本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光，特別涉及一種雜環(huán)化合物及有機電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

1、目前，作為新一代顯示技術(shù)的有機電致發(fā)光器件(oled)在顯示和照明領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注，展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。隨著oled技術(shù)在顯示與照明領(lǐng)域的不斷發(fā)展，人們對oled器件的性能提出了更高的要求，尤其是在低功耗、高效率和長壽命等方面。因此，開發(fā)更高性能的功能材料和優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)已成為當前研究的熱點。

2、在最常見的oled器件結(jié)構(gòu)中，通常包括以下幾種功能材料：空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料以及發(fā)光材料(包含主體材料和客體材料)等。電子傳輸材料作為一種重要的功能材料，對電子遷移率有著直接的影響，并最終影響oled的發(fā)光效率。因此，提升電子傳輸材料的遷移率、降低器件功耗，已成為提升oled器件性能的重要方向。通過形成串聯(lián)oled結(jié)構(gòu)，將多個發(fā)光疊層堆疊，并在其間夾設(shè)電荷生成層，可進一步提高遷移率。電荷生成層通常包含n型電荷生成層和p型電荷生成層，其中n型電荷生成層作為電子傳輸材料，對提高遷移率、降低功耗具有重要作用。然而，相關(guān)材料的性能提升仍有限，器件效率或壽命仍需進一步改善。

3、因此，需要開發(fā)具有更高遷移率的電荷生成層材料。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明提供了一種雜環(huán)化合物，該化合物可用于制備oled的n型電荷生成層，具有較高的電子遷移率，能夠有效降低器件功耗，提升發(fā)光效率，并延長器件的使用壽命。

2、具體而言，本發(fā)明第一方面實施方式涉及一種雜環(huán)化合物，具有式(1)所示的結(jié)構(gòu)：

3、

4、其中，x1、x2、x3分別獨立地選自n或cr5，且x1～x3中至少一個為n；

5、r1～r5每次出現(xiàn)時，分別獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、硝基、c1-c40的烷基、c1-c40的雜烷基、c2-c40的烯基、c2-c40的炔基、c3-c40的環(huán)烷基、c3-c40雜環(huán)烷基、c6-c60的芳基、c5-c60雜芳基、c1-c40的烷氧基、c6-c60的芳氧基、c3-c40的烷基甲硅烷基、c6-c60的芳基甲硅烷基、c1-c40的烷基硼基、c6-c60的芳基硼基、c6-c60的芳基膦基或c6-c60的芳基胺基；

6、r6選自氫、氘或鹵素；

7、ar1選自取代或未取代的c6-c30亞芳基或取代或未取代的c3-c60亞雜芳基；

8、a、b分別獨立地選自0-5的整數(shù)，c、d或e分別獨立地選自0-2的整數(shù)；

9、l選自單鍵、取代或未取代的c6-c30亞芳基或取代或未取代的c2-c30亞雜芳基；

10、所述雜芳基、亞雜芳基、雜烷基或雜環(huán)烷基中的雜原子獨立選自o、s、n、se、si或ge中的至少一種；

11、所述l、ar1中，所述取代各自獨立地為被氘、鹵素、氰基、異氰基、硝基、c1-c20的烷基、c1-c20的雜烷基、c2-c20的烯基、c2-c20的炔基、c3-c20的環(huán)烷基、c3-c20雜環(huán)烷基、c1-c6烷基取代的胺基、c1-c8烴基取代或未取代的c6-c30的芳基、c1-c8烴基取代或未取代的c4-c30雜芳基、c1-c20的烷氧基、c6-c30的芳氧基、c3-c20的烷基甲硅烷基、c6-c30的芳基甲硅烷基、c1-c20的烷基硼基、c6-c30的芳基硼基、c6-c30的芳基膦基或c6-c30的芳基胺基中的至少一個所取代，其中取代數(shù)目為單取代到最大數(shù)目取代；

12、且，所述雜環(huán)化合物滿足以下條件：

13、(1)ar1不選自c1-c20的烷基取代或未取代的亞蒽基；

14、(2)ar1不選自

15、(3)當-ar1-l-選自以下式(c-1)至式(c-3)所示的結(jié)構(gòu)之一時，l不選自亞苯基或六元亞雜芳基：

16、(4)l和ar1均不包含苯并萘并呋喃環(huán)。

17、本發(fā)明的有益效果如下：

18、本發(fā)明所述雜環(huán)化合物具有含氮雜環(huán)和膦氧基結(jié)構(gòu)，具備高遷移率，可作為oled的電荷生成層材料。特別地，該化合物可與摻雜劑(如堿金屬、堿土金屬、鑭系金屬)發(fā)生配位作用，減小n型電荷生成層和p型電荷生成層之間的能級差，從而促進電子注入到n型電荷生成層中，同時使從n型電荷生成層到相鄰電子輸送層的電子轉(zhuǎn)移最大化，進一步提升器件性能。

19、該化合物應(yīng)用于oled器件中，能夠有效降低驅(qū)動電壓，提升發(fā)光效率，并延長器件壽命，具有應(yīng)用于amoled產(chǎn)業(yè)的潛力。

技術(shù)特征：

1.一種雜環(huán)化合物，其特征在于，具有式(1)所示的結(jié)構(gòu)：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述x1～x3中僅有一個為n。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述雜環(huán)化合物選自以下式(a-1)至式(a-3)所示的結(jié)構(gòu)之一：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述ar1選自以下式(b-1)至式(b-22)所示的結(jié)構(gòu)之一，或其中至少兩者的組合：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述x1或x2為n，其余x1～x3均選自cr5；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物，其特征在于，r1～r5每次出現(xiàn)時，分別獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、c1-c6的烷基、c1-c6的雜烷基、c3-c6的環(huán)烷基、c3-c6雜環(huán)烷基、c6-c12的芳基或c5-c12雜芳基。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雜環(huán)化合物，其特征在于，所述雜環(huán)化合物滿足以下條件中的至少一項：

8.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括陽極和陰極，所述陰極和陽極之間設(shè)有功能層，所述功能層包含如權(quán)利要求1-7任一項所述的雜環(huán)化合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述功能層自所述陽極一側(cè)向所述陰極一側(cè)依次層疊設(shè)置第一發(fā)光單元、電荷生成層和第二發(fā)光單元，所述電荷生成層中包含上述的雜環(huán)化合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電荷生成層自所述第一發(fā)光單元一側(cè)向所述第二發(fā)光單元一側(cè)依次層疊設(shè)置n型電荷生成層和p型電荷生成層，所述n型電荷生成層中包含所述雜環(huán)化合物；

11.一種光電元件，其特征在于，包括如權(quán)利要求8-10任一項所述的有機電致發(fā)光器件。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種雜環(huán)化合物及有機電致發(fā)光器件。該化合物具有式(1)所示的結(jié)構(gòu)：X<subgt;1</subgt;、X<subgt;2</subgt;、X<subgt;3</subgt;獨立地選自N或CR<subgt;5</subgt;，且X<subgt;1</subgt;～X<subgt;3</subgt;中至少一個為N。該化合物可用于制備OLED的N型電荷生成層，能夠有效降低器件功耗，提升發(fā)光效率，并延長器件的使用壽命，具有應(yīng)用于AMOLED產(chǎn)業(yè)的潛力。

技術(shù)研發(fā)人員：陳少福,譚甲輝,白科研,戴雷,蔡麗菲
受保護的技術(shù)使用者：廣東阿格蕾雅光電材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8