本發(fā)明涉及核工業(yè)的廢氣處理工藝，尤其涉及一種干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置及方法。

背景技術(shù)：

1、clf3是一種幾乎無(wú)色的氣體或微黃色液體(沸點(diǎn)約285k)，化學(xué)性質(zhì)極其活潑，具有強(qiáng)腐蝕性和強(qiáng)氧化性。clf3能與大多數(shù)有機(jī)和無(wú)機(jī)材料甚至塑料發(fā)生反應(yīng)，使許多材料不接觸火源便引起燃燒。這些反應(yīng)通常很劇烈，在某些情況下甚至?xí)l(fā)生爆炸。clf3是一種劇毒物質(zhì)，即使?jié)舛群艿鸵簿哂袧撛谖ｋU(xiǎn)性。主要是對(duì)接觸表面的腐蝕引起的損害以及其水解產(chǎn)物的毒害作用。目前，clf3廢氣處理方法包括：干式除塵法，其中有害氣體流過(guò)填充有固體吸附劑的填充柱以消除有害氣體；濕式除塵法，其中有害氣體通過(guò)與堿性水溶液接觸而分解。

2、目前，國(guó)外多采用合成沸石或氧化鐵分解劑將clf3分解后，通過(guò)堿性反應(yīng)劑吸收分解產(chǎn)物；國(guó)內(nèi)采用干-濕法聯(lián)用的方式，采用堿性反應(yīng)物吸收、活性炭吸附和堿液洗滌的方式處理clf3尾氣。相較于國(guó)外分解-吸收的處理工藝，國(guó)內(nèi)采用的多級(jí)吸收-吸附處理工藝，存在吸收劑和吸附劑更換頻繁、二次廢液量大、有害物質(zhì)易解吸、處理效率較低等問(wèn)題。上述問(wèn)題亟待解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明公開(kāi)了一種干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置及方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題。

2、本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

3、本發(fā)明提供了一種干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其包括：第一凈化裝置、第二凈化裝置和第三凈化裝置；所述第一凈化裝置的進(jìn)氣口用于連通外界的需要處理的含氟尾氣，出氣口連通所述第二凈化裝置的進(jìn)氣口，且所述第一凈化裝置中裝填有堿石灰顆粒；所述第二凈化裝置的出氣口連通所述第三凈化裝置的進(jìn)氣口，且第二凈化裝置中裝填有鐵的氧化物顆粒；所述第三凈化裝置中裝填有氫氧化物顆粒。

4、在本發(fā)明的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置中，所述堿石灰顆粒中氧化鈣重量百分含量大于等于75％。

5、在本發(fā)明的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置中，所述鐵的氧化物顆粒包括氧化亞鐵顆粒和氧化鐵顆粒。

6、在本發(fā)明的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置中，所述鐵的氧化物顆粒所述氧化鐵的重量百分比為30-80％。

7、在本發(fā)明的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置中，所述鐵的氧化物顆粒的粒徑為1-15mm。

8、在本發(fā)明的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置中，所述氫氧化物顆粒包括氫氧化鈣顆粒、氫氧化鉀顆粒和氫氧化鈉顆粒。

9、在本發(fā)明的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置中，所述氫氧化物顆粒中氫氧化鈣的重量百分含量為50-100％。

10、在本發(fā)明的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置中，所述氫氧化物顆粒的粒徑為1-10mm。

11、在本發(fā)明的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置中，還包括稀釋裝置；所述稀釋裝置用于對(duì)進(jìn)入所述第一凈化裝置的尾氣進(jìn)行稀釋?zhuān)野ń邮掌?、第一進(jìn)料管、第二進(jìn)料管、第一閥門(mén)、第二閥門(mén)、第一壓力測(cè)量元件和第二壓力測(cè)量元件；所述第一進(jìn)料管一端用于連通外界的需要處理的含氟尾氣，另一端連通所述接收器，且第一進(jìn)料管上設(shè)置所述第一閥門(mén)和所述第一壓力測(cè)量元件；所述第二進(jìn)料管一端用于連通外界的惰性氣體，另一端連通所述接收器，且第二進(jìn)料管上設(shè)置所述第二閥門(mén)和所述第二壓力測(cè)量元件；所述接收器的出氣口連通所述第一凈化裝置的進(jìn)氣口。

12、在第二方面，本發(fā)明還提供了一種干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的方法，其包括如下步驟：

13、將需要處理的含氟尾氣通入進(jìn)行稀釋?zhuān)?/p>

14、稀釋后的所述含氟尾氣依次經(jīng)過(guò)堿石灰顆粒、鐵的氧化物顆粒和氫氧化物顆粒處理后，得到凈化氣體。

15、本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果：

16、本發(fā)明主要提供了一種干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，基于以堿石灰顆粒進(jìn)行第一級(jí)凈化，以鐵的氧化物顆粒進(jìn)行第二級(jí)凈化，以氫氧化物顆粒進(jìn)行第三次凈化；凈化流程更加簡(jiǎn)單，且不產(chǎn)生二次廢液，安全性更高，且凈化處理效率也更高。

技術(shù)特征：

1.一種干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，包括：第一凈化裝置、第二凈化裝置和第三凈化裝置；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，所述堿石灰顆粒中氧化鈣重量百分含量大于等于75％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，所述鐵的氧化物顆粒包括氧化亞鐵顆粒和氧化鐵顆粒。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，所述鐵的氧化物顆粒中氧化鐵的重量百分比為30-80％。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，所述鐵的氧化物顆粒的粒徑為1-15mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，所述氫氧化物顆粒包括氫氧化鈣顆粒、氫氧化鉀顆粒和氫氧化鈉顆粒。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，所述氫氧化物顆中氫氧化鈣的重量百分含量為50-100％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，所述氫氧化物顆粒的粒徑為1-10mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的裝置，其特征在于，還包括稀釋裝置；

10.一種干法去除含氟尾氣中高濃度clf3的方法，其特征在于，包括如下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種干法去除含氟尾氣中高濃度ClF<subgt;3</subgt;的裝置及方法，其中裝置包括：第一凈化裝置、第二凈化裝置和第三凈化裝置；所述第一凈化裝置的進(jìn)氣口用于連通外界的需要處理的含氟尾氣，出氣口連通所述第二凈化裝置的進(jìn)氣口，且所述第一凈化裝置中裝填有堿石灰顆粒；所述第二凈化裝置的出氣口連通所述第三凈化裝置的進(jìn)氣口，且第二凈化裝置中裝填有氧化鐵顆粒；所述第三凈化裝置中裝填有氫氧化物顆粒。本發(fā)明基于以堿石灰顆粒進(jìn)行第一級(jí)凈化，以鐵的氧化物顆粒進(jìn)行第二級(jí)凈化，以氫氧化物顆粒進(jìn)行第三次凈化；凈化流程更加簡(jiǎn)單，且不產(chǎn)生二次廢液，安全性更高，且凈化處理效率也更高。

技術(shù)研發(fā)人員：白云,張樂(lè),褚浩然,柳兆峰,楊松,楊青山,趙寧,常思成,馬宇恒,鄭博文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)輻射防護(hù)研究院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8