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一種硅單晶爐分體式腔體的制作方法

文檔序號:41845064發(fā)布日期:2025-05-09 18:03閱讀:2來源:國知局
一種硅單晶爐分體式腔體的制作方法

本技術(shù)涉及晶體生產(chǎn),尤其涉及一種硅單晶爐分體式腔體。


背景技術(shù):

1、世界能源危機(jī)促進(jìn)了光伏市場的發(fā)展,晶體硅太陽能電池是光伏行業(yè)的主導(dǎo)產(chǎn)品,硅單晶爐就是生產(chǎn)太陽能電池所需的單晶硅的裝置,它是由底盤、下爐室、上爐室、爐蓋、翻板箱、儲晶室六大部分組成。隨著市場發(fā)展,晶體硅太陽能電池市場競爭激烈,如何提高單晶爐的質(zhì)量和生產(chǎn)效率受到廣泛的重視。

2、目前,為保證晶體的質(zhì)量,每燒五爐,硅單晶爐就需要拆爐大清理一次。但是,在清理完成后就需要對硅單晶爐進(jìn)行組裝,由于硅單晶爐在組裝時要保持上下所有的爐腔體單元同軸,所以對爐腔體單元之間的對準(zhǔn)和連接結(jié)構(gòu)要求極高,因此,就必須研制出一種可以在安裝時高度同軸的單晶爐分體式腔體,經(jīng)檢索,未發(fā)現(xiàn)與本實用新型相同的技術(shù)方案。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種可以在安裝時高度同軸的單晶爐分體式腔體,解決上述現(xiàn)有技術(shù)問題中的一個或者多個。

2、為解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用的一個技術(shù)方案是:一種硅單晶爐分體式腔體,其創(chuàng)新點在于:包括至少兩個爐腔體單元和爐蓋,上下相鄰的所述爐腔體單元之間設(shè)有腔體定位結(jié)構(gòu);

3、所述腔體定位結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在爐腔體單元上沿的第一定位環(huán)以及設(shè)置在爐腔體單元下沿的第二定位環(huán);

4、所述第二定位環(huán)可嵌套在第一定位環(huán)的外側(cè)壁上。

5、在一些實施方式中,第一定位環(huán)位于爐腔體單元的外側(cè)壁上且第一定位環(huán)的上沿與爐腔體單元的頂部上沿齊平,所述第一定位環(huán)的外側(cè)呈階梯狀。

6、在一些實施方式中,第一定位環(huán)的外側(cè)壁由第一光平面、第一斜坡面和第二光平面組成,所述第一斜坡面的上下端分別銜接第一光平面和第二光平面;所述第一光平面與第一定位環(huán)的中軸線的距離為r,所述第二光平面與第一定位轉(zhuǎn)的中軸線的距離為r,所述第二定位環(huán)的內(nèi)壁的半徑r,,所述r,的數(shù)值位于r和r之間。

7、在一些實施方式中,第二定位環(huán)的內(nèi)壁呈斜坡狀,所述第二定位環(huán)的內(nèi)壁的傾斜角度與第二光平面的傾斜角度一致,所述第二定位環(huán)的內(nèi)壁的坡面寬度小于第二光平面的寬度。

8、本實用新型的有益效果是:本技術(shù)方案的第一定位環(huán)和第二定位環(huán)在組裝時會自動校準(zhǔn)使得爐腔體單元的中軸線與設(shè)計的中軸線重合,保障了組裝時能夠快速定位和安裝,本技術(shù)方案結(jié)構(gòu)簡單,降低了維護(hù)成本。



技術(shù)特征:

1.一種硅單晶爐分體式腔體,其特征在于:包括至少兩個爐腔體單元和爐蓋,上下相鄰的所述爐腔體單元之間設(shè)有腔體定位結(jié)構(gòu);

2.根據(jù)權(quán)利要求1?所述的一種硅單晶爐分體式腔體,其特征在于:所述第一定位環(huán)(100)位于爐腔體單元的外側(cè)壁上且第一定位環(huán)(100)的上沿與爐腔體單元的頂部上沿齊平,所述第一定位環(huán)(100)的外側(cè)呈階梯狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1?所述的一種硅單晶爐分體式腔體,其特征在于:所述第一定位環(huán)(100)的外側(cè)壁由第一光平面(101)、第一斜坡面(102)和第二光平面組成(103),所述第一斜坡面(102)的上下端分別銜接第一光平面(101)和第二光平面;所述第一光平面(101)與第一定位環(huán)(100)的中軸線的距離為r,所述第二光平面與第一定位轉(zhuǎn)的中軸線的距離為r,所述第二定位環(huán)(200)的內(nèi)壁的半徑r,,所述r的數(shù)值位于r和r,之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1?所述的一種硅單晶爐分體式腔體,其特征在于:所述第二定位環(huán)(200)的內(nèi)壁呈斜坡狀,所述第二定位環(huán)(200)的內(nèi)壁的傾斜角度與第二光平面的傾斜角度一致,所述第二定位環(huán)(200)的內(nèi)壁的坡面寬度小于第二光平面的寬度。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開一種硅單晶爐分體式腔體,包括至少兩個爐腔體單元和爐蓋,上下相鄰的爐腔體單元之間設(shè)有腔體定位結(jié)構(gòu);腔體定位結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在爐腔體單元上沿的第一定位環(huán)以及設(shè)置在爐腔體單元下沿的第二定位環(huán);第二定位環(huán)可嵌套在第一定位環(huán)的外側(cè)壁上。本技術(shù)的有益效果是:本技術(shù)方案的第一定位環(huán)和第二定位環(huán)在組裝時會自動校準(zhǔn)使得爐腔體單元的中軸線與設(shè)計的中軸線重合,保障了組裝時能夠快速定位和安裝,本技術(shù)方案結(jié)構(gòu)簡單,降低了維護(hù)成本。

技術(shù)研發(fā)人員:蔡磊,袁森峰,仝省博,張新峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者:江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240415
技術(shù)公布日:2025/5/8
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