本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種鍍膜治具及鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù):
1、在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,需要對(duì)基板執(zhí)行一系列工藝,其中許多工藝會(huì)在基板上施加薄膜或涂層。例如,在oled面板制造過(guò)程中,需要在玻璃基板表面沉積有機(jī)材料薄膜;又如,在芯片制造過(guò)程中,需要在晶圓表面制作涂層。
2、在所有這些制作薄膜或涂層的鍍膜工藝中,為獲得具有特定圖案的薄膜或涂層,通常都需要使用到掩膜板。在制作薄膜或涂層的處理過(guò)程中,需要將待鍍膜的基板裝載在包含有掩膜板的鍍膜治具中。
3、在以往,為了便于取放基板,通常會(huì)將鍍膜治具的用于容納基板的槽制作成尺寸大于其所容納的基板的尺寸,然而,當(dāng)采用現(xiàn)有的這種鍍膜治具對(duì)基板進(jìn)行鍍膜時(shí),容易造成鍍膜產(chǎn)品產(chǎn)生蒸鍍?nèi)毕?,例如,產(chǎn)生陰影缺陷(shadow)或者造成陰影缺陷擴(kuò)大,等等。
4、鑒于現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)改善產(chǎn)品蒸鍍?nèi)毕荩岣弋a(chǎn)品良率的實(shí)際需求,亟待提供一種新的解決方案。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了解決或改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題,本技術(shù)提供一種鍍膜治具和鍍膜設(shè)備,至少可被應(yīng)用于oled面板或芯片制造過(guò)程中,使用該鍍膜治具對(duì)基板施加薄膜或涂層,能夠使掩膜板與基板充分貼合,進(jìn)而提高薄膜或涂層的加工精度。
2、本技術(shù)的第一個(gè)方面提供了一種鍍膜治具,所述鍍膜治具包括:
3、基板載具,其中部為中空區(qū),環(huán)繞中空區(qū)邊緣設(shè)置有多個(gè)托爪,托爪具有延伸到中空區(qū)內(nèi)的承托部,承托部具有支撐面;以及
4、壓緊機(jī)構(gòu),其包括壓件,壓件具有延伸向托爪的支撐面的壓部,
5、多個(gè)壓緊機(jī)構(gòu)環(huán)繞中空區(qū)的邊緣布置,且與托爪一一對(duì)應(yīng);以及
6、彈簧頂針,至少一個(gè)彈簧頂針設(shè)置在基板載具中,且沿著從基板載具邊緣向中空區(qū)的方向延伸至中空區(qū)內(nèi)。
7、前述技術(shù)方案中,托爪用于承托被置于基板載具的中空區(qū)內(nèi)的待蒸鍍加工的基板,環(huán)繞設(shè)置多個(gè)托爪能夠使基板邊緣獲得均勻支撐,不僅有助于提高對(duì)基板支撐的可靠性,還能一定程度減少基板的形變。壓緊機(jī)構(gòu)用于從基板的另一側(cè)壓住基板,并使基板被限制在托爪上,壓緊機(jī)構(gòu)與托爪一一對(duì)應(yīng),壓件的壓部延伸向托爪的支撐面對(duì)受其支撐的基板部位施加壓力,壓部在基板上的施力部位與托爪的位置相對(duì)應(yīng),能夠減少因基板單面受力而造成的基板表面發(fā)生不同程度形變。彈簧頂針用于從基板的邊緣抵住基板,限制基板在基板載具的中空區(qū)內(nèi)的位置,防止基板在中空區(qū)內(nèi)發(fā)生竄動(dòng)。
8、采用本技術(shù)的鍍膜治具對(duì)基板進(jìn)行鍍膜加工,鍍膜治具中配置的托爪、壓緊機(jī)構(gòu)和彈簧頂針三者協(xié)同工作,基板在其中不僅受到托爪和壓緊機(jī)構(gòu)施加在基板厚度方向上限制,還會(huì)受到彈簧頂針對(duì)基板邊緣施加的阻擋,能夠有效抑制基板在基板載具的中空區(qū)內(nèi)的竄動(dòng)。實(shí)踐中,即便工作時(shí)鍍膜治具長(zhǎng)時(shí)間處于運(yùn)動(dòng)狀態(tài)(例如,轉(zhuǎn)動(dòng)狀態(tài)),基板在基板載具的中空區(qū)內(nèi)也不易發(fā)生偏移。因此,采用本技術(shù)的鍍膜治具進(jìn)行鍍膜,能夠減少產(chǎn)品缺陷的發(fā)生,尤其能夠減少陰影缺陷(shadow)的產(chǎn)生和抑制陰影缺陷的擴(kuò)大,大幅度提升產(chǎn)品良率,降低生產(chǎn)成本。
9、進(jìn)一步的,所述壓緊機(jī)構(gòu)還包括第一彈簧和主栓桿,
10、所述壓件具有腔體,腔體從壓件一端沿垂直于所述基板載具的表面方向貫通至壓件另一端,
11、第一彈簧和主栓桿設(shè)置在腔體內(nèi),主栓桿的前端伸出腔體與基板載具的表面接合,第一彈簧套設(shè)在主栓桿的中段,
12、腔體內(nèi)靠近所述壓件另一端處具有支撐底部,主栓桿的后端具有栓頭,第一彈簧限制于腔體的支撐底部和主栓桿的栓頭之間。
13、前述技術(shù)方案中,壓件受設(shè)置在其腔體內(nèi)的第一彈簧和主栓桿限制,可以沿著主栓桿在第一彈簧的伸縮范圍內(nèi)移動(dòng)。執(zhí)行裝基板的操作時(shí),先將壓件提起并使其壓部脫離托爪,此時(shí)第一彈簧受主栓桿的栓頭和腔體內(nèi)的支撐底部的擠壓而收縮并儲(chǔ)蓄彈性勢(shì)能,然后將基板放入基板載具的中空區(qū)內(nèi)并由托爪支撐,完成基板放置后釋放壓件,第一彈簧反彈使壓件復(fù)位,壓件的壓部將基板壓在托爪的支撐面上。執(zhí)行取基板的操作時(shí),按照前述相同方式提起壓件,待將基板成功取出后釋放壓件讓其在第一彈簧的作用下完成復(fù)位。
14、本技術(shù)的鍍膜治具,基于對(duì)其中壓緊機(jī)構(gòu)的前述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),能夠使基板的裝卸操作十分便利,在一定程度上提高了產(chǎn)品鍍膜加工的效率。
15、進(jìn)一步的,所述壓緊機(jī)構(gòu)還包括副栓桿,
16、所述壓件的外壁上具有向外延伸的伸出部,伸出部具有栓桿插孔,栓桿插孔沿垂直于所述基板載具的表面方向延伸并貫通伸出部,
17、副栓桿設(shè)置在栓桿插孔內(nèi),副栓桿的前端與基板載具表面接合。
18、前述技術(shù)方案中,副栓桿用于限制壓件運(yùn)動(dòng)方式,使壓件僅能夠在主、副栓桿的延伸方向上移動(dòng),而不能繞主栓桿發(fā)生偏轉(zhuǎn)。通過(guò)設(shè)置副栓桿,消除了壓件因意外發(fā)生偏轉(zhuǎn)而導(dǎo)致壓部脫離基板情況的發(fā)生。
19、進(jìn)一步的,所述彈簧頂針與所述托爪的支撐面平行且高度一致,以至于彈簧頂針能夠可靠地抵住由托爪的支撐面所支撐的基板的邊緣。
20、進(jìn)一步的,
21、至少包括一個(gè)沿第一方向布置的所述彈簧頂針,以及
22、至少包括一個(gè)沿第二方向布置的所述彈簧頂針,
23、第一方向與第二方向在平面內(nèi)呈一定角度交叉。
24、前述技術(shù)方案中,通過(guò)在任意兩個(gè)交叉方向上分別設(shè)置彈簧頂針,多方位限制基板的運(yùn)動(dòng),能夠進(jìn)一步減少基板在基板載具的中空區(qū)內(nèi)發(fā)生偏移的可能,提高鍍膜產(chǎn)品的良率。
25、進(jìn)一步的,所述彈簧頂針伸入所述中空區(qū)內(nèi)的能夠調(diào)節(jié)。通過(guò)調(diào)節(jié)彈簧頂針伸入基板載具的中空區(qū)內(nèi)的長(zhǎng)度,能夠改變彈簧頂針對(duì)基板的阻擋力度,在適合的阻擋力度下,有助于進(jìn)一步減少基板在基板載具的中空區(qū)內(nèi)發(fā)生偏移的可能,提高鍍膜產(chǎn)品的良率。
26、進(jìn)一步的,所述中空區(qū)的邊緣設(shè)置有多個(gè)缺口,缺口分別布置在中空區(qū)的相對(duì)兩側(cè)。裝卸基板的過(guò)程中,設(shè)置在中空區(qū)邊緣的缺口能夠?yàn)樽トC(jī)械或人手提供了充足的操作空間,使基板的裝卸操作更為便利、安全。
27、進(jìn)一步的,還包括掩膜組件,掩膜組件包括掩膜框架和掩膜板,掩膜框架呈環(huán)形,掩膜板接合在掩膜框架的一側(cè),且覆蓋掩膜框架的環(huán)形區(qū)域,
28、掩膜板的中部為圖案化開(kāi)口區(qū),環(huán)繞圖案化開(kāi)口區(qū)的外圍設(shè)置有多個(gè)讓位孔;
29、掩膜組件接合在所述基板載具的一側(cè),且具有掩膜板的一側(cè)朝向基板載具,掩膜板覆蓋基板載具中部的所述中空區(qū),
30、所述讓位孔與基板載具的所述托爪一一對(duì)應(yīng),
31、托爪從掩膜板一側(cè)穿過(guò)對(duì)應(yīng)的讓位孔延伸至掩膜板的另一側(cè),托爪的所述支撐面與掩膜板的朝向基板載具一側(cè)的表面平齊。
32、前述技術(shù)方案中,通過(guò)在掩膜板相應(yīng)位置設(shè)置讓位孔,避讓開(kāi)基板載具的托爪,使掩膜板能夠不受限制的靠近或貼合由托爪所支撐的基板?;谶@一設(shè)計(jì),有助于獲得理想狀況的掩膜板與基板貼合狀態(tài),提高鍍膜精度。
33、進(jìn)一步的,還包括磁鐵板組件,磁鐵板組件可拆卸連接在所述基板載具的背離所述掩膜組件的一側(cè),且覆蓋基板載具的所述中空區(qū)。
34、本方案在前述設(shè)計(jì)方案的基礎(chǔ)之上進(jìn)一步增設(shè)磁鐵板組件,借助磁鐵板組件對(duì)掩膜板施加磁吸力,能夠使掩膜板的下垂量減少乃至消除,從而充分、平整的貼合在基板表面,達(dá)到理想狀況的掩膜板與基板貼合狀態(tài),鍍膜獲得的膜層精度更高。
35、本技術(shù)的第二個(gè)方面提供了一種鍍膜設(shè)備,所述鍍膜設(shè)備包括前述本技術(shù)的第一方面提供的鍍膜治具。
36、使用本技術(shù)中的鍍膜設(shè)備,其中一個(gè)方面優(yōu)勢(shì)在于,有助于減少或消除基板在鍍膜治具中的不可控偏移,繼而減少或消除由該不可控偏移所造成的陰影缺陷(shadow)產(chǎn)生或擴(kuò)大等產(chǎn)品缺陷;第二方面的優(yōu)勢(shì)在于,掩膜的下垂量得以減小乃至消除,能夠保證基板與掩膜板均勻貼合、精確對(duì)位,一定程度上提升了鍍膜精度。
37、此外,本技術(shù)的其他附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或者通過(guò)本技術(shù)的實(shí)踐了解到。