1.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光單元(301)包括依次層疊設(shè)置的第一半導體層(33)、發(fā)光層(34)和第二半導體層(35)，所述第一半導體層(33)位于所述緩沖層(10)遠離所述襯底(20)一側(cè)的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光單元(301)還包括：金屬反射層(90)，所述金屬反射層(90)位于所述第二半導體層(35)遠離所述發(fā)光層(34)的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
13.一種半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述對所述緩沖層(10)的第二區(qū)域(12)選擇性刻蝕以制備光阻結(jié)構(gòu)(121)，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述第二半導體層(35)遠離所述發(fā)光層(34)的一側(cè)形成金屬反射層(90)之后，還包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，對所述緩沖層(10)的第二區(qū)域(12)進行選擇性刻蝕，形成光阻結(jié)構(gòu)之后，還包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在對所述緩沖層(10)的第二區(qū)域(12)選擇性刻蝕以制備光阻結(jié)構(gòu)的同時，對所述緩沖層(10)的第一區(qū)域(11)選擇性刻蝕以制備出光結(jié)構(gòu)，所述出光結(jié)構(gòu)用于提高所述發(fā)光單元(301)的出光效率。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述對所述緩沖層(10)的第一區(qū)域(11)選擇性刻蝕以制備出光結(jié)構(gòu)(111)，包括：