技術(shù)特征：

1.一種基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：硅襯底、埋氧層、頂部硅層、3c-sic層、硅光器件、射頻器件、光電器件、功率器件及mems器件；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于所述第一功能區(qū)的頂部硅層通過多次不同深度的刻蝕，和/或，摻雜、薄膜沉積、局部開孔、鍺外延工藝，以構(gòu)建形成所述硅光器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅光器件為波導(dǎo)、光柵、調(diào)制器和鍺器件中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于所述第三功能區(qū)的第二子3c-sic層上設(shè)有所述射頻器件；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外延材料為ⅲ-ⅴ族材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述射頻器件為gan?hemt、gaas?hbt、inp?hbt或ga2o3?hemt。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于所述第二功能區(qū)的第一子3c-sic層上鍵合有所述光電器件；

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于所述第四功能區(qū)的第三子3c-sic層上形成有所述功率器件；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于所述第五功能區(qū)的頂部硅層上形成有所述mems器件；

10.一種用于制備如權(quán)利要求1至9任一項所述的基于硅基3c-sic的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種基于硅基3C?SiC的單片異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)及其制備方法，上述集成結(jié)構(gòu)中3C?SiC層設(shè)于頂部硅層上；頂部硅層依次設(shè)有第一功能區(qū)、第二功能區(qū)、第三功能區(qū)、第四功能區(qū)和第五功能區(qū)；3C?SiC層依次設(shè)有第一子3C?SiC層、第二子3C?SiC層和第三子3C?SiC層；第一功能區(qū)用于形成硅光器件；第一子3C?SiC層、第二子3C?SiC層和第三子3C?SiC層分別與第二功能區(qū)、第三功能區(qū)和第四功能區(qū)對應(yīng)設(shè)置，分別用于設(shè)置光電器件、射頻器件和功率器件；第五功能區(qū)用于設(shè)置MEMS器件，以構(gòu)建形成多器件異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)。該集成結(jié)構(gòu)適合集成多元材料；改進(jìn)了集成芯片的熱管理能力，實現(xiàn)了單片集成的串?dāng)_隔離設(shè)計，能夠根據(jù)不同的應(yīng)用場景實現(xiàn)多種器件或模塊集成。

技術(shù)研發(fā)人員：袁俊,彭若詩,吳陽陽,李明哲,徐少東,朱厲陽,郭飛,王寬,陳偉,成志杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湖北九峰山實驗室
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/5