一種全新的led晶粒檢測(cè)技術(shù)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明為一種檢測(cè)方法，具體涉及一種全新的LED晶粒檢測(cè)技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)階段使用的LED芯片測(cè)試機(jī)臺(tái)在測(cè)試芯片的過(guò)程中，是先對(duì)芯片的抗靜電能力進(jìn)行測(cè)試，接著再量測(cè)芯片的各種電性，最終把芯片的所有測(cè)量數(shù)據(jù)記錄下來(lái)；如果芯片的抗靜電能力不夠，就放棄量測(cè)芯片的電性。這種方法的缺點(diǎn)是單顆芯片的測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)，效率低。如果要滿足大批量生產(chǎn)的話，人員與機(jī)臺(tái)需求量大，造成的機(jī)臺(tái)成本與人員成本極高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，旨在提供一種生產(chǎn)成本低，且可大大縮短芯片測(cè)量時(shí)間的晶粒檢測(cè)技術(shù)。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種全新的LED晶粒檢測(cè)技術(shù)，在機(jī)臺(tái)上加裝一根性能測(cè)試探針，首先使用ESD單元探針對(duì)芯片的抗靜電能力進(jìn)行測(cè)量，ESD單元為靜電釋放單元，將抗靜電性能測(cè)量后的芯片移動(dòng)，在芯片移動(dòng)的過(guò)程中，通過(guò)伺服驅(qū)動(dòng)器控制芯片的移動(dòng)，將芯片置于SMU單元探針的正下方，SMU單元為源測(cè)量單元，保證SMU單元探針的檢測(cè)位置與ESD單元探針的檢測(cè)位置相同，并對(duì)芯片的電性進(jìn)行測(cè)量和記錄，在SMU單元探針對(duì)芯片的電性進(jìn)行測(cè)量時(shí)，同時(shí)對(duì)同一顆芯片的所有數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合記錄。縮短了芯片的測(cè)量時(shí)間，能夠大幅度降低生產(chǎn)成本。兩次測(cè)量的位置均位于芯片的同一位置，不會(huì)對(duì)芯片的外觀造成額外的損害。
[0005]其中，伺服驅(qū)動(dòng)器通過(guò)智能系統(tǒng)自動(dòng)控制，既能保證運(yùn)行的穩(wěn)定性，又能保證芯片測(cè)量的準(zhǔn)確度和精度。
[0006]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果:本發(fā)明的兩次量測(cè)可以保證探針接觸芯片是在同一位置，不會(huì)對(duì)芯片的外觀造成額外的損害，同時(shí)縮短了芯片的量測(cè)時(shí)間，因此能大幅度降低生產(chǎn)成本。另外，本發(fā)明的測(cè)量方法加快了芯片的光電性測(cè)量速度，提高了生產(chǎn)效率與合格率，降低機(jī)臺(tái)成本與人力成本，可實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)作業(yè)。
【具體實(shí)施方式】
[0007]先對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行進(jìn)一步闡述。
[0008]一種全新的LED晶粒檢測(cè)技術(shù)，在機(jī)臺(tái)上加裝一根性能測(cè)試探針，首先使用ESD單元探針對(duì)芯片的抗靜電能力進(jìn)行測(cè)量，ESD單元為靜電釋放單元，將抗靜電性能測(cè)量后的芯片移動(dòng)，在芯片移動(dòng)的過(guò)程中，通過(guò)伺服驅(qū)動(dòng)器控制芯片的移動(dòng)，將芯片置于SMU單元探針的正下方，SMU單元為源測(cè)量單元，保證SMU單元探針的檢測(cè)位置與ESD單元探針的檢測(cè)位置相同，并對(duì)芯片的電性進(jìn)行測(cè)量和記錄，在SMU單元探針對(duì)芯片的電性進(jìn)行測(cè)量時(shí)，同時(shí)對(duì)同一顆芯片的所有數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合記錄?？s短了芯片的測(cè)量時(shí)間，能夠大幅度降低生產(chǎn)成本。兩次測(cè)量的位置均位于芯片的同一位置，不會(huì)對(duì)芯片的外觀造成額外的損害。
[0009]其中，伺服驅(qū)動(dòng)器通過(guò)智能系統(tǒng)自動(dòng)控制，既能保證運(yùn)行的穩(wěn)定性，又能保證芯片測(cè)量的準(zhǔn)確度和精度。
[0010]以下結(jié)合以硅(Si)基砷化鉀晶圓2寸，晶粒為12X 12mil的LED芯片測(cè)試為例，在晶圓上大約有28000顆芯片需要進(jìn)行光電性測(cè)試，傳統(tǒng)的測(cè)試方法測(cè)試完畢需要125分鐘；而我們使用這種新的測(cè)試方法，只需要100分鐘就能完成測(cè)試，可以節(jié)約25分鐘，提高了產(chǎn)能，節(jié)省了成本。
[0011]本發(fā)明可用其他的不違背本發(fā)明的精神或主要特征的具體形式來(lái)概述。因此，無(wú)論從那一點(diǎn)來(lái)看，本發(fā)明的上述實(shí)施方案都只能認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明而不能限制發(fā)明，權(quán)利要求書指出了本發(fā)明的范圍，而上述的說(shuō)明并未指出本發(fā)明的范圍，因此，在與本發(fā)明的權(quán)利要求書相當(dāng)?shù)暮x和范圍內(nèi)的任何變化，都應(yīng)認(rèn)為是包括在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種全新的LED晶粒檢測(cè)技術(shù)，其特征在于，在機(jī)臺(tái)上加裝一根性能測(cè)試探針，首先使用ESD單元探針對(duì)芯片的抗靜電能力進(jìn)行測(cè)量，將抗靜電性能測(cè)量后的芯片移動(dòng)，在芯片移動(dòng)的過(guò)程中，通過(guò)伺服驅(qū)動(dòng)器控制芯片的移動(dòng)，將芯片置于SMU單元探針的正下方，保證SMU單元探針的檢測(cè)位置與ESD單元探針的檢測(cè)位置相同，并對(duì)芯片的電性進(jìn)行測(cè)量和記錄，在SMU單元探針對(duì)芯片的電性進(jìn)行測(cè)量時(shí)，同時(shí)對(duì)同一顆芯片的所有數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合記錄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全新的LED晶粒檢測(cè)技術(shù)，其特征在于，所述伺服驅(qū)動(dòng)器通過(guò)智能系統(tǒng)自動(dòng)控制。
【專利摘要】本發(fā)明為一種檢測(cè)方法，旨在提供一種生產(chǎn)成本低，且可大大縮短芯片測(cè)量時(shí)間的晶粒檢測(cè)技術(shù)；一種全新的LED晶粒檢測(cè)技術(shù)，在機(jī)臺(tái)上加裝一根性能測(cè)試探針，首先使用ESD單元探針對(duì)芯片的抗靜電能力進(jìn)行測(cè)量，將抗靜電性能測(cè)量后的芯片移動(dòng)，在芯片移動(dòng)的過(guò)程中，通過(guò)伺服驅(qū)動(dòng)器控制芯片的移動(dòng)，將芯片置于SMU單元探針的正下方，保證SMU單元探針的檢測(cè)位置與ESD單元探針的檢測(cè)位置相同，并對(duì)芯片的電性進(jìn)行測(cè)量和記錄，在SMU單元探針對(duì)芯片的電性進(jìn)行測(cè)量時(shí)，同時(shí)對(duì)同一顆芯片的所有數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合記錄，縮短了芯片的測(cè)量時(shí)間，能夠大幅度降低生產(chǎn)成本，兩次測(cè)量的位置均位于芯片的同一位置，不會(huì)對(duì)芯片的外觀造成額外的損害。
【IPC分類】G01R31-26
【公開號(hào)】CN104808129
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510147638
【發(fā)明人】肖鵬春
【申請(qǐng)人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2015年3月31日