本發(fā)明涉及陶瓷轉(zhuǎn)接板加工，尤其涉及一種陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝及陪磨圓環(huán)。

背景技術(shù)：

1、隨著對陶瓷轉(zhuǎn)接板電路的精細化越來越高，在陶瓷轉(zhuǎn)接板表面制作rdl(redistribution?layer，重分布層)電路也越來越多，因此對陶瓷表面的粗糙度要求也越來越高。cmp(chemical?mechanical?polishing，化學(xué)機械拋光)技術(shù)通過化學(xué)腐蝕和機械力對加工過程中的硅晶圓或其他襯底材料進行平坦化處理，能夠完美地兼顧全局平坦化、材料表面缺陷及使用可靠性，所以對陶瓷表面進行cmp工藝不可或缺。

2、現(xiàn)有的cmp設(shè)備及工藝都是針對晶圓表面進行，因此cmp設(shè)備的固定吸盤都是圓形，而陶瓷轉(zhuǎn)接板往往是方形的，常規(guī)的做法是將陶瓷轉(zhuǎn)接板用蠟貼到圓形硅片上進行cmp加工。但是將陶瓷轉(zhuǎn)接板用蠟貼到硅片上，不僅工藝復(fù)雜且要求很高，容易造成貼蠟厚度不均勻；在加工完成后還需要對陶瓷轉(zhuǎn)接板解蠟，如果蠟未去除干凈會造成電路污染，損壞電路。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝及陪磨圓環(huán)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中使用貼蠟工藝將陶瓷轉(zhuǎn)接板固定在圓形硅片上進行cmp加工，但是工藝復(fù)雜且要求很高，容易造成貼蠟厚度不均勻；在加工完成后還需要對陶瓷轉(zhuǎn)接板解蠟，如果蠟未去除干凈會造成電路污染，損壞電路的問題。

2、為達此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

3、一方面，提供一種陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，包括以下步驟：

4、s1、根據(jù)陶瓷轉(zhuǎn)接板尺寸制作陪磨圓環(huán)；

5、s2、將所述陶瓷轉(zhuǎn)接板嵌入所述陪磨圓環(huán)，形成待加工件；

6、s3、在所述待加工件的底面貼uv膜；

7、s4、將所述待加工件放入cmp設(shè)備并進行拋光；

8、s5、取出加工成品；

9、s6、對所述uv膜進行解膜處理并取下所述陶瓷轉(zhuǎn)接板。

10、作為陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝一種可選的技術(shù)方案，所述步驟s1中，制作所述陪磨圓環(huán)包括以下步驟：

11、s1.1、設(shè)計并加工模具；

12、s1.2、將原料在料筒中加熱熔融，形成均勻的熔體；

13、s1.3、將所述熔體注入所述模具的型腔；

14、s1.4、等待所述熔體固化后開模取出；

15、s1.5、修整多余部分。

16、作為陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝一種可選的技術(shù)方案，所述步驟s1.2中，所述原料為塑膠。

17、作為陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝一種可選的技術(shù)方案，所述步驟s3中，貼uv膜包括以下步驟：

18、s3.1、清潔所述待加工件的底面；

19、s3.2、將所述uv膜貼合于所述待加工件的底面；

20、s3.3、去除所述uv膜與所述待加工件的底面之間的氣泡。

21、作為陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝一種可選的技術(shù)方案，在所述步驟s3.3中，使用刮板去除所述uv膜與所述待加工件的底面之間的氣泡。

22、作為陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝一種可選的技術(shù)方案，所述步驟s6中，對所述uv膜進行解膜處理包括以下步驟：

23、s6.1、使用紫外線照射所述uv膜，使所述uv膜的膠層失去粘性；

24、s6.2、剝離所述uv膜；

25、s6.3、去除余膠。

26、作為陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝一種可選的技術(shù)方案，在所述步驟s6.1中，將所述加工成品放入紫外爐中，以照射所述uv膜。

27、作為陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝一種可選的技術(shù)方案，在所述步驟s6.3、中，使用酒精或清潔劑擦拭去除所述余膠。

28、另一方面，提供一種陪磨圓環(huán)，應(yīng)用于上述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，包括本體，所述本體為的內(nèi)部形狀與所述陶瓷轉(zhuǎn)接板的形狀相同，外部形狀為圓形。

29、作為陪磨圓環(huán)一種可選的技術(shù)方案，所述本體的厚度小于所述陶瓷轉(zhuǎn)接板的厚度。

30、本發(fā)明的有益效果：

31、本申請公開了一種陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝及陪磨圓環(huán)，陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝包括以下步驟：s1、根據(jù)陶瓷轉(zhuǎn)接板尺寸制作陪磨圓環(huán)；s2、將所述陶瓷轉(zhuǎn)接板嵌入所述陪磨圓環(huán)，形成待加工件；s3、在所述待加工件的底面貼uv膜；s4、將所述待加工件放入cmp設(shè)備并進行拋光；s5、取出加工成品；s6、對所述uv膜進行解膜處理并取下所述陶瓷轉(zhuǎn)接板。通過將陶瓷轉(zhuǎn)接板固定于陪磨圓環(huán)，使用uv膜固定陶瓷轉(zhuǎn)接板和陪磨圓環(huán)并放入cmp設(shè)備內(nèi)拋光，避免使用貼蠟工藝固定陶瓷轉(zhuǎn)接板，減小陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝的難度，提高陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝精度；uv膜能夠干凈解膜，避免造成電路污染，損壞電路。

技術(shù)特征：

1.一種陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，其特征在于，所述步驟s1中，制作所述陪磨圓環(huán)包括以下步驟：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，其特征在于，所述步驟s1.2中，所述原料為塑膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，其特征在于，所述步驟s3中，貼uv膜包括以下步驟：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，其特征在于，在所述步驟s3.3中，使用刮板去除所述uv膜與所述待加工件的底面之間的氣泡。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，其特征在于，所述步驟s6中，對所述uv膜進行解膜處理包括以下步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，其特征在于，在所述步驟s6.1中，將所述加工成品放入紫外爐中，以照射所述uv膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，其特征在于，在所述步驟s6.3中，使用酒精或清潔劑擦拭去除所述余膠。

9.一種陪磨圓環(huán)，其特征在于，所述陪磨圓環(huán)應(yīng)用于如權(quán)利要求1-8任一項所述的陶瓷轉(zhuǎn)接板的cmp工藝，所述陪磨圓環(huán)包括本體，所述本體為的內(nèi)部形狀與所述陶瓷轉(zhuǎn)接板的形狀相同，外部形狀為圓形。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陪磨圓環(huán)，其特征在于，所述本體的厚度小于所述陶瓷轉(zhuǎn)接板的厚度。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于陶瓷轉(zhuǎn)接板加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種陶瓷轉(zhuǎn)接板的CMP工藝及陪磨圓環(huán)。陶瓷轉(zhuǎn)接板的CMP工藝包括以下步驟：S1、根據(jù)陶瓷轉(zhuǎn)接板尺寸制作陪磨圓環(huán)；S2、將所述陶瓷轉(zhuǎn)接板嵌入所述陪磨圓環(huán)，形成待加工件；S3、在所述待加工件的底面貼UV膜；S4、將所述待加工件放入CMP設(shè)備并進行拋光；S5、取出加工成品；S6、對所述UV膜進行解膜處理并取下所述陶瓷轉(zhuǎn)接板。通過將陶瓷轉(zhuǎn)接板固定于陪磨圓環(huán)，使用UV膜固定陶瓷轉(zhuǎn)接板和陪磨圓環(huán)并放入CMP設(shè)備內(nèi)拋光，避免使用貼蠟工藝固定陶瓷轉(zhuǎn)接板，減小陶瓷轉(zhuǎn)接板的CMP工藝的難度，提高陶瓷轉(zhuǎn)接板的CMP工藝精度；UV膜能夠干凈解膜，避免造成電路污染，損壞電路。

技術(shù)研發(fā)人員：殷嵐勇,劉逢春,施元軍,徐波
受保護的技術(shù)使用者：蘇州韜盛電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8