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MIP燈珠檢測(cè)方法、裝置及燈珠封裝設(shè)備與流程

文檔序號(hào):41851443發(fā)布日期:2025-05-09 18:10閱讀:3來源:國知局
MIP燈珠檢測(cè)方法、裝置及燈珠封裝設(shè)備與流程

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,具體而言,涉及一種微芯片封裝(micro?chip?inpackage,mip)燈珠檢測(cè)方法、裝置及燈珠封裝設(shè)備。


背景技術(shù):

1、相關(guān)技術(shù)中,mip封裝廠在封裝之后對(duì)mip燈珠逐個(gè)進(jìn)行電致發(fā)光(electroluminescence,el)電測(cè)和el光色檢測(cè),但對(duì)mip燈珠逐個(gè)進(jìn)行el電測(cè)和el光色檢測(cè)會(huì)造成檢測(cè)時(shí)間成本較大,從而增加mip燈珠的生產(chǎn)成本。

2、針對(duì)上述的問題,目前尚未提出有效的解決方案。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種mip燈珠檢測(cè)方法、裝置及燈珠封裝設(shè)備,以至少解決對(duì)mip燈珠逐個(gè)進(jìn)行el電測(cè)和el光色檢測(cè)造成的檢測(cè)時(shí)間成本較大的技術(shù)問題。

2、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面,提供了一種mip燈珠檢測(cè)方法,包括:控制多個(gè)微型micro芯片轉(zhuǎn)移到封裝基板上;對(duì)位于所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片進(jìn)行光致發(fā)光pl光色檢測(cè),識(shí)別所述多個(gè)micro芯片中光色異常的micro芯片;封裝所述多個(gè)micro芯片,形成多個(gè)mip燈珠;對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠進(jìn)行電致發(fā)光el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠。

3、可選地,所述對(duì)位于所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片進(jìn)行pl光色檢測(cè),識(shí)別所述多個(gè)micro芯片中光色異常的micro芯片,包括:對(duì)位于所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片逐個(gè)進(jìn)行pl光色檢測(cè),識(shí)別所述多個(gè)micro芯片中光色異常的micro芯片;和/或,對(duì)位于所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片逐片區(qū)域進(jìn)行pl光色檢測(cè),識(shí)別所述多個(gè)micro芯片中存在光色異常的micro芯片的區(qū)域。

4、可選地,在所述對(duì)位于所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片逐個(gè)進(jìn)行pl光色檢測(cè),識(shí)別所述多個(gè)micro芯片中光色異常的micro芯片之后,還包括:標(biāo)記所述光色異常的micro芯片所在的mip燈珠的坐標(biāo)為第一不合格ng坐標(biāo);和/或,在所述對(duì)位于所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片逐片區(qū)域進(jìn)行pl光色檢測(cè),識(shí)別所述多個(gè)micro芯片中存在光色異常的micro芯片的區(qū)域之后,還包括:標(biāo)記所述存在光色異常的micro芯片的區(qū)域中的mip燈珠的坐標(biāo)為第二ng坐標(biāo)。

5、可選地,所述對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠進(jìn)行el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠,包括:對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠逐個(gè)進(jìn)行el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠。

6、可選地,在所述對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠逐個(gè)進(jìn)行el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠之后,還包括:標(biāo)記所述電學(xué)性能異常的mip燈珠的坐標(biāo)為第三ng坐標(biāo)。

7、可選地,在所述對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠進(jìn)行el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠之后,還包括:基于所述第一ng坐標(biāo)或所述第二ng坐標(biāo),在分選環(huán)節(jié)剔除光色異常的mip燈珠;和/或,基于所述第三ng坐標(biāo),在分選環(huán)節(jié)剔除所述電學(xué)性能異常的mip燈珠。

8、根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供了一種mip燈珠檢測(cè)裝置,包括:控制模塊,用于控制多個(gè)micro芯片轉(zhuǎn)移到封裝基板上;第一識(shí)別模塊,用于對(duì)位于所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片進(jìn)行pl光色檢測(cè),識(shí)別所述多個(gè)micro芯片中光色異常的micro芯片;封裝模塊,用于封裝所述多個(gè)micro芯片,形成多個(gè)mip燈珠;第二識(shí)別模塊,用于對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠進(jìn)行el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠。

9、根據(jù)本發(fā)明的還一方面,提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)包括存儲(chǔ)的可執(zhí)行程序,其中,在所述可執(zhí)行程序運(yùn)行時(shí)控制所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)所在設(shè)備執(zhí)行上述任意一項(xiàng)所述的mip燈珠檢測(cè)方法。

10、根據(jù)本發(fā)明的再一方面,提供了一種燈珠封裝設(shè)備,包括:巨轉(zhuǎn)設(shè)備和控制器,其中,所述控制器用于控制所述巨轉(zhuǎn)設(shè)備將多個(gè)micro芯片轉(zhuǎn)移到封裝基板上;所述控制器,還用于基于上述任意一項(xiàng)所述的mip燈珠檢測(cè)方法對(duì)所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片形成的多個(gè)mip燈珠進(jìn)行檢測(cè)。

11、根據(jù)本發(fā)明的再一方面,提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,包括計(jì)算機(jī)程序,所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)mip燈珠檢測(cè)方法中任一項(xiàng)所述方法的步驟。

12、在本發(fā)明實(shí)施例中,采用結(jié)合光致發(fā)光(photo?luminescence,pl)光色檢測(cè)和el電測(cè)的方式,通過在封裝前對(duì)微型(micro)芯片進(jìn)行pl光色檢測(cè),以及在封裝后對(duì)mip燈珠進(jìn)行el電測(cè),達(dá)到了有效識(shí)別并剔除光色異常和電學(xué)性能異常的mip燈珠的目的,從而實(shí)現(xiàn)了提高mip燈珠的生產(chǎn)效率、降低mip燈珠的生產(chǎn)成本的技術(shù)效果,進(jìn)而解決了對(duì)mip燈珠逐個(gè)進(jìn)行el電測(cè)和el光色檢測(cè)造成的檢測(cè)時(shí)間成本較大的技術(shù)問題。



技術(shù)特征:

1.一種微芯片封裝mip燈珠檢測(cè)方法,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述對(duì)位于所述封裝基板上的所述多個(gè)micro芯片進(jìn)行pl光色檢測(cè),識(shí)別所述多個(gè)micro芯片中光色異常的micro芯片,包括:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠進(jìn)行el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠,包括:

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,在所述對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠逐個(gè)進(jìn)行el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠之后,還包括:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,在所述對(duì)封裝后的所述多個(gè)mip燈珠進(jìn)行el電測(cè),識(shí)別所述多個(gè)mip燈珠中電學(xué)性能異常的mip燈珠之后,還包括:

7.一種mip燈珠檢測(cè)裝置,其特征在于,包括:

8.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其特征在于,所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)包括存儲(chǔ)的可執(zhí)行程序,其中,在所述可執(zhí)行程序運(yùn)行時(shí)控制所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)所在設(shè)備執(zhí)行權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的mip燈珠檢測(cè)方法。

9.一種燈珠封裝設(shè)備,其特征在于,包括:巨轉(zhuǎn)設(shè)備和控制器,其中,

10.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,包括計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述方法的步驟。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種MIP燈珠檢測(cè)方法、裝置及燈珠封裝設(shè)備。其中,該方法包括:控制多個(gè)微型Micro芯片轉(zhuǎn)移到封裝基板上;對(duì)位于封裝基板上的多個(gè)Micro芯片進(jìn)行光致發(fā)光PL光色檢測(cè),識(shí)別多個(gè)Micro芯片中光色異常的Micro芯片;封裝多個(gè)Micro芯片,形成多個(gè)MIP燈珠;對(duì)封裝后的多個(gè)MIP燈珠進(jìn)行電致發(fā)光EL電測(cè),識(shí)別多個(gè)MIP燈珠中電學(xué)性能異常的MIP燈珠。本發(fā)明解決了對(duì)MIP燈珠逐個(gè)進(jìn)行EL電測(cè)和EL光色檢測(cè)造成的檢測(cè)時(shí)間成本較大的技術(shù)問題。

技術(shù)研發(fā)人員:黃子岳,蒲計(jì)志,王子翔,黃立元,潘彤
受保護(hù)的技術(shù)使用者:利晶微電子技術(shù)(江蘇)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/8
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