本發(fā)明涉及顯示，特別是涉及一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、由于顯示面板尺寸增大后，或亮度提升后，屏幕發(fā)光電流增大，但aa區(qū)陰極方阻太大，導(dǎo)致vss出現(xiàn)大幅度的ir?drop。為保證像素電路正常工作和顯示畫面亮度的一致性，需要將vdd/vss電壓壓差設(shè)置需要很大，這樣就無法避免造成發(fā)光功耗的巨大浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)如何降低功耗的問題，提供一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。

2、一種顯示面板，所述顯示面板包括：

3、基板；

4、像素限定層，位于所述基板的一側(cè)，所述像素限定層具有像素開口和位于所述像素開口一側(cè)的輔助電極開口；

5、第一電極層，位于所述基板的一側(cè)，且至少部分暴露于所述像素限定層的像素開口內(nèi)；

6、至少一個(gè)突起結(jié)構(gòu)，位于所述基板的一側(cè)，且位于所述像素限定層的輔助電極開口內(nèi)；

7、輔助電極層，覆設(shè)于所述突起結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；以及

8、第二電極層，位于所述像素限定層、所述第一電極層與所述輔助電極層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述第二電極層與所述輔助電極層在所述突起結(jié)構(gòu)的位置連接。

9、應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案的顯示面板，由于第二電極層與輔助電極層在輔助層的突起結(jié)構(gòu)位置連接，輔助電極層可作為陣列上的vss信號(hào)走線，因此能夠?qū)崿F(xiàn)減小vss電壓irdrop，降低功耗的技術(shù)效果。

10、在一個(gè)可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述顯示面板還包括輔助層，所述輔助層位于所述基板的一側(cè)，且位于所述像素限定層的輔助電極開口內(nèi)；所述突起結(jié)構(gòu)嵌入所述輔助層內(nèi)且至少部分突出于所述輔助層的表面。

11、在一個(gè)可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述輔助層的材料為有機(jī)材料；

12、優(yōu)選地，所述突起結(jié)構(gòu)突出于所述輔助層表面的尺寸為0.2μm～1μm。

13、在一個(gè)可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述突起結(jié)構(gòu)的材質(zhì)選自無機(jī)氮化物與無機(jī)氧化物中的至少一種；

14、優(yōu)選地，所述突起結(jié)構(gòu)的材質(zhì)選自sinx與siox中的至少一種。

15、在一個(gè)可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述突起結(jié)構(gòu)的尺寸為0.1μm～1μm。

16、在一個(gè)可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述顯示面板還包括發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層位于所述第二電極層靠近所述基板的一側(cè)，且所述發(fā)光功能層在所述突起結(jié)構(gòu)的位置斷開；

17、優(yōu)選地，所述第一電極層為陽極，所述第二電極層為陰極，所述輔助電極層為輔助陰極。

18、一種顯示面板的制備方法，包括如下步驟：

19、提供基板；

20、在所述基板的一側(cè)形成至少一個(gè)突起結(jié)構(gòu)；

21、在所述基板的一側(cè)形成第一電極層，以及在所述突起結(jié)構(gòu)的一側(cè)形成輔助電極層，所述輔助電極層覆設(shè)于所述突起結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

22、在所述基板的一側(cè)形成像素限定層，所述像素限定層具有暴露所述第一電極層的像素開口和暴露所述輔助電極層的輔助電極開口；以及

23、在所述像素限定層、所述第一電極層與所述輔助電極層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第二電極層，所述第二電極層與所述輔助電極層在所述突起結(jié)構(gòu)的位置連接，得到顯示面板。

24、本發(fā)明技術(shù)方案的顯示面板的制備方法工藝簡(jiǎn)單，制備得到的顯示面板中，由于第二電極層與輔助電極層在輔助層的突起結(jié)構(gòu)位置連接，輔助電極層可作為陣列上的vss信號(hào)走線，因此能夠?qū)崿F(xiàn)減小vss電壓ir?drop，降低功耗的技術(shù)效果。

25、在一個(gè)可行的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述基板的一側(cè)形成至少一個(gè)突起結(jié)構(gòu)的操作為：在所述基板的一側(cè)形成輔助層和至少一個(gè)突起結(jié)構(gòu)；其中，所述輔助層位于所述像素限定層的輔助電極開口內(nèi)，至少一個(gè)所述突起結(jié)構(gòu)嵌入所述輔助層內(nèi)且至少部分突出于所述輔助層的表面。

26、在一個(gè)可行的實(shí)現(xiàn)方式中，形成第二電極層之前，還包括如下步驟：

27、在所述像素限定層、所述第一電極層與所述輔助電極層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層在所述突起結(jié)構(gòu)的位置斷開。

28、一種顯示裝置，包括上述任一的顯示面板或者采用上述任一的顯示面板的制備方法制備得到的顯示面板。

29、本發(fā)明技術(shù)方案的顯示裝置包括上述顯示面板，由于第二電極層與輔助電極層在輔助層的突起結(jié)構(gòu)位置連接，輔助電極層可作為陣列上的vss信號(hào)走線，因此能夠?qū)崿F(xiàn)減小vss電壓ir?drop，降低功耗的技術(shù)效果。

技術(shù)特征：

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括輔助層，所述輔助層位于所述基板的一側(cè)，且位于所述像素限定層的輔助電極開口內(nèi)；所述突起結(jié)構(gòu)嵌入所述輔助層內(nèi)且至少部分突出于所述輔助層的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述輔助層的材料為有機(jī)材料；

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于，所述突起結(jié)構(gòu)的材質(zhì)選自無機(jī)氮化物與無機(jī)氧化物中的至少一種；

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于，所述突起結(jié)構(gòu)的尺寸為0.1μm～1μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層位于所述第二電極層靠近所述基板的一側(cè)，且所述發(fā)光功能層在所述突起結(jié)構(gòu)的位置斷開；

7.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述基板的一側(cè)形成至少一個(gè)突起結(jié)構(gòu)的操作為：在所述基板的一側(cè)形成輔助層和至少一個(gè)突起結(jié)構(gòu)；其中，所述輔助層位于所述像素限定層的輔助電極開口內(nèi)，至少一個(gè)所述突起結(jié)構(gòu)嵌入所述輔助層內(nèi)且至少部分突出于所述輔助層的表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，形成第二電極層之前，還包括如下步驟：

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的顯示面板或者采用權(quán)利要求7～9中任一項(xiàng)所述的顯示面板的制備方法制備得到的顯示面板。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。顯示面板包括：基板；像素限定層，位于基板的一側(cè)，像素限定層具有像素開口和位于像素開口一側(cè)的輔助電極開口；第一電極層，位于基板的一側(cè)，且至少部分暴露于像素限定層的像素開口內(nèi)；至少一個(gè)突起結(jié)構(gòu)，位于基板的一側(cè)，且位于像素限定層的輔助電極開口內(nèi)；輔助電極層，覆設(shè)于突起結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離基板的一側(cè)；以及第二電極層，位于像素限定層、第一電極層與輔助電極層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，第二電極層與輔助電極層在突起結(jié)構(gòu)的位置連接。本發(fā)明的顯示面板，由于第二電極層與輔助電極層在突起結(jié)構(gòu)的位置連接，輔助電極層可作為陣列上的VSS信號(hào)走線，因此能夠?qū)崿F(xiàn)減小VSS電壓IR?drop，降低功耗的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：陳龍,米磊,蓋翠麗,郭雙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：云谷（固安）科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8