整基材與沉積源之間的距離，靈活性較高，能夠達(dá)到不同的鍍膜蒸發(fā)要求，使得鍍膜的致密度更高，進(jìn)而提高鍍膜質(zhì)量，減少生產(chǎn)損失。

技術(shù)特征：

1.一種蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，包括：鍍膜組件、外殼組件和沉積源；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述擋板設(shè)置有兩個(gè)，兩個(gè)所述擋板分別位于鍍膜件的下端兩側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜件為開口向下的鍋形結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述擋板遠(yuǎn)離真空鍍膜外殼的一端向上傾斜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述沉積源的底部設(shè)置有升降底座，所述升降底座的底端固定于真空鍍膜外殼的底部?jī)?nèi)側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述真空鍍膜外殼包括上殼體和下殼體，所述上殼體和下殼體密封連接，且所述上殼體或所述下殼體的外表面開設(shè)有置物通道。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的蒸發(fā)鍍膜裝置的使用方法，其特征在于，包括如下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸發(fā)鍍膜裝置的使用方法，其特征在于，s2步驟還包括如下步驟：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸發(fā)鍍膜裝置的使用方法，其特征在于，所述速率-距離關(guān)系模型對(duì)應(yīng)的公式符合如下條件：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種蒸發(fā)鍍膜裝置及使用方法，所述方法包括：將沉積源與基材之間的距離調(diào)整至初始位置，進(jìn)行鍍膜件的復(fù)位，根據(jù)基材對(duì)應(yīng)的鍍膜總厚度，以及鍍膜厚度區(qū)間與沉積速率的對(duì)應(yīng)關(guān)系表，確定出基材在鍍膜時(shí)對(duì)應(yīng)的若干鍍膜沉積速率，當(dāng)接收到鍍膜開啟指令時(shí)，根據(jù)預(yù)設(shè)的速率?距離關(guān)系模型，實(shí)時(shí)調(diào)整每一鍍膜沉積速率對(duì)應(yīng)的蒸發(fā)距離以進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，直至實(shí)時(shí)鍍膜厚度等于鍍膜總厚度時(shí)，蒸發(fā)鍍膜結(jié)束，本發(fā)明能夠根據(jù)不同的鍍膜厚度要求，實(shí)時(shí)在線調(diào)整蒸發(fā)距離，進(jìn)而提高鍍膜質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：肖暢,于雪冰,安永
受保護(hù)的技術(shù)使用者：布勒萊寶光學(xué)設(shè)備（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8