1.一種含自組裝單分子層的反型鈣鈦礦電池，包括由基底側依次設置的空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層和電極層，其特征在于：所述空穴傳輸層為自組裝單分子層材料，在所述空穴傳輸層與所述鈣鈦礦層之間還設置有連接層，所述連接層內設置有無機材料，所述無機材料為氮化物、硫化物、氧化物中的一種或多種的結合。
2.根據權利要求1所述的含自組裝單分子層的鈣鈦礦電池，其特征在于：所述連接層包括硫化物和氧化物，所述硫化物與氧化物以設定比例摻合的形式形成所述連接層。
3.根據權利要求1所述的含自組裝單分子層的反型鈣鈦礦電池，其特征在于：所述連接層至少包括兩層，其一層為硫化物層，另一層為氧化物層，硫化物層靠近鈣鈦礦層，氧化物層靠近空穴傳輸層。
4.根據權利要求2或3所述的含自組裝單分子層的反型鈣鈦礦電池，其特征在于：所述連接層的厚度為1-5nm，所述連接層以原子沉積的形式沉積在所述空穴傳輸層上。
5.根據權利要求1所述的含自組裝單分子層的反型鈣鈦礦電池，其特征在于：所述空穴傳輸層材料為[2-(3,6-二甲氧基-9h-咔唑-9-基)乙基]膦酸、或/和(4-(3,6-二甲基-9h-咔唑-9-基)丁基)膦酸；
6.根據權利要求1所述的含自組裝單分子層的反型鈣鈦礦電池，其特征在于：所述無機材料選自氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化硅、氮化鋁、氮化硅、硫化鋅、硫化鉛中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的含自組裝單分子層的反型鈣鈦礦電池，其特征在于：所述連接層包括與鈣鈦礦層連接的硫化鉛層和與空穴傳輸層連接的氧化鋁層。
8.根據權利要求1所述的含自組裝單分子層的反型鈣鈦礦電池，其特征在于：所述鈣鈦礦層材料至少包括mapbi3、fapbi3、cs0.05fa0.85ma0.10pb(i0.95br0.05)3中的其一。
9.一種含自組裝單分子層的反型鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟獲取基底；
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述連接層包括硫化鉛層和氧化鋁層，所述硫化鉛層與所述氧化鋁層均采用原子沉積形成，所述硫化鉛層的制備方法為：