背景技術(shù)：

1、在一些半導(dǎo)體處理操作期間，材料被沉積于定位在處理室中的半導(dǎo)體襯底上以及從其移除。這些材料以及其他不期望的顆粒和污染物會(huì)沉積在處理室的內(nèi)表面和特征(features)上，包括在室壁和氣體分配設(shè)備，例如噴頭。為了在處理室中處理晶片之后維持高產(chǎn)出率、低污染、低顆粒和充分運(yùn)行的設(shè)施，應(yīng)從處理室的內(nèi)部特征將累積的不期望的材料清除。

2、在此包含的背景及上下文的描述僅針對(duì)整體呈現(xiàn)公開內(nèi)容的上下文的目的而提供。本公開內(nèi)容的許多呈現(xiàn)發(fā)明人的成果，且單純由于如此成果在背景技術(shù)部分中描述或在本文其他位置呈現(xiàn)為上下文并不表示將認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本說(shuō)明書中描述的主題的一個(gè)或多個(gè)實(shí)現(xiàn)方案的細(xì)節(jié)在附圖和下面的說(shuō)明中闡述。其他特征、方面、以及優(yōu)點(diǎn)將根據(jù)說(shuō)明書、附圖、以及權(quán)利要求變得顯而易見。以下非限制性實(shí)現(xiàn)方案被認(rèn)為是該公開內(nèi)容的一部分；其他實(shí)現(xiàn)方案將根據(jù)本公開內(nèi)容以及附圖整體而變得顯而易見。

2、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，提供了清潔多站處理室的方法。多站處理室可包括室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)處理站；位于所述室內(nèi)部的中心區(qū)的中樞器，其被配置成圍繞中心軸線旋轉(zhuǎn)、且具有在所述中樞器的頂表面中的多個(gè)通道；以及清潔化學(xué)物質(zhì)入口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)從遠(yuǎn)程源引導(dǎo)至所述室內(nèi)部并至所述中樞器的所述頂表面上。所述方法可以包括：在所述中樞器處于相對(duì)于所述中心軸線的第一角位置時(shí)，使所述清潔化學(xué)物質(zhì)從所述遠(yuǎn)程源流過(guò)所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)所述中樞器的所述頂表面上，因而使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述多個(gè)通道中的至少一些通道并進(jìn)入所述室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)第一區(qū)域，其中所述至少一些通道中的每一通道將所述清潔化學(xué)物質(zhì)流引導(dǎo)至一個(gè)對(duì)應(yīng)第一區(qū)域中。所述方法還可以包括：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器上之后，以第一角度將所述中樞器旋轉(zhuǎn)至相對(duì)于所述中心軸線的第二角位置；以及在所述中樞器處于所述第二角位置時(shí)，再使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)所述中樞器的所述頂表面上，因而使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述多個(gè)通道中的至少一些通道并進(jìn)入所述室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)第二區(qū)域，其中所述至少一些通道中的每一通道將所述等離子體流引導(dǎo)至一個(gè)對(duì)應(yīng)第二區(qū)域中。

3、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述方法還可以包括：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器的所述頂表面上之前，將所述中樞器定位于相對(duì)于所述中心軸線的所述第一角位置。

4、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述方法還可以包括：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器的所述頂表面上之后且于所述旋轉(zhuǎn)之前，停止使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流至所述中樞器上。

5、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述方法還可以包括：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器的所述頂表面上之后且于所述旋轉(zhuǎn)之前，沿所述中心軸線升高所述中樞器，使得所述中樞器與所述多站處理室的頂部之間的第一豎直偏移減小至小于所述第一豎直偏移的第二豎直偏移，在所述中樞器處于所述第二豎直偏移時(shí)旋轉(zhuǎn)所述中樞器，以及于所述旋轉(zhuǎn)之后，沿所述中心軸線將所述中樞器從所述第二豎直偏移下降至所述第一豎直偏移。

6、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，每一處理站可以包括襯底支撐結(jié)構(gòu)，所述方法還可以包括于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器的所述頂表面上之后且于所述旋轉(zhuǎn)之前，升高每一襯底支撐結(jié)構(gòu)，使得每一襯底支撐結(jié)構(gòu)與所述多站處理室的所述頂部之間的第三豎直偏移減小至小于所述第三豎直偏移的第四豎直偏移，在所述中樞器處于所述第二豎直偏移時(shí)且在每一襯底支撐件處于所述第四豎直偏移時(shí)，旋轉(zhuǎn)所述中樞器，以及于所述旋轉(zhuǎn)之后，將每一襯底支撐結(jié)構(gòu)從所述第四豎直偏移下降至所述第三豎直偏移。

7、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述方法還可以包括：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第二角位置時(shí)流至所述中樞器的所述頂表面上之后，以第二角度將所述中樞器旋轉(zhuǎn)至相對(duì)于所述中心軸線的第三角位置；以及在所述中樞器處于所述第三角位置時(shí)，使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)所述中樞器的所述頂表面上，因而使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述多個(gè)通道中的至少一些通道并進(jìn)入所述室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)第三區(qū)域，其中每一通道將所述清潔化學(xué)物質(zhì)流引導(dǎo)至一個(gè)對(duì)應(yīng)第三區(qū)域中。

8、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，每一第一區(qū)域可以包括所述多站處理室的對(duì)應(yīng)側(cè)壁的一部分。

9、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述第一角度可以為大于0度且小于90度的非零角度。

10、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述第一角度可以為大于0度且小于或等于約45度、或大于約60度且小于約90度的非零角度。

11、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述方法還可以包括：在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)的所述流動(dòng)與所述中樞器處于所述第二角位置時(shí)的所述流動(dòng)兩者期間，通過(guò)使傳熱流體流入所述中樞器內(nèi)的一或更多個(gè)內(nèi)腔并使所述中樞器與所述多站處理室的傳熱部分熱接觸來(lái)主動(dòng)冷卻所述中樞器。

12、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述多個(gè)通道可以包括第一組通道和第二組通道，所述第一組通道中的所述通道可以在圍繞所述中心軸線的第一圓形陣列中，所述第二組通道中的所述通道可以在圍繞所述中心軸線的第二圓形陣列中，所述第一組通道中的所述通道可以各自在與所述中心軸線重合且平行的對(duì)應(yīng)平面中具有第一橫截面輪廓，所述第二組通道中的所述通道可以各自在與所述中心軸線重合且平行的對(duì)應(yīng)平面中具有第二橫截面輪廓，所述第一橫截面輪廓可以不同于所述第二橫截面輪廓，所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口可以具有多個(gè)流動(dòng)出口，其被配置成沿著多個(gè)流動(dòng)路徑引導(dǎo)所述清潔化學(xué)物質(zhì)，所述多個(gè)流動(dòng)路徑各自至少部分地與平行于所述中心軸線的軸線成斜角，所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口的所述流動(dòng)出口可以在所述第一角位置中對(duì)準(zhǔn)所述第一組通道中的所述通道，以及所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口的所述流動(dòng)出口可以在所述第二角位置中對(duì)準(zhǔn)所述第二組通道中的所述通道。

13、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述中樞器可以為具有多個(gè)轉(zhuǎn)位器臂的轉(zhuǎn)位器的一部分，每一轉(zhuǎn)位器臂從所述中樞器向外延伸，所述第一組通道中的所述通道可以在方位角上對(duì)準(zhǔn)所述轉(zhuǎn)位器臂，以及所述第二組通道中的所述通道可以在方位角上對(duì)準(zhǔn)所述轉(zhuǎn)位器臂之間的扇區(qū)。

14、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述第一橫截面輪廓可以被配置成，將從所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口流出的所述清潔化學(xué)物質(zhì)沿具有相對(duì)于所述中心軸線的徑向朝外分量以及平行于所述中心軸線并定向?yàn)槌蛩銮鍧嵒瘜W(xué)物質(zhì)入口的分量的方向引導(dǎo)。

15、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述第二橫截面輪廓被配置成將從所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口流出的所述清潔化學(xué)物質(zhì)沿具有相對(duì)于所述中心軸線的徑向朝外分量且任選地具有平行于所述中心軸線并定向?yàn)檫h(yuǎn)離所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口的分量的方向引導(dǎo)。

16、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，提供了一種用于半導(dǎo)體處理的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：多站處理室，其包括：至少部分地定義出室內(nèi)部的多個(gè)側(cè)壁和頂部，所述室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)處理站，其各自包括被配置成支撐襯底的襯底支撐結(jié)構(gòu)，中樞器，在所述中樞器的頂表面中具有多個(gè)通道，所述中樞器位于所述室內(nèi)部的中心區(qū)，中樞器定位機(jī)構(gòu)，其被配置成圍繞中心軸線旋轉(zhuǎn)所述中樞器；以及清潔化學(xué)物質(zhì)入口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)流引導(dǎo)至所述室內(nèi)部中并到達(dá)所述中樞器的所述頂表面上；遠(yuǎn)程清潔化學(xué)物質(zhì)源，其流體連接至所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并被配置成使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流至所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口；以及控制器，其具有至少一個(gè)處理器和至少一個(gè)存儲(chǔ)器，其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存指令，所述指令在被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)使所述至少一個(gè)處理器：在所述中樞器處于相對(duì)于所述中心軸線的第一角位置時(shí)，使所述清潔化學(xué)物質(zhì)從所述遠(yuǎn)程清潔化學(xué)物質(zhì)源流過(guò)所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并流至所述中樞器的所述頂表面上，因而使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)多個(gè)通道中的至少一些通道并進(jìn)入所述室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)第一區(qū)域，其中所述至少一些通道中的每一通道將所述清潔化學(xué)物質(zhì)流引導(dǎo)至一個(gè)對(duì)應(yīng)第一區(qū)域中；于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器上之后，使所述中樞器定位機(jī)構(gòu)以第一角度將所述中樞器旋轉(zhuǎn)至相對(duì)于所述中心軸線的第二角位置；以及在所述中樞器處于所述第二角位置時(shí)，使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)所述中樞器的所述頂表面上，因而使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述多個(gè)通道中的至少一些通道并進(jìn)入所述室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)第二區(qū)域，其中所述至少一些通道中的每一通道將所述清潔化學(xué)物質(zhì)流引導(dǎo)至一個(gè)對(duì)應(yīng)第二區(qū)域中。

17、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述一或更多個(gè)存儲(chǔ)器還可以儲(chǔ)存指令，所述指令在被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)進(jìn)一步使所述至少一個(gè)處理器：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器的所述頂表面上之前，使所述中樞器定位機(jī)構(gòu)將所述中樞器定位在相對(duì)于所述中心軸線的所述第一角位置。

18、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述一或更多個(gè)存儲(chǔ)器還可以儲(chǔ)存指令，所述指令當(dāng)被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)使所述至少一個(gè)處理器：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器的所述頂表面上之后且于所述旋轉(zhuǎn)之前，停止使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流流至所述中樞器上。

19、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述中樞器定位機(jī)構(gòu)還可以被配置成沿著所述中心軸線升高并降低所述中樞器，以及所述一或更多個(gè)存儲(chǔ)器可以進(jìn)一步儲(chǔ)存指令，所述指令當(dāng)被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)使所述至少一個(gè)處理器：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器的所述頂表面上之后且于所述中樞器旋轉(zhuǎn)之前，使所述中樞器定位機(jī)構(gòu)沿所述中心軸線升高所述中樞器，使得所述中樞器與所述多站處理室的所述頂部之間的第一豎直偏移減小至小于所述第一豎直偏移的第二豎直偏移，且在所述中樞器處于所述第二豎直偏移時(shí)所述中樞器從所述第一角位置旋轉(zhuǎn)至所述第二角位置，以及所述一或更多個(gè)存儲(chǔ)器進(jìn)一步儲(chǔ)存指令，所述指令當(dāng)被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)使所述至少一個(gè)處理器：于所述中樞器旋轉(zhuǎn)之后，使所述中樞器定位機(jī)構(gòu)沿所述中心軸線將所述中樞器從所述第二豎直偏移下降至所述第一豎直偏移。

20、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，每一襯底支撐結(jié)構(gòu)可以被配置成沿著延伸穿過(guò)每一襯底支撐結(jié)構(gòu)的相應(yīng)中心軸線被升高和降低，所述一或更多個(gè)存儲(chǔ)器可以進(jìn)一步儲(chǔ)存指令，所述指令被配置成：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第一角位置時(shí)流至所述中樞器上之后且于所述中樞器旋轉(zhuǎn)之前，使每一襯底支撐結(jié)構(gòu)沿每一相應(yīng)中心軸線向上移動(dòng)，使得每一襯底支撐結(jié)構(gòu)與所述多站處理室的所述頂部之間的第三豎直偏移減小至小于所述第三豎直偏移的第四豎直偏移，在所述中樞器處于所述第二豎直偏移時(shí)且在每一襯底支撐件處于所述第四豎直偏移時(shí)，所述中樞器從所述第一角位置旋轉(zhuǎn)至所述第二角位置，以及所述一或更多個(gè)存儲(chǔ)器可以進(jìn)一步儲(chǔ)存指令，所述指令在被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)使所述至少一個(gè)處理器：于所述中樞器旋轉(zhuǎn)之后，使每一襯底支撐結(jié)構(gòu)從所述第四豎直偏移向下移動(dòng)至所述第三豎直偏移。

21、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述一或更多個(gè)存儲(chǔ)器可以進(jìn)一步儲(chǔ)存指令，所述指令在被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)使所述至少一個(gè)處理器：于所述清潔化學(xué)物質(zhì)在所述中樞器處于所述第二角位置時(shí)流至所述中樞器上之后，使所述中樞器定位機(jī)構(gòu)以第二角度將所述中樞器旋轉(zhuǎn)至相對(duì)于所述中心軸線的第三角位置；以及在所述中樞器處于所述第三角位置時(shí)，使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)所述中樞器上，因而使所述清潔化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述多個(gè)通道中的所述至少一些通道并進(jìn)入所述室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)第三區(qū)域，其中所述多個(gè)通道中的所述至少一些通道中的每一通道將所述清潔化學(xué)物質(zhì)流引導(dǎo)至一個(gè)對(duì)應(yīng)第三區(qū)域中。

22、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述中樞器可以包括四個(gè)通道。

23、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述中樞器可以包括八個(gè)通道。

24、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述多個(gè)通道可以包括第一組通道和第二組通道，所述第一組通道中的所述通道可以在圍繞所述中心軸線的第一圓形陣列中，所述第二組通道中的所述通道可以在圍繞所述中心軸線的第二圓形陣列中，所述第一組通道中的所述通道可以各自在與所述中心軸線重合且平行的對(duì)應(yīng)平面中具有第一橫截面輪廓，所述第二組通道中的所述通道可以各自在與所述中心軸線重合且平行的對(duì)應(yīng)平面中具有第二橫截面輪廓，所述第一橫截面輪廓可以不同于所述第二橫截面輪廓，所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口具有多個(gè)流動(dòng)出口，其被配置成沿著多個(gè)流動(dòng)路徑引導(dǎo)所述清潔化學(xué)物質(zhì)，所述多個(gè)流動(dòng)路徑各自至少部分地與平行于所述中心軸線的軸線成斜角，所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口的所述流動(dòng)出口可以在所述第一角位置中對(duì)準(zhǔn)所述第一組通道中的所述通道，以及所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口的所述流動(dòng)出口可以在所述第二角位置中對(duì)準(zhǔn)所述第二組通道中的所述通道。

25、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述中樞器可以是具有多個(gè)轉(zhuǎn)位器臂的轉(zhuǎn)位器的一部分，每一轉(zhuǎn)位器臂從所述中樞器向外延伸，所述第一組通道中的所述通道可以在方位角上對(duì)準(zhǔn)所述轉(zhuǎn)位器臂，以及所述第二組通道中的所述通道可以在方位角上對(duì)準(zhǔn)所述轉(zhuǎn)位器臂之間的扇區(qū)。

26、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述第一橫截面輪廓可以被配置成，將從所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口流出的所述清潔化學(xué)物質(zhì)沿具有相對(duì)于所述中心軸線的徑向朝外分量以及平行于所述中心軸線并定向?yàn)槌蛩銮鍧嵒瘜W(xué)物質(zhì)入口的分量的方向引導(dǎo)。

27、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，所述第二橫截面輪廓可以被配置成將從所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口流出的所述清潔化學(xué)物質(zhì)沿具有相對(duì)于所述中心軸線的徑向朝外分量且任選地具有平行于所述中心軸線并定向?yàn)檫h(yuǎn)離所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口的分量的方向引導(dǎo)。

28、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，可以提供一多站處理室，其包括：至少部分地定義出室內(nèi)部的多個(gè)側(cè)壁和頂部；室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)處理站，其中每一處理站包括被配置成支撐襯底的襯底支撐結(jié)構(gòu)；以及襯底移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其位于室內(nèi)部的中心區(qū)中并包括：圍繞中心軸線布置的多個(gè)臂，以及中樞器，其設(shè)置在多個(gè)臂上方并具有多個(gè)通道布置成圍繞中心軸線的徑向圖案(pattern)的頂表面，其中：每一通道沿一路徑延伸，該路徑在徑向方向上從中樞器的中心區(qū)域延伸至中樞器的邊緣，每一通道具有垂直于對(duì)應(yīng)路徑的橫截面積，且至少一個(gè)通道的橫截面積不同于另一通道的橫截面積和/或沿該路徑變化。

29、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，該至少一個(gè)通道可以具有第一寬度的橫截面積，該第一寬度為沿該通道的路徑呈基本上恒定的寬度，且至少一其他通道可以具有第二寬度的橫截面積，第二寬度小于第一寬度并沿該通道的路徑呈基本上恒定。

30、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，該多個(gè)通道中的兩個(gè)通道可以各自具有第一寬度的橫截面積，且該多個(gè)通道中的另兩個(gè)通道可以各自具有第二寬度的橫截面積。

31、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，該至少一個(gè)通道可以具有變化的橫截面積，使得橫截面積具有：沿該至少一個(gè)通道的路徑距中心軸線第一距離處的第一高度，以及沿該至少一個(gè)通道的路徑距中心軸線第二距離(大于第一距離)處的第二高度(小于第一高度)。

32、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，該至少一個(gè)通道可以包括橫跨于該至少一個(gè)通道的底表面與該至少一個(gè)通道的外邊緣之間的正面，且該正面可以是基本上平坦的表面。

33、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，該至少一個(gè)通道可以包括橫跨于該至少一個(gè)通道的底表面與該至少一個(gè)通道的外邊緣之間的正面，且該正面可以是非平坦表面。

34、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，該多個(gè)通道中的全部通道均可以具有變化的橫截面積，使得每一通道的橫截面積具有：沿該對(duì)應(yīng)通道的路徑距中心軸線第一距離處的第一高度，以及沿該對(duì)應(yīng)通道的路徑距中心軸線第二距離(大于第一距離)處的第二高度(小于第一高度)。

35、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，第二通道可以具有變化的橫截面積，使得第二通道的橫截面積沿第二通道的路徑距中心軸線第一距離處具有第一高度，以及沿第二通道的路徑距中心軸線第二距離(大于第一距離)處具有第二高度(小于第一高度)，且兩個(gè)其他通道可以各自具有沿每一通道的對(duì)應(yīng)路徑保持基本上恒定的橫截面積。

36、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，該至少一個(gè)通道可以具有變化的橫截面積，使得橫截面積具有：沿該至少一個(gè)通道的路徑距中心軸線第一距離處的第一寬度，以及沿該至少一個(gè)通道的路徑距中心軸線第二距離(大于第一距離)處的第二寬度(大于第一寬度)。

37、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，該多個(gè)通道中的全部通道可以具有變化的橫截面積，使得每一通道的橫截面積具有：沿對(duì)應(yīng)通道的路徑距中心軸線第一距離處的第一寬度，以及沿對(duì)應(yīng)通道的路徑距中心軸線第二距離(大于第一距離)處的第二寬度(大于第一寬度)。

38、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，第二通道可以具有變化的橫截面積，使得第二通道的橫截面積具有：沿第二通道的路徑距中心軸線第一距離處具有第一寬度，以及沿第二通道的路徑距中心軸線第二距離(大于第一距離)處具有第二寬度(大于第一寬度)，且兩個(gè)其他通道可以各自具有沿每一通道的對(duì)應(yīng)路徑保持基本上恒定的橫截面積。

39、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，提供了一種清潔多站處理室的方法。多站處理室具有：室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)處理站；中樞器，其位于室內(nèi)部的中心區(qū)(中樞器被配置成可沿著中樞器的豎直中心軸線相對(duì)于室移動(dòng)、且具有于中樞器頂表面的第一徑向區(qū)域中的第一組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征和于中樞器頂表面的第二徑向區(qū)域(與第一徑向區(qū)域同心)中的第二組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征)；以及清潔化學(xué)物質(zhì)入口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)從遠(yuǎn)程源引導(dǎo)至室內(nèi)部并到達(dá)中樞器頂表面上。第一徑向區(qū)域與第二徑向區(qū)域中的一者可以被第一徑向區(qū)域與第二徑向區(qū)域中的另一者環(huán)繞，第一組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征中的流動(dòng)重新導(dǎo)向特征各自在與豎直中心軸線重合且平行的對(duì)應(yīng)平面中具有第一橫截面輪廓，第二組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征中的流動(dòng)重新導(dǎo)向特征各自在與豎直中心軸線重合且平行的對(duì)應(yīng)平面中具有第二橫截面輪廓。該方法可以包括：在中樞器處于相對(duì)于清潔化學(xué)物質(zhì)入口的第一高度位置時(shí)，使清潔化學(xué)物質(zhì)從遠(yuǎn)程源流過(guò)清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)中樞器頂表面上，因而使清潔化學(xué)物質(zhì)沖擊第一組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征中的流動(dòng)重新導(dǎo)向特征并被沿著第一向外方向引導(dǎo)；將中樞器從第一高度位置移動(dòng)至第二高度位置；以及在中樞器處于相對(duì)于清潔化學(xué)物質(zhì)入口的第二高度位置時(shí)，使清潔化學(xué)物質(zhì)從遠(yuǎn)程源流過(guò)清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)中樞器頂表面上，因而使清潔化學(xué)物質(zhì)沖擊第二組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征中的流動(dòng)重新導(dǎo)向特征并被沿著第二向外方向引導(dǎo)，其中第一向外方向與第二向外方向不同。

40、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，清潔化學(xué)物質(zhì)入口可以具有多個(gè)流動(dòng)出口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)沿著該多個(gè)流動(dòng)路徑引導(dǎo)，該多個(gè)流動(dòng)路徑各自至少部分地與平行于豎直中心軸線的軸線成斜角。

41、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，清潔化學(xué)物質(zhì)入口可以具有單個(gè)流動(dòng)出口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)沿著豎直中心軸線引導(dǎo)。

42、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，第一橫截面輪廓可以被配置成在具有相對(duì)于豎直中心軸線的徑向朝外分量以及平行于豎直中心軸線并定向?yàn)槌蛟撉鍧嵒瘜W(xué)物質(zhì)入口的分量的方向上，將流自清潔化學(xué)物質(zhì)入口的清潔化學(xué)物質(zhì)加以引導(dǎo)。

43、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，第二橫截面輪廓可以被配置成將從清潔化學(xué)物質(zhì)入口流出的清潔化學(xué)物質(zhì)沿具有相對(duì)于豎直中心軸線的徑向朝外分量且可選地具有平行于豎直中心軸線并定向?yàn)檫h(yuǎn)離該清潔化學(xué)物質(zhì)入口的分量的方向引導(dǎo)。

44、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，第一徑向區(qū)域可以環(huán)繞第二徑向區(qū)域，而在其他實(shí)現(xiàn)方案中，第二徑向區(qū)域可以環(huán)繞第一徑向區(qū)域。

45、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，可以提供多站半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其包括：室，其具有在室的室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)處理站；中樞器，其位于室內(nèi)部的中心區(qū)中、被配置成可沿中樞器的豎直中心軸線相對(duì)于室移動(dòng)、且具有于中樞器頂表面的第一徑向區(qū)域中的第一組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征和于中樞器頂表面的第二徑向區(qū)域(與第一徑向區(qū)域同心)中的第二組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征；清潔化學(xué)物質(zhì)入口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)從遠(yuǎn)程源引導(dǎo)至室內(nèi)部并到達(dá)中樞器頂表面上；以及控制器，其具有至少一個(gè)處理器和至少一個(gè)存儲(chǔ)器。第一徑向區(qū)域與第二徑向區(qū)域中的一者可以被第一徑向區(qū)域與第二徑向區(qū)域中的另一者環(huán)繞，第一組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征中的流動(dòng)重新導(dǎo)向特征可以各自在與豎直中心軸線重合且平行的對(duì)應(yīng)平面中具有第一橫截面輪廓，第二組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征中的流動(dòng)重新導(dǎo)向特征可以各自在與豎直中心軸線重合且平行的對(duì)應(yīng)平面中具有第二橫截面輪廓，且該至少一個(gè)存儲(chǔ)器可以儲(chǔ)存指令，其被該至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)使該至少一個(gè)處理器：在中樞器處于相對(duì)于清潔化學(xué)物質(zhì)入口的第一高度位置時(shí)，使清潔化學(xué)物質(zhì)從遠(yuǎn)程源流過(guò)清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)中樞器頂表面上，因而使清潔化學(xué)物質(zhì)沖擊第一組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征中的流動(dòng)重新導(dǎo)向特征并被沿著第一向外方向引導(dǎo)；使中樞器從第一高度位置移動(dòng)至第二高度位置；以及在中樞器處于相對(duì)于清潔化學(xué)物質(zhì)入口的第二高度位置時(shí)，使清潔化學(xué)物質(zhì)從遠(yuǎn)程源流過(guò)清潔化學(xué)物質(zhì)入口并到達(dá)中樞器頂表面上，因而使清潔化學(xué)物質(zhì)沖擊第二組流動(dòng)重新導(dǎo)向特征中的流動(dòng)重新導(dǎo)向特征并被沿著第二向外方向引導(dǎo)，其中第一向外方向與第二向外方向不同。

46、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，清潔化學(xué)物質(zhì)入口可以具有多個(gè)流動(dòng)出口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)沿著該多個(gè)流動(dòng)路徑引導(dǎo)，該多個(gè)流動(dòng)路徑各自至少部分地與平行于豎直中心軸線的軸線成斜角。

47、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，清潔化學(xué)物質(zhì)入口可以具有單個(gè)流動(dòng)出口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)沿著豎直中心軸線引導(dǎo)。

48、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，第一橫截面輪廓可以被配置成將從清潔化學(xué)物質(zhì)入口流出的清潔化學(xué)物質(zhì)沿具有相對(duì)于豎直中心軸線的徑向朝外分量以及平行于豎直中心軸線并定向?yàn)槌蛟撉鍧嵒瘜W(xué)物質(zhì)入口的分量的方向引導(dǎo)。

49、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，第二橫截面輪廓可以被配置成將從清潔化學(xué)物質(zhì)入口流出的清潔化學(xué)物質(zhì)沿具有相對(duì)于豎直中心軸線的徑向朝外分量且可選地具有平行于豎直中心軸線并定向?yàn)檫h(yuǎn)離該清潔化學(xué)物質(zhì)入口的分量的方向引導(dǎo)。

50、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，第一徑向區(qū)域可以環(huán)繞第二徑向區(qū)域，而在其他實(shí)現(xiàn)方案中，第二徑向區(qū)域可以環(huán)繞第一徑向區(qū)域。

51、在一些實(shí)現(xiàn)方案中，提供了一種多站半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其包括：室，其具有在所述室的室內(nèi)部?jī)?nèi)的多個(gè)處理站；結(jié)構(gòu)，其位于所述室內(nèi)部中并被配置成能沿豎直中心軸線移動(dòng)；清潔化學(xué)物質(zhì)入口，其被配置成將清潔化學(xué)物質(zhì)從遠(yuǎn)程源引導(dǎo)至所述室內(nèi)部中并到達(dá)所述結(jié)構(gòu)上；以及控制器，其具有至少一個(gè)處理器和至少一個(gè)存儲(chǔ)器。所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器可以儲(chǔ)存指令，所述指令在被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)使所述至少一個(gè)處理器：在所述結(jié)構(gòu)處于相對(duì)于所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口的第一高度位置時(shí)，使所述清潔化學(xué)物質(zhì)從所述遠(yuǎn)程源流過(guò)所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并流至所述結(jié)構(gòu)上，從而使所述清潔化學(xué)物質(zhì)被沿著第一向外方向引導(dǎo)；使所述中樞器從所述第一高度位置移動(dòng)至第二高度位置；以及在所述結(jié)構(gòu)處于相對(duì)于所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口的所述第二高度位置時(shí)，使所述清潔化學(xué)物質(zhì)從所述遠(yuǎn)程源流過(guò)所述清潔化學(xué)物質(zhì)入口并流至所述結(jié)構(gòu)上，從而使所述清潔化學(xué)物質(zhì)被沿著第二向外方向引導(dǎo)，其中所述第一向外方向與所述第二向外方向不同。