1.一種銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，步驟包括：
2.如權(quán)利要求1所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，步驟s1中，依次使用目數(shù)逐漸增大的砂紙對所述工件進(jìn)行打磨處理，再使用拋光機(jī)進(jìn)行拋光處理，使用丙酮和水的混合溶液進(jìn)行超聲清洗，烘干備用。
3.如權(quán)利要求1所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，所述激光預(yù)處理步驟中，所述脈沖激光的頻率為50-2000khz，掃描速度為10-150mm/s。
4.如權(quán)利要求1所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，在使用脈沖激光掃描所述工件試樣表面時，在大氣或氧氣氣氛下進(jìn)行。
5.如權(quán)利要求1所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，所述均勻氧化層的粗糙度ra為0.2-3μm。
6.如權(quán)利要求1所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，所述微弧氧化處理的時長為5-60min。
7.如權(quán)利要求1所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，在制備微弧氧化陶瓷層時，電源的終止電壓為450-560v。
8.如權(quán)利要求1所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，所述電解液中，naalo2的濃度為5-20g/l，nah2po4的濃度為2-8g/l，naf的濃度為0.5-3g/l。
9.如權(quán)利要求1所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法，其特征在于，所述銅合金包括cu-cr-zr合金、cu-zn合金和/或cu-w合金。
10.一種非閥金屬合金，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9任一項所述的銅合金表面激光預(yù)處理原位制備微弧氧化陶瓷層的方法制得。