一種抗pid的晶體硅太陽電池組件及其制備方法
【專利摘要】一種抗PID的晶體硅太陽電池組件及制備方法，包括從下向上依次設(shè)置的低鐵壓花鋼玻璃、第一封裝膠膜、整個(gè)電池片、第二封裝膠膜和背板，所述的電池片周圍設(shè)置一圈導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，其中，所述整個(gè)電池片為若干電池片互相串聯(lián)而成。當(dāng)有太陽光時(shí)，各子串會(huì)輸出直流高壓，該直流高壓的正極和導(dǎo)電保護(hù)環(huán)相連接，這樣該導(dǎo)電保護(hù)環(huán)相對(duì)于各組件的鋁邊框是正電壓，形成的電場(chǎng)由保護(hù)環(huán)指向玻璃外面，這樣從根本上預(yù)防了玻璃中的金屬離子向電池片表面遷移，從而從根本上解決了晶體硅光伏組件存在的PID衰減，該方法簡(jiǎn)單易行，成本低、效果好。本發(fā)明從根本上消除了晶體硅太陽電池組件的PID衰減，克服了現(xiàn)有方法的局限性和危險(xiǎn)性。
【專利說明】
一種抗Pl D的晶體硅太陽電池組件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及的是一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，具體涉及一種抗PID的晶體硅太陽電池組件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體硅太陽電池組件是光伏電站的基本發(fā)電構(gòu)件，是光伏電站成本的主要組成部分，其可靠性直接影響到光伏電站運(yùn)行的可靠性及投資收益。由于單塊光伏組件的輸出電壓不足50伏，在一個(gè)電站里，通常是將組件先串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)子串，以達(dá)到提升系統(tǒng)工作電壓的目的，再將多個(gè)子串通過匯流箱并聯(lián)，達(dá)到提升輸出電流的目的。再將匯流箱輸出的高壓直流電通過逆變器轉(zhuǎn)換成交流電。近年來，人們?cè)诖笠?guī)模光伏電站上發(fā)現(xiàn)光伏組件存在高壓引起的電勢(shì)誘導(dǎo)衰減(PID)效應(yīng)，嚴(yán)重時(shí)導(dǎo)致電站輸出功率衰減達(dá)30%以上，這極大地影響到了光伏電站運(yùn)行的可靠性和投資收益。
[0003]目前在大型光伏電站上，人們通常將20個(gè)左右的晶體硅光伏組件進(jìn)行串聯(lián)，為了安全，通常將組件的鋁邊框接地，匯流箱及逆變器的外殼也接地。這樣的接法導(dǎo)致了在一個(gè)子串中，組件的鋁邊框相對(duì)于該子串中間部位及以下的組件為正電壓，也即在鋁邊框和電池片之間存在一個(gè)正電壓。
[0004]由于晶體硅太陽電池組件封裝中使用的硅酸鹽玻璃中存在大量的金屬離子，如鈉離子，鈣離子，鉀離子，鋰離子等，這些金屬離子在該電場(chǎng)力的作用下會(huì)通過封裝材料EVA向電池片內(nèi)部運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而破壞電池的P-N結(jié)，造成局部分流，導(dǎo)致組件的輸出功率大幅下降，直至組件報(bào)廢。
[0005]現(xiàn)在預(yù)防光伏電站PID的方法是改進(jìn)組件的封裝材料及在電池表面增加阻擋層，也即在工藝上進(jìn)行改進(jìn)，但實(shí)踐證明:這些工藝改進(jìn)方法效果有限。另一種方法是在光伏電站上安裝抗PID設(shè)備，也即在晚上時(shí)給光伏組件加一個(gè)反向高壓，把迀移進(jìn)去的金屬離子驅(qū)趕出來，但該方法要安裝高壓設(shè)備，易發(fā)生危險(xiǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種抗PID的晶體硅太陽電池組件及其制備方法，該方法簡(jiǎn)單易行，成本低、效果好。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
[0008]—種抗PID的晶體硅太陽電池組件，包括從下向上依次設(shè)置的低鐵壓花鋼玻璃、第一封裝膠膜、全部電池片、第二封裝膠膜和背板，所述的電池片周圍設(shè)置一圈導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，其中，所述全部電池片為若干電池片互相串聯(lián)而成。
[0009 ]所述電池片是單晶硅電池片或多晶硅電池片。
[0010]所述全部電池片中的電池片的數(shù)目為54、60或72。
[0011]所述導(dǎo)電保護(hù)環(huán)采用導(dǎo)電金屬條制備。
[0012]所述導(dǎo)電金屬條的材質(zhì)為鍍錫的扁平銅帶、鋁、合金鋁或不銹鋼。
[0013]所述導(dǎo)電保護(hù)環(huán)采用導(dǎo)電膠條制備。
[0014]一種抗PID的晶體硅太陽電池組件的制備方法，先將封裝晶體硅太陽電池組件用的低鐵壓花玻璃放在疊層臺(tái)上;在低鐵壓花玻璃上放第一張封裝膠膜;將串接好的電池串放置在第一封裝膠膜上，并進(jìn)行匯流;接著在電池串的四周設(shè)置導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)設(shè)置在第一張封裝膠膜上面，并且導(dǎo)電保護(hù)環(huán)與電池串的四周及低鐵壓花玻璃的四周保持距離，再于電池串上放置第二張封裝膠膜，在第二張封裝膠膜上放置背板，然后將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)和組件的正負(fù)極引出，最后進(jìn)行層壓密封。
[0015]導(dǎo)電保護(hù)環(huán)的邊緣到低鐵壓花玻璃的邊緣的距離為I?1.5厘米。
[0016]層壓密封具體為:將鋪設(shè)好的組件放入層壓機(jī)內(nèi)，通過抽真空將組件內(nèi)的空氣抽出，同時(shí)加熱使封裝膠膜熔化并將電池片、低鐵壓花玻璃和背板粘接在一起，完成層壓密封。
[0017]層壓密封完成后，裝框，安裝接線盒，構(gòu)成抗PID的晶體硅太陽電池組件。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有的有益效果:本發(fā)明在晶體硅太陽電池組件中引入導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，在光伏電站中，一個(gè)子串由多個(gè)組件正負(fù)極串聯(lián)而成，將各組件的導(dǎo)電保護(hù)環(huán)互相連接，再和子串中輸出正極相連。這樣，每一個(gè)組件保護(hù)環(huán)的電壓相對(duì)于各自的鋁邊框?yàn)檎妷?，產(chǎn)生的電場(chǎng)由導(dǎo)電保護(hù)環(huán)指向鋁邊框，從而阻止了玻璃中鈉離子及其它金屬離子向電池片的迀移，達(dá)到了抗PID的目的。
[0019]進(jìn)一步的，將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)通過鍍錫銅帶接入光伏接線盒。該新型晶體硅太陽電池組件在接線盒引出結(jié)構(gòu)上不同于現(xiàn)有的光伏接線盒，該接線盒除了正負(fù)極，還增加了一個(gè)導(dǎo)電保護(hù)環(huán)輸出極。
[0020]本發(fā)明通過在晶體硅光伏組件中引入導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，將一個(gè)子串中的導(dǎo)電保護(hù)環(huán)相連，并與該子串的輸出正極相連。當(dāng)有太陽光時(shí)，各子串會(huì)輸出直流高壓，該直流高壓的正極和導(dǎo)電保護(hù)環(huán)相連接，這樣該導(dǎo)電保護(hù)環(huán)相對(duì)于各組件的鋁邊框是正電壓，形成的電場(chǎng)由保護(hù)環(huán)指向玻璃外面，這樣從根本上預(yù)防了玻璃中的金屬離子向電池片表面迀移，從而從根本上解決了晶體硅光伏組件存在的PID衰減，該方法簡(jiǎn)單易行，成本低、效果好。本發(fā)明從根本上消除了晶體硅太陽電池組件的PID衰減，克服了現(xiàn)有方法的局限性和危險(xiǎn)性。
【附圖說明】
[0021]圖1是組件中的電池片連接關(guān)系圖。
[0022 ]圖2是該抗PID晶體硅太陽電池組件的生產(chǎn)工藝流程。
[0023]圖3是一種抗PID晶體硅光伏組件疊層順序圖。
[0024]圖4是帶有導(dǎo)電保護(hù)環(huán)的組件在光伏電站中的接法示意圖。
[0025]其中，I是導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，2是電池片，3是正極輸出，4是負(fù)極輸出，5是旁路二極管，6是低鐵壓花鋼化玻璃，7是第一封裝膠膜，8是第二封裝膠膜，9是背板，10是子串輸出正極，11是子串輸出負(fù)極，12是接地線，13是導(dǎo)電保護(hù)環(huán)連接線，14是晶體硅太陽電池組件。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面通過具體實(shí)施例進(jìn)行說明。
[0027]參見圖3，一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，包括從下向上依次設(shè)置的低鐵壓花鋼玻璃6、第一封裝膠膜7、全部電池片2、第二封裝膠膜8和背板9，所述的電池片2周圍設(shè)置一圈導(dǎo)電保護(hù)環(huán)I，其中，所述全部電池片為若干電池片互相串聯(lián)而成，具體的，電池片的數(shù)目為54、60或72，電池片2是單晶硅電池片或多晶硅電池片。
[0028]所述導(dǎo)電保護(hù)環(huán)I采用導(dǎo)電金屬條制備，導(dǎo)電金屬條的材質(zhì)為鍍錫的扁平銅帶、鋁、合金鋁或不銹鋼?；蛩鰧?dǎo)電保護(hù)環(huán)I采用導(dǎo)電膠條制備。
[0029 ] 一種抗PID的晶體硅太陽電池組件的制備方法，先將封裝晶體硅太陽電池組件用的低鐵壓花玻璃6放在疊層臺(tái)上;在低鐵壓花玻璃6上放第一張封裝膠膜7;將串接好的電池串放置在第一封裝膠膜7上，并進(jìn)行匯流;接著在電池串的四周設(shè)置導(dǎo)電保護(hù)環(huán)1，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)I設(shè)置在第一張封裝膠膜7上面，并且導(dǎo)電保護(hù)環(huán)I與電池串的四周及低鐵壓花玻璃6的四周保持距離，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)I的邊緣到低鐵壓花玻璃6的邊緣的距離為I?1.5厘米，再于電池串上放置第二張封裝膠膜8，在第二張封裝膠膜8上放置背板9，然后將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)I和組件的正負(fù)極引出，最后進(jìn)行層壓密封，具體是將鋪設(shè)好的組件放入層壓機(jī)內(nèi)，通過抽真空將組件內(nèi)的空氣抽出，同時(shí)加熱使封裝膠膜熔化并將電池片、低鐵壓花玻璃和背板粘接在一起，完成層壓密封。層壓密封完成后，裝框，安裝接線盒，構(gòu)成抗PID的晶體硅太陽電池組件。
[0030]抗PID的晶體硅太陽電池組件的具體制備方法如下:
[0031]圖1是組件中的電池片連接關(guān)系，參見圖1，在晶體硅太陽電池組件中，各電池片正負(fù)極相互連接以提高輸出電壓。
[0032]圖2是該抗PID晶體硅太陽電池組件的生產(chǎn)工藝流程。參見圖2，抗PID晶體硅太陽電池組件的具體制備方法包括如下步驟:
[0033]電池片分選:為了將性能一致或相近的電池串聯(lián)在一起，應(yīng)根據(jù)其性能參數(shù)進(jìn)行分類，以提高組件的輸出功率。
[0034]單片焊接:是將鍍錫銅帶先焊接到電池正面(負(fù)極)的主柵線上，做好和另一片電池正極串聯(lián)的準(zhǔn)備。
[0035]串焊:依次將電池串接在一起。
[0036]疊層和匯流:背面串接好且經(jīng)過檢驗(yàn)合格后，將低鐵壓花鋼化玻璃、電池串、切割好的EVA(封裝膠膜)、背板按照?qǐng)D2的層次鋪設(shè)好，同時(shí)要完成電池串的匯流和放置導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，引出各電極，準(zhǔn)備層壓。鋪設(shè)時(shí)保證電池串、導(dǎo)電保護(hù)環(huán)、玻璃等材料的相對(duì)位置，調(diào)整好電池間的距離。具體的，在晶體硅太陽電池組件疊層時(shí)，先將3.2mm的低鐵壓花鋼化玻璃放置在疊層臺(tái)上，在其上平鋪EVA，放置電池串并匯流，將該導(dǎo)電金屬條距組件中的電池四周邊緣0.5cm左右放置形成回路。導(dǎo)電金屬條與組件中的電池片、互連帶、匯流帶等絕緣，再依次放置封裝膠膜EVA、背板，將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)、電池的正負(fù)極同時(shí)引出，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)引出線引出時(shí)要穿過組件中導(dǎo)電部件時(shí)，采用背板隔離達(dá)到絕緣的目的，然后進(jìn)行層壓密封。
[0037]層壓封裝:將鋪設(shè)好的組件放入層壓機(jī)內(nèi)，通過抽真空將組件內(nèi)的空氣抽出，同時(shí)加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起，層壓工藝完成后，取出組件并冷卻。
[0038]裝框:裝鋁型材邊框前先用刀將層壓時(shí)EVA熔化在玻璃邊緣的多余部分去除，在裝鋁框的槽內(nèi)打上硅膠，再將鋁邊框安裝在玻璃組件上，以增加組件的強(qiáng)度，方便組件安裝。
[0039]絕緣測(cè)試:用絕緣測(cè)試儀測(cè)試導(dǎo)電保護(hù)環(huán)和鋁邊框之間，電池正負(fù)極和導(dǎo)電保護(hù)環(huán)之間是否絕緣。
[0040]電性能測(cè)試:采用太陽電池組件模擬器測(cè)試組件的電性能參數(shù)，對(duì)組件的輸出功率進(jìn)行標(biāo)定。
[0041]圖4是帶有導(dǎo)電保護(hù)環(huán)的組件在光伏電站中的接法，參見圖4，所述導(dǎo)電保護(hù)環(huán)引出線13既可以接到組件接線盒的插接件上，也可以單獨(dú)為導(dǎo)電保護(hù)環(huán)在組件背面粘接一個(gè)小接線盒。在光伏電站中將這些晶體硅太陽電池組件14的正負(fù)極串聯(lián)起來以提升電壓時(shí)，同時(shí)將各組件的導(dǎo)電保護(hù)環(huán)依次通過導(dǎo)電保護(hù)環(huán)連接線13連接，最后和該子串輸出正極10相連，晶體硅太陽電池組件14的負(fù)極與子串輸出負(fù)極11相連。每個(gè)晶體硅太陽電池組件還連接有接地線12。
[0042]實(shí)施例1
[0043]一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，該組件由60片156mm X 156mm多晶硅太陽電池組成。玻璃采用1640mm X 990mm的低鐵壓花鋼化玻璃，玻璃厚度為3.2mm，將該玻璃放置在疊層臺(tái)上。將10個(gè)電池片正負(fù)極依次連接形成一個(gè)電池串，共6串。在玻璃上放置一張EVA，厚度為0.45mm，將上述6串電池串并排放置在第一張EVA上面，將這6串正負(fù)極串聯(lián)，除首尾的正負(fù)極分別引出，為了防止熱斑，每?jī)纱g也采用鍍錫銅帶引出。然后距最外層電池片的周圍放置導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)距電池片邊緣約0.5_，將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)的引出線和電池串的引出線并排引出，這五根引出線引出時(shí)，需用背板隔離，以達(dá)到他們之間絕緣的目的。
[0044]再放置第二張EVA，背板，并將五根引出線從背板引到最外面，層壓封裝，裝邊框及接線盒，性能測(cè)試，該組件的典型電性能參數(shù)如下:
[0045]開路電壓:37.7V;
[0046]短路電流:8.78Α
[0047]最佳工作電壓:31.5V;
[0048]最佳工作電流:7.94Α;
[0049]組件最大輸出功率:260W
[0050]最大熔絲電流:15A
[0051 ]短路電流(Isc)溫度系數(shù):(0.065±0.015)%/°C
[0052]開路電壓(Voc)溫度系數(shù):_0.33%/°C
[0053]功率的溫度系數(shù):-(0.43±0.05)%/°Co
[0054]實(shí)施例2
[0055]—種抗PID的晶體硅太陽電池組件，該組件由72片156mm X 156mm多晶硅太陽電池組成。玻璃采用1954mm X 990mm的低鐵壓花鋼化玻璃，玻璃厚度為3.2mm，將該玻璃放置在疊層臺(tái)上。將10個(gè)電池片正負(fù)極依次連接形成一個(gè)電池串，共6串。在玻璃上放置一張EVA，厚度為0.45mm，將上述6串電池串并排放置在第一張EVA上面，將這6串正負(fù)極串聯(lián)，除首尾的正負(fù)極分別引出，為了防止熱斑，每?jī)纱g也采用鍍錫銅帶引出。然后距最外層電池片的周圍放置導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)距電池片邊緣約0.5_，將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)的引出線和電池串的引出線并排引出，這五根引出線引出時(shí)，需用背板隔離，以達(dá)到他們之間絕緣的目的。
[0056]再放置第二張EVA，背板，并將五根引出線從背板引到最外面，層壓密封，裝框及接線盒，性能測(cè)試，該組件的典型電性能參數(shù)如下:
[0057]開路電壓:45.1.7V;
[0058]短路電流:9.02Α
[0059]最佳工作電壓:36.8V;
[0060] 最佳工作電流:8.56Α;
[0061 ] 組件最大輸出功率:315W
[0062]最大熔絲電流:15A
[0063]短路電流(Isc)溫度系數(shù):(0.065±0.015)%/°C
[0064]開路電壓(Voc)溫度系數(shù):_0.33%/°C
[0065]功率的溫度系數(shù):-(0.43±0.05)%/Γο
[0066]實(shí)施例3
[0067]一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，該組件由60片156mm X 156mm單晶硅太陽電池組成。玻璃采用1640mm X 990mm的低鐵壓花鋼化玻璃，玻璃厚度為3.2mm，將該玻璃放置在疊層臺(tái)上。將10個(gè)電池片正負(fù)極依次連接形成一個(gè)電池串，共6串。在玻璃上放置一張EVA，厚度為0.45mm，將上述6串電池串并排放置在第一張EVA上面，將這6串正負(fù)極串聯(lián)，除首尾的正負(fù)極分別引出，為了防止熱斑，每?jī)纱g也采用鍍錫銅帶引出。然后距最外層電池片的周圍放置導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)距電池片邊緣約0.5_，將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)的引出線和電池串的引出線并排引出，這五根引出線引出時(shí)，需用背板隔離，以達(dá)到他們之間絕緣的目的。
[0068]再放置第二張EVA，背板，并將五根引出線從背板引到最外面，層壓密封，裝框及接線盒，性能測(cè)試，該組件的典型電性能參數(shù)如下:
[0069]開路電壓:38.86V;
[0070]短路電流:9.22Α
[0071]最佳工作電壓:31.66V;
[0072]最佳工作電流:8.69Α;
[0073]組件最大輸出功率:275W
[0074]最大熔絲電流:15A
[0075]短路電流(Isc)溫度系數(shù):(0.065±0.015)%/Γ
[0076]開路電壓(Voc)溫度系數(shù):_0.33%/°C
[0077]功率的溫度系數(shù):-(0.43±0.05)%/°Co
[0078]實(shí)施例4
[0079]一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，該組件由72片156mm X 156mm多晶硅太陽電池組成。玻璃采用1954mm X 990mm的低鐵壓花鋼化玻璃，玻璃厚度為3.2mm，將該玻璃放置在疊層臺(tái)上。將10個(gè)電池片正負(fù)極依次連接形成一個(gè)電池串，共6串。在玻璃上放置一張EVA，厚度為0.45mm，將上述6串電池串并排放置在第一張EVA上面，將這6串正負(fù)極串聯(lián)，除首尾的正負(fù)極分別引出，為了防止熱斑，每?jī)纱g也采用鍍錫銅帶引出。然后距最外層電池片的周圍放置導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)距電池片邊緣約0.5_，將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)的引出線和電池串的引出線并排引出，這五根引出線引出時(shí)，需用背板隔離，以達(dá)到他們之間絕緣的目的。
[0080]再放置第二張EVA，背板，并將五根引出線從背板引到最外面，層壓密封，裝框及接線盒，性能測(cè)試，該組件的典型電性能參數(shù)如下:
[0081 ]開路電壓:44.56V;
[0082]短路電流:9.34Α
[0083]最佳工作電壓:37.11V;
[0084]最佳工作電流:8.89Α;
[0085]組件最大輸出功率:330W
[0086]最大熔絲電流:15A
[0087]短路電流(Isc)溫度系數(shù):(0.065±0.015)%/°C
[0088]開路電壓(Voc)溫度系數(shù):-0.33%/Γ
[0089]功率的溫度系數(shù):-(0.43±0.05)%/°C。
[0090 ]從實(shí)施例1 -4可以看出，本發(fā)明制備的抗PID的晶體硅太陽電池組件的電性能較好。
[0091]該發(fā)明首次創(chuàng)造性地提出在晶體硅太陽電池組件中引入導(dǎo)電保護(hù)環(huán)，將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)通過鍍錫銅帶接入光伏接線盒。該新型晶體硅太陽電池組件在接線盒引出結(jié)構(gòu)上不同于現(xiàn)有的光伏接線盒，該接線盒除了正負(fù)極，還增加了一個(gè)導(dǎo)電保護(hù)環(huán)輸出極。在光伏電站中，一個(gè)子串由多個(gè)組件正負(fù)極串聯(lián)而成，將各組件的導(dǎo)電保護(hù)環(huán)互相連接，再和子串的輸出正極相連。這樣，每一個(gè)組件保護(hù)環(huán)的電壓相對(duì)于各自的鋁邊框?yàn)檎妷?，產(chǎn)生的電場(chǎng)由導(dǎo)電保護(hù)環(huán)指向鋁邊框，從而阻止了玻璃中鈉離子及其它金屬離子向電池片的迀移，達(dá)到了抗PID的目的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，其特征在于，包括從下向上依次設(shè)置的低鐵壓花鋼玻璃(6)、第一封裝膠膜(7)、全部電池片(2)、第二封裝膠膜(8)和背板(9)，所述的電池片(2)周圍設(shè)置一圈導(dǎo)電保護(hù)環(huán)(I)，其中，所述全部電池片為若干電池片互相串聯(lián)而成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，其特征在于，所述電池片是單晶硅電池片或多晶硅電池片。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，其特征在于，所述全部電池片(2)中的電池片的數(shù)目為54、60或72。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，其特征在于，所述導(dǎo)電保護(hù)環(huán)(I)采用導(dǎo)電金屬條制備。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬條的材質(zhì)為鍍錫的扁平銅帶、鋁、合金鋁或不銹鋼。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗PID的晶體硅太陽電池組件，其特征在于，所述導(dǎo)電保護(hù)環(huán)(I)采用導(dǎo)電膠條制備。7.一種抗PID的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于，先將封裝晶體硅太陽電池組件用的低鐵壓花玻璃(6)放在疊層臺(tái)上;在低鐵壓花玻璃(6)上放第一張封裝膠膜(7);將串接好的電池串放置在第一封裝膠膜(7)上，并進(jìn)行匯流;接著在電池串的四周設(shè)置導(dǎo)電保護(hù)環(huán)(I)，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)(I)設(shè)置在第一張封裝膠膜(7)上面，并且導(dǎo)電保護(hù)環(huán)(I)與電池串的四周及低鐵壓花玻璃(6)的四周保持距離，再于電池串上放置第二張封裝膠膜(8)，在第二張封裝膠膜(8)上放置背板(9)，然后將導(dǎo)電保護(hù)環(huán)(I)和組件的正負(fù)極引出，最后進(jìn)行層壓密封。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種抗PID的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于，導(dǎo)電保護(hù)環(huán)(I)的邊緣到低鐵壓花玻璃(6)的邊緣的距離為I?1.5厘米。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種抗PID的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于，層壓密封具體為:將鋪設(shè)好的組件放入層壓機(jī)內(nèi)，通過抽真空將組件內(nèi)的空氣抽出，同時(shí)加熱使封裝膠膜熔化并將電池片、低鐵壓花玻璃和背板粘接在一起，完成層壓密封。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種抗PID的晶體硅太陽電池組件的制備方法，其特征在于，層壓密封完成后，裝框，安裝接線盒，構(gòu)成抗PID的晶體硅太陽電池組件。
【文檔編號(hào)】H01L31/048GK105826416SQ201610290234
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月4日
【發(fā)明人】楊宏, 王鶴
【申請(qǐng)人】西安交通大學(xué)