適當(dāng)?shù)某练e技術(shù)，例如化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積，沉積種子層(沒(méi)有示出)。種子層也可以包括與導(dǎo)電互連材料相似的摻雜物。
[0078]繼續(xù)參考圖12，]^蓋電介質(zhì)608可以沉積在結(jié)構(gòu)600上。]\^蓋電介質(zhì)608可以將MxS 602與可能隨后在MxS 602上形成的額外互連級(jí)(沒(méi)有示出)電絕緣?？梢允褂玫湫偷某练e技術(shù)(例如化學(xué)氣相沉積)沉積仏蓋電介質(zhì)608。1:!蓋電介質(zhì)608可以包括，例如氮化娃(Si3N4)、碳化娃(SiC)、娃碳氮化物(SiCN)、氫化碳化娃(SiCH)或其他已知的封蓋材料。1:!蓋電介質(zhì)608可以具有從大約20nm至大約60nm以及其間的范圍變化的厚度，但是小于20nm和大于60nm的厚度可能是可接受的。
[0079]現(xiàn)在參考圖13，示出設(shè)計(jì)布局700的頂視圖。設(shè)計(jì)布局700可以包括可以使用光刻技術(shù)再現(xiàn)的圖案。典型地，可以用計(jì)算機(jī)程序或計(jì)算機(jī)文件的形式實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)布局700，其可以隨后由一件光刻裝備讀取。光學(xué)鄰近校正(OPC)是通常用來(lái)補(bǔ)償因衍射或工藝效果引起的圖像誤差的照相光刻增強(qiáng)技術(shù)。設(shè)計(jì)布局(例如設(shè)計(jì)布局700)可以在輸入并且由光刻裝備讀取之前經(jīng)歷光學(xué)鄰近校正。在一些情況下，光學(xué)鄰近校正可以是光刻裝備的集成特征。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可能熟悉光刻工藝和光學(xué)鄰近校正。
[0080]設(shè)計(jì)布局700可以包括四個(gè)特征的布局，通常，三個(gè)最小基本規(guī)則線路彼此平行并且從較大特征的單個(gè)邊緣延伸出來(lái)。最小基本規(guī)則限制也可以應(yīng)用于線路間距。例如，如果最小基本規(guī)則是32nm，那么線路特征的寬度可以設(shè)計(jì)為32nm并且線路特征之間的間距也可以設(shè)計(jì)為32nm。三個(gè)線路特征可能沒(méi)有優(yōu)選的長(zhǎng)度，但是，可以使用從大約0.5 μπι至大約50 μπι范圍變化的長(zhǎng)度。如下面將詳細(xì)描述的，中間線路將形成電子熔絲的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)而中間線路的任一側(cè)的每個(gè)線路可以是虛設(shè)(dummy)線路并且不用來(lái)形成互連。設(shè)計(jì)布局700的四個(gè)特征可以最終被蝕刻到電介質(zhì)材料的表面中并且使用導(dǎo)電互連材料填充以形成單個(gè)互連級(jí)的金屬化。
[0081]現(xiàn)在參考圖14、15和16，示出描繪將設(shè)計(jì)布局700 (圖13)形成圖案到Mx+1級(jí)612之后的最終圖案的結(jié)構(gòu)600。應(yīng)當(dāng)注意，雖然Mx+1級(jí)612優(yōu)選地可以在M ,級(jí)602上形成，僅為了說(shuō)明的目的，從圖14、15和16中省略仏級(jí)602。在該制作階段，M X+1級(jí)612可以包括Mx+1電介質(zhì)614，其可以在所有方面與上面描述的Mx電介質(zhì)604基本上相似。同樣應(yīng)當(dāng)注意，圖14是結(jié)構(gòu)600的頂視圖，而圖15和圖16分別是圖14中頂視圖的橫截面視圖，截面A-A和截面B-B。類(lèi)似WM 602，M X+1級(jí)612可以是結(jié)構(gòu)600中的任何互連級(jí)。
[0082]在Mx+1級(jí)612中根據(jù)設(shè)計(jì)布局700 (圖13)形成圖案可以導(dǎo)致第一溝槽616、第二溝槽618、第三溝槽620和第四溝槽622的形成?？梢允褂帽绢I(lǐng)域中已知的任何適當(dāng)?shù)难诒魏臀g刻技術(shù)形成第一、第二、第三和第四溝槽616、618、620、622。第二、第三和第四溝槽618,620,622可以表示設(shè)計(jì)布局700 (圖13)的三個(gè)平行的最小基本規(guī)則線路，并且第一溝槽616可以表示設(shè)計(jì)布局700 (圖13)的較大特征。通常，第一、第二、第三和第四溝槽616、618、620、622在大小和形狀方面可以與圖13的設(shè)計(jì)布局700基本上相似；但是，可能需要上面描述的光學(xué)鄰近校正技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這種結(jié)果。
[0083]使用基于氟的蝕刻劑的干法蝕刻技術(shù)可以用來(lái)形成第一、第二、第三和第四溝槽616、618、620、622。在一個(gè)實(shí)施例中，例如化學(xué)蝕刻劑(例如CxFy)可以用來(lái)形成第一、第二、第三和第四溝槽616、618、620、622。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)離子蝕刻可以用來(lái)形成第一、第二、第三和第四溝槽616、618、620、622。第一、第二、第三和第四溝槽616、618、620、622可以具有單個(gè)、幾乎統(tǒng)一的深度(D1),除了第三溝槽620與第一溝槽616交叉的局部區(qū)域。如圖中描繪的，該區(qū)域可以稱(chēng)作頸狀區(qū)域624。頸狀區(qū)域624可以具有比第一、第二、第三和第四溝槽616、618、620、622的額定深度(D1)小的深度(D2)。在一個(gè)實(shí)施例中，深度(D2)可以是深度(D1)的大約50%至大約75%。
[0084]此外，第二、第三和第四溝槽618、620、622可以具有單個(gè)、幾乎統(tǒng)一的寬度(W1),除了第三溝槽620的頸狀區(qū)域624。頸狀區(qū)域624可以具有比第二、第三和第四溝槽618、620、622的額定寬度(W1)小的寬度(W2)。在一個(gè)實(shí)施例中，寬度(W2)可以是寬度(W1)的大約50%至大約75%。通常，第二、第三和第四溝槽618、620、622的大小可以由當(dāng)前基本規(guī)則限制所限制，并且頸狀區(qū)域624可以具有子基本規(guī)則尺寸，其中深度(D2)和寬度(W2)都是子基本規(guī)則。例如，如果最小基本規(guī)則是32nm，那么第二、第三和第四溝槽618、620、622的寬度都可以是大約32nm并且第二、第三和第四溝槽618、620、622之間的間距也可以是大約32nm。此外，頸狀區(qū)域624的寬度(W2)和深度(D2)都可以小于32nm。在歷史上，基本規(guī)則隨著每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)減小，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到基本規(guī)則可以隨著時(shí)間減小。
[0085]可以在第一、第二、第三和第四溝槽616、618、620、622的形成圖案期間形成頸狀區(qū)域624。子基本規(guī)則特征，例如頸狀區(qū)域624，可以部分地因?yàn)榈谝弧⒌诙?、第三和第四溝?16、618、620、622的配置。圖13的設(shè)計(jì)布局700的光學(xué)鄰近校正可以由三個(gè)平行線路的最小基本規(guī)則配置所限制。因此，光學(xué)鄰近校正可能不能補(bǔ)償密集圖案并且可能導(dǎo)致頸狀區(qū)域624的形成。因?yàn)轭i狀區(qū)域624是結(jié)構(gòu)600的期望特征，第一和第三溝槽616、620可以簡(jiǎn)單地包括在設(shè)計(jì)布局700 (圖13)中以導(dǎo)致頸狀區(qū)域624的形成。此外，可以故意地配置設(shè)計(jì)布局700的第一溝槽616與第二、第三和第四溝槽618、620、622之間的關(guān)系以產(chǎn)生頸狀區(qū)域624。第二和第四溝槽618、622可以替代地稱(chēng)作虛設(shè)特征，因?yàn)槌藢?dǎo)致頸狀區(qū)域624的形成之外，它們可以不服務(wù)于其他目的。應(yīng)當(dāng)注意，特征之間具有最小基本規(guī)則間距的任何其他設(shè)計(jì)布局配置也可以產(chǎn)生相似的頸狀區(qū)域。
[0086]現(xiàn)在參考圖17，示出Mx+1級(jí)612和MxS 602 —個(gè)位于另一個(gè)頂上。接下來(lái)，可以在Mx+1電介質(zhì)614中形成通路開(kāi)口 626?？梢栽卩徑i狀區(qū)域624的結(jié)構(gòu)600的第一溝槽616的底部形成通路開(kāi)口 626?？梢允褂帽绢I(lǐng)域中已知的任何適當(dāng)?shù)难诒魏臀g刻技術(shù)形成通路開(kāi)口 626，并且可以包括多個(gè)蝕刻步驟。首先，在一個(gè)實(shí)施例中，可以選擇具有選擇性的化學(xué)物質(zhì)的特殊蝕刻技術(shù)在Mx+1電介質(zhì)614中蝕刻通路開(kāi)口 626。例如，使用基于氟的蝕刻劑的干法蝕刻技術(shù)可以被使用。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，可以使用非常有選擇性的化學(xué)蝕刻劑(例如C4F8)在Mx+1電介質(zhì)614中蝕刻通路開(kāi)口 626 ;但是，位于通路開(kāi)口 626底部的Mx蓋電介質(zhì)608的一部分可以因所選擇蝕刻技術(shù)的選擇性而保留。
[0087]其次，在一個(gè)實(shí)施例中，可以選擇具有不良選擇性的特殊蝕刻技術(shù)完成蝕刻通路開(kāi)口 626，并且另外去除凡蓋電介質(zhì)608位于通路開(kāi)口 626底部的部分。在一個(gè)實(shí)施例中，使用基于氟的蝕刻劑(例如與氧混合的CHF3蝕刻劑)的干法蝕刻技術(shù)可以用來(lái)完成蝕刻通路開(kāi)口 626。
[0088]現(xiàn)在參考圖17A，示出圖17的截面視圖，截面G。可以在通路開(kāi)口 626的形成期間產(chǎn)生底切特征628。因?yàn)橛脕?lái)定位通路開(kāi)口 626的掩模，可以形成底切特征628，而不是圖1A中示出的倒角特征124。可以將底切特征628與圖1A中示出的倒角特征124相對(duì)比。優(yōu)選地，通路開(kāi)口 626可以從第一溝槽616的底部延伸到Mx金屬606。
[0089]現(xiàn)在參考圖18，可以使用導(dǎo)電互連材料填充第一溝槽616(圖17)、第二溝槽618 (圖14)、第三溝槽620 (圖17)、第四溝槽622 (圖14)和通路開(kāi)口 626 (圖17)以形成第一 Mx+1金屬632、第二 Mx+1金屬(沒(méi)有示出)、第三Mx+1金屬634、第四Mx+1金屬(沒(méi)有示出)和通路636。用來(lái)形成第一和第三Mx+1金屬632、634和通路636的導(dǎo)電互連材料可以與上面參考圖12描述的材料基本上相似。在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第三Mx+1金屬632、634和通路636可以包括各種屏障襯墊，例如Mx+1襯墊630。Mx+1襯墊630可以與上面參考圖12描述的Mx襯墊610基本上相似。此外，如上所述，在使用導(dǎo)電互連材料填充溝槽和通路之前，可以可選地沉積種子層(沒(méi)有示出)。在使用導(dǎo)電互連材料填充第一溝槽616 (圖17)、第二溝槽618 (圖14)、第三溝槽620 (圖17)、第四溝槽622 (圖14)和通路開(kāi)口 626 (圖17)之后，Mx+1蓋電介質(zhì)638可以沉積在結(jié)構(gòu)600頂上。Mx+1蓋電介質(zhì)638可以與上面參考圖12描述的1:!蓋電介質(zhì)608基本上相似。
[0090]通路通?？梢杂脕?lái)形成兩個(gè)互連級(jí)的金屬化之間的電連接。通路636可以豎直地延伸并且形成Mx金屬606與第一 Mx+1金屬632之間的導(dǎo)電鏈路。通路636可以具有大約2:1或更大的深寬比，以及從大約1nm至大約50nm以及其間的范圍變化的直徑或?qū)挾?，但是小?nm和大于50nm的通路直徑可能是可以接受的。