本技術涉及半導體，特別涉及一種半導體結構的制造方法。

背景技術：

1、一種芯片封裝技術可包含下述工藝過程：首先將引線框架貼裝在載板上，引線框包括框架、位于框架內(nèi)的連接部及多個引腳，引腳與連接部相連，連接部與框架相連；隨后將芯片貼裝在引線框上，將引腳與芯片的焊墊電連接；隨后形成塑封層；隨后進行切割，形成暴露引腳部分側面的凹槽；隨后采用電鍍工藝在引線框露出的表面形成鍍錫層；最后采用切割工藝去除連接部及框架。

2、上述芯片封裝技術中，在切割去除連接部的過程中，連接部表面形成的鍍錫層會產(chǎn)生錫拉絲，錫拉絲脫落后掉落在相鄰引腳之間會導致相鄰引腳發(fā)生短路，影響產(chǎn)品的良率。

技術實現(xiàn)思路

1、本技術實施例提供了一種半導體結構的制造方法。所述半導體結構的制造方法包括：提供塑封組件，所述塑封組件包括多個芯片、分別與多個所述芯片對應連接的多個引線框單元、塑封層及電連接件，所述引線框單元包括多個引腳，所述塑封層至少包封所述芯片及對應的引線框單元，相鄰兩個引線框單元之間具有去除部分或全部塑封層的開槽，相鄰兩個引線框單元的引腳具有朝向所述開槽并相對的引腳側表面，所述兩個引線框單元的引腳之間通過所述電連接件連接，所述電連接件位于所述開槽的槽底，并且所述電連接件表面設有位于所述開槽底部的絕緣層；

2、在所述引線框露出的表面形成焊料層；

3、去除所述電連接件。

4、在一些實施例中，所述提供塑封組件包括：

5、提供引線框，所述引線框包括所述多個引線框單元及連接相鄰引線框單元的引腳的連接筋；

6、將多個芯片分別對應設置于所述引線框單元之上，并設置包覆多個所述芯片以及所述引線框的塑封層形成塑封結構；

7、形成第一開槽；所述第一開槽位于相鄰兩個引線框單元之間并自所述塑封結構中引線框所在側向內(nèi)開設部分深度形成；其中，在所述第一開槽底部保留有部分厚度的所述連接筋形成所述電連接件；

8、在所述電連接件露出的表面設置第一絕緣層；其中，所述第一絕緣層的邊緣與所述相鄰兩個引線框單元的引腳側表面之間具有第一預設距離或所述第一絕緣層的邊緣與所述相鄰兩個引線框單元的引腳側表面接觸。

9、在一些實施例中，當所述第一絕緣層的邊緣與所述引腳的側表面之間具有第一預設距離時，所述第一預設距離小于或等于0.1mm；

10、當所述第一絕緣層的邊緣與所述相鄰兩個引線框單元的引腳側表面接觸時，設置所述第一絕緣層后，所述第一開槽中剩下的槽深度大于所述相鄰兩個引線框單元的引腳厚度的二分之一。

11、在一些實施例中，所述第一開槽的深度小于所述相鄰兩個引線框單元的引腳厚度，且所述第一開槽的深度大于所述相鄰兩個引線框單元的引腳厚度的二分之一。

12、在一些實施例中，在所述引線框露出的表面形成焊料層之后，所述方法包括：

13、沿所述第一開槽進行切割，形成多個半導體結構；其中，所述沿所述第一開槽進行切割包括去除所述電連接件以及去除所述塑封層中位于所述第一開槽在所述塑封結構厚度方向正投影范圍內(nèi)的部分。

14、在一些實施例中，在所述引線框露出的表面形成焊料層之后，去除所述電連接件之前，所述方法包括：

15、去除所述第一絕緣層。

16、在一些實施例中，所述提供塑封組件包括：

17、提供引線框，所述引線框包括所述多個引線框單元及連接相鄰引線框單元的引腳的連接筋；

18、將多個芯片分別對應設置于所述引線框單元之上，并設置包覆多個所述芯片以及所述引線框的塑封層形成塑封結構；

19、去除所述連接筋，并形成第二開槽；所述第二開槽位于相鄰引線框單元之間并自所述塑封結構中引線框所在側向內(nèi)開設部分厚度形成；

20、在所述第二開槽中設置表面具有第二絕緣層的電連接結構；所述電連接結構作為所述電連接件，并連接相鄰兩個引線框單元的引腳側表面；其中，所述第二絕緣層自所述相鄰兩個引線框單元的引腳側表面向第二開槽中部延伸第二預設距離。

21、在一些實施例中，所述第二預設距離大于或等于20μm；和/或，

22、所述第二開槽的深度大于所述相鄰兩個引線框單元的引腳厚度，且所述第二開槽中位于所述第二絕緣層朝向第二開槽的開口一側的深度大于所述相鄰兩個引線框單元的引腳厚度的二分之一。

23、在一些實施例中，所述去除所述電連接件包括：

24、去除所述表面具有第二絕緣層的電連接結構；

25、在所述去除所述電連接結構時或在所述去除所述電連接結構之后，所述方法包括：沿所述第二開槽進行切割，形成多個半導體結構。

26、在一些實施例中，所述提供塑封組件包括：

27、提供引線框，所述引線框包括所述多個引線框單元及連接相鄰引線框單元的引腳的連接筋；

28、將多個芯片分別對應設置于所述引線框單元之上，并設置包覆多個所述芯片以及所述引線框的塑封層形成塑封結構；所述引線框具有背離芯片的第一表面，所述第一表面外露；

29、在所述引線框的第一表面形成第一焊料層；

30、對形成有第一焊料層的塑封結構進行切分，形成多個中間半導體結構；所述中間半導體結構中所述引線框單元的引腳具有外露的引腳側表面；

31、將多個所述中間半導體結構間隔設于導電層之上，所述導電層與所述第一焊料層連接；其中，至少位于相鄰兩個中間半導體結構之間的間隔形成第三開槽，所述導電層作為所述電連接件，且所述導電層位于所述第三開槽中的表面設有第三絕緣層。

32、在一些實施例中，所述導電層包括位于最外側中間半導體結構背離相鄰中間半導體結構的外圍區(qū)域，所述第三絕緣層還位于所述導電層的所述外圍區(qū)域之上；

33、所述中間半導體結構塑封層具有與所述引線框的第一表面齊平的第一塑封表面，所述第三絕緣層還位于所述導電層和所述第一塑封表面之間。

34、在一些實施例中，所述第三絕緣層的邊緣與對應的引腳側表面所在平面之間具有第三預設距離，所述第三預設距離與所述第一焊料層的厚度一致。

35、在一些實施例中，所述在所述引線框露出的表面形成焊料層包括：

36、在所述引腳側表面形成第二焊料層；

37、所述在所述去除電連接件之后，形成多個半導體結構。

38、在一些實施例中，在所述引腳側表面形成第二焊料層之后，所述第二焊料層覆蓋所述引腳側表面的全部區(qū)域。

39、在一些實施例中，所述將多個所述中間半導體結構間隔設于導電層之上之前，所述方法包括：

40、將所述導電層設于載板之上；

41、在所述引腳側表面形成第二焊料層之后，所述方法還包括：

42、去除所述載板。

43、本技術實施例所達到的主要技術效果是：

44、本技術實施例提供的半導體結構的制造方法，相鄰引線框單元的引腳之間通過所述電連接件連接，所述電連接件位于相鄰兩個引線框單元之間的至少部分區(qū)域設有絕緣層，以使得在引線框露出的表面形成焊料層時，不會形成位于相鄰兩個引線框單元的引腳之間的大面積焊料層，使得后續(xù)去除電連接件或切分形成半導體結構時，降低由于切割焊料層導致產(chǎn)生拉絲的風險，進而改善拉絲脫落后掉落到相鄰兩個引腳之間而導致半導體結構出現(xiàn)短路的問題，可提升半導體結構的產(chǎn)品良率。