本技術(shù)實(shí)施例涉及計(jì)算機(jī)，特別涉及一種掩膜生成模型的訓(xùn)練方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、光刻技術(shù)是指將掩膜上的圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。隨著集成電路的特征尺寸持續(xù)縮短，光刻過(guò)程中的光學(xué)衍射和光學(xué)鄰近效應(yīng)越來(lái)越明顯，導(dǎo)致通過(guò)掩膜光刻在晶圓上的圖案與芯片版圖上的圖案相差較大，進(jìn)而影響了芯片的性能、產(chǎn)能和良率。

2、相關(guān)技術(shù)中，使用基于像素化的水平集逆向光刻技術(shù)對(duì)掩膜進(jìn)行優(yōu)化，以使通過(guò)優(yōu)化后的掩膜光刻在晶圓上的圖案與芯片版圖上的圖案一致。但是，由于像素級(jí)的數(shù)據(jù)量較大，導(dǎo)致該方法的復(fù)雜度較高，掩膜的生成過(guò)程效率低下。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例提供了一種掩膜生成模型的訓(xùn)練方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠提高掩膜生成過(guò)程的效率。所述技術(shù)方案如下：

2、一方面，提供了一種掩膜生成模型的訓(xùn)練方法，所述方法包括：

3、獲取第一樣本芯片版圖和所述第一樣本芯片版圖的水平集，所述第一樣本芯片版圖的水平集表示所述第一樣本芯片版圖中圖案的輪廓線；

4、將所述第一樣本芯片版圖的水平集輸入掩膜生成模型，得到所述掩膜生成模型輸出的第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集，所述第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集表示所述第一預(yù)測(cè)掩膜中圖案的輪廓線；

5、基于所述第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集確定所述第一預(yù)測(cè)掩膜，確定使用所述第一預(yù)測(cè)掩膜進(jìn)行光刻得到的晶圓圖案；

6、基于所述晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異，對(duì)所述掩膜生成模型進(jìn)行訓(xùn)練。

7、另一方面，提供了一種掩膜生成模型的訓(xùn)練裝置，所述裝置包括：

8、第一獲取模塊，用于獲取第一樣本芯片版圖和所述第一樣本芯片版圖的水平集，所述第一樣本芯片版圖的水平集表示所述第一樣本芯片版圖中圖案的輪廓線；

9、水平集生成模塊，用于將所述第一樣本芯片版圖的水平集輸入掩膜生成模型，得到所述掩膜生成模型輸出的第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集，所述第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集表示所述第一預(yù)測(cè)掩膜中圖案的輪廓線；

10、掩膜確定模塊，用于基于所述第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集確定所述第一預(yù)測(cè)掩膜；

11、晶圓圖案確定模塊，用于確定使用所述第一預(yù)測(cè)掩膜進(jìn)行光刻得到的晶圓圖案；

12、第一訓(xùn)練模塊，用于基于所述晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異，對(duì)所述掩膜生成模型進(jìn)行訓(xùn)練。

13、可選地，所述第一獲取模塊，用于：

14、獲取所述第一樣本芯片版圖；

15、對(duì)于所述第一樣本芯片版圖上的任一坐標(biāo)點(diǎn)，根據(jù)所述坐標(biāo)點(diǎn)與所述第一樣本芯片版圖中圖案的位置關(guān)系，確定所述坐標(biāo)點(diǎn)的水平集數(shù)值，所述第一樣本芯片版圖上的多個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)的水平集數(shù)值構(gòu)成所述第一樣本芯片版圖的水平集。

16、可選地，所述第一獲取模塊，用于：

17、在所述坐標(biāo)點(diǎn)位于所述第一樣本芯片版圖中圖案的內(nèi)部的情況下，將所述坐標(biāo)點(diǎn)與所述第一樣本芯片版圖中圖案的輪廓線之間的最小距離的相反數(shù)確定為所述坐標(biāo)點(diǎn)的水平集數(shù)值；

18、在所述坐標(biāo)點(diǎn)位于所述第一樣本芯片版圖中圖案的外部的情況下，將所述坐標(biāo)點(diǎn)與所述第一樣本芯片版圖中圖案的輪廓線之間的最小距離確定為所述坐標(biāo)點(diǎn)的水平集數(shù)值；

19、在所述坐標(biāo)點(diǎn)位于所述第一樣本芯片版圖中圖案的輪廓線上的情況下，將目標(biāo)數(shù)值確定為所述坐標(biāo)點(diǎn)的水平集數(shù)值，所述目標(biāo)數(shù)值等于0。

20、可選地，所述第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集包括所述第一預(yù)測(cè)掩膜上的多個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)的水平集數(shù)值，所述掩膜確定模塊，用于：

21、對(duì)于所述第一預(yù)測(cè)掩膜上的任一坐標(biāo)點(diǎn)，在所述坐標(biāo)點(diǎn)的水平集數(shù)值不大于0的情況下，將所述坐標(biāo)點(diǎn)的像素值確定為1，在所述坐標(biāo)點(diǎn)的水平集數(shù)值大于0的情況下，將所述坐標(biāo)點(diǎn)的像素值確定為0。

22、可選地，所述晶圓圖案確定模塊，用于：

23、確定所述第一預(yù)測(cè)掩膜的光強(qiáng)分布參數(shù)；

24、按照光刻物理模型，計(jì)算在所述第一預(yù)測(cè)掩膜的光強(qiáng)分布參數(shù)的條件下所得到的晶圓圖案的光強(qiáng)分布參數(shù)，所述光刻物理模型是用于描述光刻過(guò)程的算法模型；或者，將所述第一預(yù)測(cè)掩膜的光強(qiáng)分布參數(shù)輸入光強(qiáng)預(yù)測(cè)模型，得到所述光強(qiáng)預(yù)測(cè)模型輸出的所述晶圓圖案上的光強(qiáng)分布參數(shù)，所述光強(qiáng)預(yù)測(cè)模型是用于預(yù)測(cè)光刻過(guò)程中的光強(qiáng)分布的深度學(xué)習(xí)模型；

25、基于所述晶圓圖案上的光強(qiáng)分布參數(shù)，確定所述晶圓圖案。

26、可選地，所述第一訓(xùn)練模塊，用于：

27、基于所述晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異，確定第一損失值；

28、基于所述第一損失值，對(duì)所述掩膜生成模型進(jìn)行訓(xùn)練，以使基于訓(xùn)練后的掩膜生成模型得到的第一損失值減小。

29、可選地，所述第一訓(xùn)練模塊，用于：

30、確定離焦誤差、曝光劑量誤差和成像誤差，所述離焦誤差表示光刻過(guò)程中的焦點(diǎn)與標(biāo)準(zhǔn)焦點(diǎn)之間的誤差，所述曝光劑量誤差表示光刻過(guò)程中光刻膠的曝光劑量與標(biāo)準(zhǔn)曝光劑量之間的誤差，所述成像誤差表示所述晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異；

31、基于所述離焦誤差、所述曝光劑量誤差和所述成像誤差，確定所述第一損失值，所述第一損失值與所述離焦誤差、所述曝光劑量誤差和所述成像誤差正相關(guān)。

32、可選地，所述裝置還包括：

33、第二獲取模塊，用于獲取第一樣本掩膜的水平集，所述第一樣本掩膜用于通過(guò)光刻得到與所述第一樣本芯片版圖一致的晶圓圖案，所述第一樣本掩膜的水平集表示所述第一樣本掩膜中圖案的輪廓線；

34、所述第一訓(xùn)練模塊，用于：

35、基于所述晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異，以及所述第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集與所述第一樣本掩膜的水平集之間的差異，對(duì)所述掩膜生成模型進(jìn)行訓(xùn)練。

36、可選地，所述第一訓(xùn)練模塊，用于：

37、基于所述述晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異，確定第一損失值；

38、基于所述第一預(yù)測(cè)掩膜的水平集與所述第一樣本掩膜的水平集之間的差異，確定第二損失值；

39、將所述第一損失值和所述第二損失值進(jìn)行加權(quán)求和，得到第三損失值；

40、基于所述第三損失值，對(duì)所述掩膜生成模型進(jìn)行訓(xùn)練，以使基于訓(xùn)練后的掩膜生成模型得到的第三損失值減小。

41、可選地，所述第二獲取模塊，用于：

42、將所述第一樣本芯片版圖的水平集確定為參考水平集；

43、對(duì)所述參考水平集執(zhí)行以下迭代過(guò)程：基于所述參考水平集確定參考掩膜，確定使用所述參考掩膜進(jìn)行光刻得到的參考晶圓圖案；基于所述參考晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異，對(duì)所述參考水平集進(jìn)行調(diào)整，以使基于調(diào)整后的參考水平集得到的參考晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異減??；

44、響應(yīng)于所述迭代過(guò)程滿足迭代結(jié)束條件，停止所述迭代過(guò)程，得到所述第一樣本掩膜的水平集。

45、可選地，所述第二獲取模塊，用于：

46、基于所述參考晶圓圖案與所述第一樣本芯片版圖之間的差異，確定第四損失值；

47、基于所述第四損失值，對(duì)所述參考水平集進(jìn)行調(diào)整，以使基于調(diào)整后的參考水平集得到的第四損失值減小。

48、可選地，所述掩膜生成模型是預(yù)訓(xùn)練后的模型，所述裝置還包括第二訓(xùn)練模塊，用于：

49、獲取第二樣本芯片版圖的水平集和第二樣本掩膜的水平集，所述第二樣本掩膜用于通過(guò)光刻得到與所述第二樣本芯片版圖一致的晶圓圖案，所述第二樣本芯片版圖的水平集表示所述第二樣本芯片版圖中圖案的輪廓線，所述第二樣本掩膜的水平集表示所述第二樣本掩膜中圖案的輪廓線；

50、將所述第二樣本芯片版圖的水平集輸入所述掩膜生成模型，得到所述掩膜生成模型輸出的第二預(yù)測(cè)掩膜的水平集，所述第二預(yù)測(cè)掩膜的水平集表示所述第二預(yù)測(cè)掩膜中圖案的輪廓線；

51、基于所述第二預(yù)測(cè)掩膜的水平集與所述第二樣本掩膜的水平集之間的差異，對(duì)所述掩膜生成模型進(jìn)行預(yù)訓(xùn)練。

52、可選地，所述裝置還包括模型使用模塊，用于：

53、獲取目標(biāo)芯片版圖的水平集；

54、將所述目標(biāo)芯片版圖的水平集輸入訓(xùn)練后的所述掩膜生成模型，得到所述掩膜生成模型輸出的目標(biāo)掩膜的水平集；

55、基于所述目標(biāo)掩膜的水平集確定所述目標(biāo)掩膜，所述目標(biāo)掩膜用于通過(guò)光刻得到與所述目標(biāo)芯片版圖一致的晶圓圖案。

56、另一方面，提供了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，所述計(jì)算機(jī)設(shè)備包括處理器和存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有至少一條計(jì)算機(jī)程序，所述至少一條計(jì)算機(jī)程序由所述處理器加載并執(zhí)行，以實(shí)現(xiàn)如上述方面所述的掩膜生成模型的訓(xùn)練方法所執(zhí)行的操作。

57、另一方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有至少一條計(jì)算機(jī)程序，所述至少一條計(jì)算機(jī)程序由處理器加載并執(zhí)行，以實(shí)現(xiàn)如上述方面所述的掩膜生成模型的訓(xùn)練方法所執(zhí)行的操作。

58、另一方面，提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序由處理器加載并執(zhí)行，以實(shí)現(xiàn)如上述方面所述的掩膜生成模型的訓(xùn)練方法所執(zhí)行的操作。

59、本技術(shù)實(shí)施例提供的方案，在掩膜生成模型的訓(xùn)練過(guò)程中，將樣本芯片版圖的水平集輸入掩膜生成模型，輸出預(yù)測(cè)掩膜的水平集，根據(jù)預(yù)測(cè)掩膜的水平集即可確定預(yù)測(cè)掩膜，該預(yù)測(cè)掩膜也即是模型預(yù)測(cè)得到的該樣本芯片版圖對(duì)應(yīng)的掩膜。然后確定在使用該預(yù)測(cè)掩膜進(jìn)行光刻的情況下所得到的晶圓圖案，該晶圓圖案與該樣本芯片版圖之間的差異越小，該掩膜生成模型預(yù)測(cè)得到的掩膜越準(zhǔn)確，因此可以基于晶圓圖案與樣本芯片版圖之間的差異訓(xùn)練該掩膜生成模型，由于該晶圓圖案的確定過(guò)程是依賴于光刻過(guò)程中的光刻知識(shí)的，因此掩膜生成模型在訓(xùn)練過(guò)程中能夠?qū)W習(xí)到光刻知識(shí)，從而保證了掩膜生成模型的準(zhǔn)確性。并且，相比于像素化的水平集逆向光刻技術(shù)，本技術(shù)僅需調(diào)用訓(xùn)練后的掩膜生成模型即可預(yù)測(cè)得到掩膜，降低了復(fù)雜度，提高了掩膜生成過(guò)程的效率。