本發(fā)明總體上涉及熱界面材料，更具體地涉及用于與發(fā)熱電氣裝置和散熱結(jié)構(gòu)相連的傳導(dǎo)性界面產(chǎn)品，其中界面產(chǎn)品還用于抑制通過它的電磁輻射的傳播。本發(fā)明還涉及通過使用混合縱橫比顆粒分散體獲得增強(qiáng)的功能性質(zhì)的界面材料。

背景技術(shù)：

導(dǎo)熱界面材料廣泛地用于電子工業(yè)中，用于可操作地將產(chǎn)生熱量的電子組件耦合到散熱結(jié)構(gòu)。最典型地，這種導(dǎo)熱界面材料與產(chǎn)生熱量的電子組件諸如集成電路(IC)、中央處理單元(CPU)和包含相對高密度的導(dǎo)電線路和電阻器元件的其他電子組件結(jié)合使用。特別地，熱界面材料通常用于將這種產(chǎn)生熱量的電子組件可操作地耦合到散熱結(jié)構(gòu)，例如翅片式散熱結(jié)構(gòu)。以這種方式，由電子組件產(chǎn)生的過量熱能可以經(jīng)由熱界面材料被排出到散熱結(jié)構(gòu)。

除了產(chǎn)生過多的熱能之外，某些電子裝置還產(chǎn)生多種頻率的電磁輻射。這種輻射可以具有對其他電子裝置產(chǎn)生電磁干擾(EMI)的效果，所述其他電子裝置對接收的電磁波形式敏感和/或調(diào)諧(tuned)。對電磁干擾敏感的裝置包括：例如便攜式電話、便攜式無線電、筆記本電腦等。

隨著對電磁干擾敏感的便攜式電子裝置的普及度提高，這種裝置的內(nèi)部電子組件的制造商已經(jīng)將電磁輻射吸收物質(zhì)結(jié)合到與產(chǎn)生電磁輻射的裝置相鄰設(shè)置的導(dǎo)熱界面材料中。因此，在熱界面材料中實(shí)現(xiàn)具有吸收、反射或以其他方式抑制電磁輻射穿過界面的透射的操作特性的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，這種熱界面材料結(jié)構(gòu)起到提供散熱路徑的作用，同時(shí)抑制來自熱界面材料所針對的相應(yīng)電子組件的電磁輻射的透射。

然而，迄今提出的用于提供這種特性的熱界面材料結(jié)構(gòu)利用熱界面材料主要基質(zhì)內(nèi)的導(dǎo)熱和抑制輻射顆粒的均勻或準(zhǔn)均勻分散體。所得組合物，特別是在總填料充填體積分?jǐn)?shù)較低時(shí)(例如≤50體積％)，具有有限的導(dǎo)熱性和電磁干擾抑制能力。在這樣的總填料充填體積分?jǐn)?shù)(其通常是實(shí)現(xiàn)所需機(jī)械性能所必需的)下，難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱性和電磁輻射抑制。隨著電子組件的功率增加以及封裝密度的增加，出現(xiàn)增強(qiáng)熱界面材料內(nèi)的熱傳遞和電磁抑制能力的需求。

因此，本發(fā)明的目的是提供具有優(yōu)于傳統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)的導(dǎo)熱性和電磁干擾抑制性質(zhì)的界面產(chǎn)品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

通過本發(fā)明，與包含等量的顆粒填料充填體積分?jǐn)?shù)的常規(guī)界面材料相比，可以改進(jìn)適形界面材料的導(dǎo)熱性和/或電磁抑制。其結(jié)果是，本發(fā)明的界面材料適當(dāng)?shù)乇３诌m形，以便最小化電子組件和/或散熱部件界面處的熱能傳遞阻抗。

在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明的熱界面材料可設(shè)置在熱源附近用于從熱源散熱并用于屏蔽電磁干擾。熱界面材料包括聚合物基質(zhì)與以30-50體積％分散在聚合物基質(zhì)內(nèi)的導(dǎo)熱顆粒填料。顆粒填料包括具有0.8-1.2之間的縱橫比和球形顆粒體積的大致球形的顆粒。顆粒填料進(jìn)一步包括具有長度、寬度和厚度以及片狀顆粒體積的片狀顆粒。片狀顆粒的長度和寬度各自遠(yuǎn)大于片狀顆粒的厚度，從而使得片狀顆粒具有至少10的縱橫比。片狀顆粒與球形顆粒的體積充填比在0.1:1和1:1之間。片狀粒徑與球形粒徑的粒徑比在1:1和20:1之間。熱界面材料表現(xiàn)出至少0.5W/m·K的導(dǎo)熱系數(shù)。

在一些實(shí)施方案中，電子封裝件可以設(shè)置有電子組件和散熱部件，其中，熱界面材料設(shè)置在電子組件和散熱部件之間并與之接觸。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的電子封裝件的示意圖；

圖2是圖1所示的電子封裝件的界面部分的分離圖；

圖3是大致球形顆粒的圖示；

圖4是大致片狀顆粒的圖示；

圖5是描述多種氮化硼/氧化鋁顆粒共混物的導(dǎo)熱性隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比變化的圖；

圖6是描述氮化硼/氧化鋁顆粒共混物的導(dǎo)熱性隨著相對粒徑比和相對體積充填比變化的圖；

圖7是描述石墨烯/氧化鋁顆粒共混物的導(dǎo)熱性隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比變化的圖；

圖8是描述石墨烯/氧化鋁顆粒共混物的導(dǎo)熱性隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比變化的圖；

圖9是描述石墨烯/氧化鋁顆粒共混物的電磁輻射吸收隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比變化的圖；

圖10是描述石墨烯/氧化鋁顆粒共混物的電磁輻射吸收隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比變化的圖；

圖11是描述石墨烯/氧化鋁顆粒共混物的導(dǎo)熱性隨著總顆粒填料充填濃度和相對體積充填比變化的圖；并且

圖12是描述石墨烯/氧化鋁顆粒共混物的電磁輻射吸收隨著總顆粒填料充填濃度和相對體積充填比變化的圖。

具體的優(yōu)選實(shí)施方案

現(xiàn)在，上文列舉的目的和優(yōu)點(diǎn)以及由本發(fā)明提出的其他目的、特征和改進(jìn)將參照附圖描述以詳細(xì)的實(shí)施方案給出。本發(fā)明的其他實(shí)施方案和方面被認(rèn)為是在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所掌握的范圍之內(nèi)。

為了本發(fā)明的目的，術(shù)語“電磁輻射”、“電磁干擾”和“EMI”旨在表示能夠干擾諸如處理器、發(fā)射器、接收器等的電子組件的正常操作的輻射。這種輻射通常可能在1-10GHz的范圍內(nèi)。上文列出的術(shù)語以及其他類似術(shù)語旨在表示在該頻率范圍內(nèi)的輻射，并且因此可能可互換地使用，以限定由本發(fā)明的材料影響(吸收、反射、包含等)的輻射傳輸。

現(xiàn)在參考附圖，首先參考圖1，電子封裝件10包括電子組件12、散熱部件14和設(shè)置在電子組件12和散熱部件14之間并與它們接觸的熱界面16。在其他實(shí)施方案中，界面16可能不與電子組件12和散熱部件14中的一個(gè)或兩個(gè)發(fā)生物理接觸，但是仍然是沿著從電子組件12到散熱部件14的散熱路徑的。界面16優(yōu)選地適于有效地傳導(dǎo)熱能，并抑制電磁輻射的傳播。EMI的抑制可以通過電磁輻射的吸收和反射的組合來實(shí)現(xiàn)。界面16可以沿著軸線18設(shè)置在電子組件12和散熱部件14之間，軸線18限定從熱源(電子組件12)到散熱部件14的耗散方向20。

優(yōu)選地，界面16的形式是分散在熱塑性或熱固性聚合物基質(zhì)24內(nèi)的顆粒填料22。顆粒填料22包括一種或多種分散在聚合物基質(zhì)24內(nèi)的導(dǎo)熱和抑制EMI的材料，其分散程度足以提供所需的導(dǎo)熱性以及EMI抑制性質(zhì)。顆粒填料22可以包含一種或多種材料，但是在其形態(tài)上是不均勻的。特別地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在單獨(dú)使用其中任何一種顆粒填料形狀的相等充填體積分?jǐn)?shù)相比，由球形和片狀的顆粒的組合組成的非均相顆粒填料形態(tài)產(chǎn)生了導(dǎo)熱性和/或EMI屏蔽的非加和性改進(jìn)。因此，在大多數(shù)實(shí)施方案中，顆粒填料22可以包括兩種或更多種不同的顆粒材料，形成非均相填料形態(tài)。只要實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的非均相填料形態(tài)，很多種材料可以用于制備顆粒填料22。為了本發(fā)明的目的，術(shù)語“形態(tài)”是指構(gòu)成顆粒填料22的顆粒的形狀，其中，“非均相形態(tài)”是指具有不同物理形狀的顆粒，“均相形態(tài)”是指具有基本相似的物理形狀的顆粒。關(guān)于本發(fā)明，考慮包括球形顆粒和片狀顆粒的非均相形態(tài)?？梢杂糜谖赵趯掝l率范圍內(nèi)的電磁輻射的實(shí)例材料包括磁性金屬粉末，例如鎳或鎳合金，以及鐵或鐵合金。其他磁性金屬、磁性金屬氧化物陶瓷和鐵氧體、石墨/碳粉、金屬合金和非金屬填料也可以用作電磁干擾抑制材料。EMI抑制材料的具體示例性實(shí)例包括：Nn-Zn、Ni-Zn、Fe-Ni、Fe-Si、Fe-Al、Fe-Co、鐵和導(dǎo)電金屬和非金屬的合金顆粒，例如銀、銅、碳和石墨，以及氮化硼、聚丙烯腈、石墨和磁性陶瓷。上述材料僅是示例性的，并且并非旨在限制本領(lǐng)域已知的多種EMI抑制材料的使用。

除了EMI抑制性質(zhì)之外，顆粒填料22包括有助于通過界面16傳遞熱能的導(dǎo)熱填料材料。導(dǎo)熱顆粒填料是本領(lǐng)域公知的，并且包括：例如氧化鋁、氮化鋁、氫氧化鋁、氮化硼、氮化鋅和碳化硅。本發(fā)明預(yù)期其他導(dǎo)熱顆粒填料材料可以用于顆粒填料22，并且能夠以足以提供沿耗散方向20具有至少0.5W/m·K的導(dǎo)熱系數(shù)的界面16的濃度分散在聚合物基質(zhì)24內(nèi)。

在致力于實(shí)現(xiàn)比常規(guī)組合物更高的導(dǎo)熱性和/或電磁屏蔽性能方面，申請人已經(jīng)出乎意料地發(fā)現(xiàn)，分散在聚合物基質(zhì)內(nèi)的球形和片狀顆粒的組合的特定的非均相顆粒填料形態(tài)顯示出非加和性的性能增強(qiáng)，其中非均相顆粒填料的給定充填濃度表現(xiàn)出比在聚合物基質(zhì)內(nèi)相等充填體積分?jǐn)?shù)的單獨(dú)的球形或片狀顆粒的均相顆粒填料形態(tài)顯著更好的導(dǎo)熱性和/或電磁屏蔽。然而，這種效果出乎意料地僅在組合屬性的特定框架內(nèi)觀察到，包括總填料充填濃度、顆粒縱橫比、球形和片狀顆粒之間的相對充填比，以及球形和片狀顆粒之間的相對顆粒尺寸比。特別地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)只有這些屬性的特定數(shù)量范圍的組合才導(dǎo)致觀察到的有益性能增強(qiáng)，并且只有在組合中存在每種屬性的每個(gè)這樣的數(shù)量范圍內(nèi)才導(dǎo)致觀察到的有益性能增強(qiáng)。因此，本發(fā)明的出乎意料的發(fā)現(xiàn)源于一致起作用的特定屬性的組合。相比之下，已知的組合物僅僅說明本發(fā)明的關(guān)鍵屬性中的一些，因此沒有實(shí)現(xiàn)本發(fā)明組合的意想不到的結(jié)果。

本發(fā)明的顆粒填料22包括大致球形的顆粒32和大致片狀的顆粒34的組合。為了本發(fā)明的目的，球形顆粒被認(rèn)為具有0.8-1.2之間的縱橫比，其中顆?？v橫比的測定如下：

A＝D_大/D_小

其中，

A＝縱橫比

D_大＝沿顆粒的長度軸或?qū)挾容S所測得的最長尺寸

D_小＝沿著顆粒的厚度軸所測得的尺寸

圖3中說明了示例性的大致球形的顆粒32，其中長度軸“L”、寬度軸“W”和厚度軸“T”在顆粒32的中心原點(diǎn)“O”處垂直相交。因此，大致球形的顆粒32的縱橫比“A”被定義為：沿長度軸“L”或?qū)挾容S“W”的較大通長(through dimension)除以沿厚度軸“T”的通長。因此，在完美球體的情況下，通長是沿著相應(yīng)軸線測得的直徑尺寸，其將導(dǎo)致1.0的縱橫比“A”。

在圖4中說明了具有各自的長度軸、寬度軸和厚度軸的大致片狀的顆粒34。為了本發(fā)明的目的，認(rèn)為片狀顆粒沿其長度軸“L”和寬度軸“W”具有類似的尺寸，但沿其厚度軸“T”具有顯著較小的尺寸，以便產(chǎn)生大于10的縱橫比。在一些實(shí)施方案中，片狀顆粒34表現(xiàn)出至少100的縱橫比。

已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在本發(fā)明的分散體內(nèi)的球形和片狀顆粒尺寸，重要的是它們的相對尺寸，是實(shí)現(xiàn)觀察到的導(dǎo)熱性和EMI抑制性質(zhì)的重要方面。因此，可以使用“等效球體”的概念來表示各自的粒徑。在這種情況下，粒徑由具有與實(shí)際顆粒相同性質(zhì)(例如體積)的等效球體的直徑來定義。為了本申請的目的，粒徑被認(rèn)為是使用激光衍射儀器以及用于解釋結(jié)果的Mie理論測量的體積等效球體的中值直徑。還應(yīng)當(dāng)理解，球形顆粒32和片狀顆粒34可以不是單分散的，而是可以顯示不同尺寸的大致球形顆粒和大致片狀顆粒的顆粒尺寸分布。這種分布可以用體積加權(quán)分布表示，其中每個(gè)顆粒在分布中的貢獻(xiàn)與該顆粒的體積有關(guān)。對于例如通過激光衍射測量的那些體積加權(quán)粒度分布，基于樣品的給定百分比體積的最大顆粒尺寸來報(bào)告參數(shù)是方便的。百分位數(shù)可以定義為：

D_ab

其中，

D＝直徑

a＝分布權(quán)重(v表示體積)

b＝低于該顆粒尺寸的樣品的百分比

例如，D_v50值是存在50％低于其的樣品體積的最大粒徑；也稱為體積中值顆粒尺寸(直徑)。本發(fā)明的典型顆粒尺寸分布包括中值直徑的大約40-100％的D_v10值，以及中值直徑的大約100-160％的D_v90值。通過激光衍射測量的顆粒尺寸分布可以通過直接的電子顯微鏡檢查來確認(rèn)。

申請人已經(jīng)確定，顆粒填料22優(yōu)選以30-50體積％的充填濃度，更優(yōu)選以40-50體積％的充填濃度分散在聚合物基質(zhì)24內(nèi)。如上所述，期望界面16維持具有相對低的體積壓縮模量的“適形”特性。超過50體積％的顆粒填料22的充填濃度可能不期望地提高界面16的體積壓縮模量。因此，每單位體積的顆粒填料的增強(qiáng)的導(dǎo)熱性和電磁輻射衰減的本發(fā)明發(fā)現(xiàn)允許用相對低的顆粒填料22的總充填濃度的分散體，以保持界面16的低體積壓縮模量值，同時(shí)保持高導(dǎo)熱性和/或EMI衰減值。

申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在上述顆粒填料22的總充填濃度內(nèi)，片狀顆粒34和球形顆粒32之間的充填比實(shí)現(xiàn)了觀察到的功能益處。為了本發(fā)明的目的，術(shù)語“體積充填比”是指片狀顆粒34與球形顆粒32的體積濃度比。在本發(fā)明的分散體中，0.1:1和1:1之間的片狀顆粒34與球形顆粒32的體積充填比是優(yōu)選的。

已經(jīng)進(jìn)一步確定，在本發(fā)明的分散體的制備中，一個(gè)因素是片狀顆粒34和球形顆粒32之間的粒徑比?！傲奖取北容^該分散體的片狀顆粒和球形顆粒的中值粒徑，中值粒徑如上文所定義。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，中值片狀粒徑與中值球形粒徑的粒徑比在1:1和20:1之間。在該范圍之外的粒徑比下，基本上消除了本發(fā)明的出乎意料的功能益處。

優(yōu)選地，聚合物基質(zhì)24給界面16提供了整體柔軟和柔韌的特性。具體地，界面16優(yōu)選顯示小于大約5MPa的總體壓縮模量，更優(yōu)選小于1MPa的體積壓縮模量，以及在大約10Shore 00和50Shore A之間的體積硬度，更優(yōu)選體積硬度在10Shore 00和70Shore 00之間，均在20℃的室溫下。在具體實(shí)施方案中，界面16可以在20℃下表現(xiàn)出在15Shore 00和30Shore 00之間的硬度。這種柔韌性和柔軟性使得能夠?qū)⒔缑?6應(yīng)用于電子組件12和散熱部件14的不平坦表面，而不會(huì)形成間隙。由于其低模量和硬度值而引起的界面16的適形性(conformability)方面對于確保導(dǎo)熱界面16和封裝件10的相關(guān)組件之間的連續(xù)接觸面積是重要的，以便使傳熱效率最大化，以及使在電子封裝件10的組裝中損壞電子組件12的風(fēng)險(xiǎn)最小化。

如此的源自聚合物基質(zhì)24的界面16的體積壓縮模量和體積硬度性質(zhì)允許界面16的可處理性。換言之，期望界面16具有在可工作范圍內(nèi)的柔軟度，其提供上述的適形和柔韌性益處，以及足夠的硬度，以便在處理和組裝中尺寸相對穩(wěn)定。申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，包括在10-70Shore 00之間的上述硬度范圍在輻射屏蔽和熱傳遞以及其易于處理(包括通過自動(dòng)化設(shè)備)中實(shí)現(xiàn)有用的平衡。在一些實(shí)施方案中，界面16可以是在室溫下相對尺寸穩(wěn)定的自支撐體，或者可以是較不粘稠的，包括對于就地形成應(yīng)用可液體分配的。上述硬度和模量范圍旨在應(yīng)用于在室溫下安裝的本界面16。在操作條件下，在升高的溫度下，本界面16的硬度值可以降低，特別是在相變材料用于本界面16的聚合物基質(zhì)24內(nèi)的情況下。

聚合物基質(zhì)24可以由熱塑性或熱固性聚合物形成?？捎糜诰酆衔锘|(zhì)24內(nèi)的熱塑性和熱固性樹脂的實(shí)例包括：例如硅氧烷、丙烯酸類、聚氨酯類、環(huán)氧樹脂、多硫化物、聚異丁烯和聚乙烯基或聚烯烴基聚合物。從這種熱塑性或熱固性樹脂開發(fā)的聚合物基質(zhì)提供相對柔軟和柔韌的基底，其中顆粒填料22能夠以大約30-50體積％的濃度分散。

除了上述的導(dǎo)熱性質(zhì)之外，界面16還可以提供電磁輻射抑制。因此，從例如電子組件12發(fā)出的電磁輻射可以在很大程度上被界面16吸收或反射，而不透射過厚度“T”。優(yōu)選地，至少大約10％的電磁輻射被吸收或反射回例如電子組件12處的源。在一些實(shí)施方案中，小于約90％的電磁輻射被允許透射過本發(fā)明的界面16。通過本發(fā)明的界面16，可以實(shí)現(xiàn)在2.4GHz下的至少1dB/in，更優(yōu)選地至少10dB/in的電磁輻射吸收。電磁吸收效率的這種量度可以通過以下關(guān)系式來測量：

其中，

A＝電磁吸收(dB/in)

S11＝電磁反射系數(shù)

S21＝電磁透射系數(shù)

T＝界面墊的厚度(in)

實(shí)施例

制備多組熱界面墊，以測試多種總顆粒填料充填濃度、片狀顆粒和球形顆粒之間的體積充填比以及片狀顆粒和球形顆粒之間的粒徑比下的導(dǎo)熱性和電磁輻射吸收。將界面墊制備成大約1mm的厚度，用于測試。

實(shí)施例1

使用購自Denka的大致球形的氧化鋁顆粒和購自Momentive的氮化硼(BN)片狀顆粒制備第一組界面墊樣品。制備乙烯基官能的硅氧烷和氫化物官能的硅氧烷與鉑催化劑和馬來酸酯抑制劑的共混物作為界面墊的聚合物基質(zhì)的基礎(chǔ)樹脂。使用100g批料，在FlackTek高速混合器中，將樹脂材料與氧化鋁和氮化硼填料顆粒在2,200rpm下混合30秒?；旌虾?，使材料冷卻至25℃，然后在2,200rpm下再混合十五秒。

實(shí)施例2

使用購自Denka的大致球形的氧化鋁顆粒和購自Cabot的片狀石墨烯顆粒制備另一組界面墊。聚合物基質(zhì)由市售的RTV兩部分縮合固化模制硅氧烷制備。將硅氧烷A部分與石墨烯和氧化鋁顆粒在2,200rpm下混合30秒。將材料冷卻至25℃，然后加入硅氧烷B部分，并在2,200rpm下再混合15秒。

圖5-12用圖形描述在多種片狀/球形體積充填比和顆粒尺寸比以及總顆粒填料充填濃度下共混的上述示例界面墊的導(dǎo)熱性和電磁輻射吸收。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的圖形表示證明了在特定屬性范圍內(nèi)的所需性能性質(zhì)，即在聚合物基質(zhì)中30-50體積％的總顆粒填料充填濃度、在0.1:1和1:1之間的片狀顆粒與球形顆粒的體積充填比以及在1:1和20:1之間的片狀粒徑與球形粒徑的粒徑比。

圖5描述了多種氮化硼/氧化鋁顆粒共混物的導(dǎo)熱性隨著總顆粒填料充填濃度和相對顆粒尺寸比的變化。該圖清楚地表明，含有球形顆粒和片狀顆粒的顆粒填料分散體在相等的總充填濃度下明顯優(yōu)于僅具有球形顆?；蚱瑺铑w粒的顆粒填料分散體。這表明“非加和性”效應(yīng)，其中球形顆粒和片狀顆粒的組合的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過在該負(fù)載濃度下的預(yù)期性能。

圖6顯示了氮化硼/氧化鋁顆粒分散體共混物的導(dǎo)熱性隨著相對粒徑比和相對體積充填比的變化。從圖6可以看出，片狀:球形的粒徑比超出20:1時(shí)，本發(fā)明分散體的出乎意料的非加和性的益處顯著地減少。

圖7顯示了在片狀顆粒與球形顆粒的體積充填比是0.1:1時(shí)，石墨烯/氧化鋁共混物的導(dǎo)熱性隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比的變化。同樣地，圖8顯示了在片狀顆粒與球狀顆粒的體積充填比是0.2:1時(shí)，石墨烯/氧化鋁共混物的導(dǎo)熱性隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比的變化。

圖9顯示了在片狀顆粒與球形顆粒的體積充填比是0.1:1時(shí)，石墨烯/氧化鋁顆粒共混物的電磁輻射吸收隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比的變化。類似地，圖10顯示在片狀顆粒與球形顆粒的體積充填比是0.2:1時(shí)，石墨烯/氧化鋁顆粒共混物的電磁輻射吸收隨著總顆粒填料充填濃度和相對粒徑比的變化。圖7-10中的每一個(gè)均展示了本分散體在其各自的屬性范圍內(nèi)的非加和性益處。

圖11和12顯示石墨烯/氧化鋁顆粒分散體共混物在總顆粒填料充填濃度和片狀顆粒與球形顆粒的相對體積充填比下的導(dǎo)熱性和電磁輻射吸收數(shù)據(jù)。

本文已經(jīng)相當(dāng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明，以符合專利法規(guī)，并且為本領(lǐng)域技術(shù)人員提供應(yīng)用新穎性原則以及根據(jù)需要構(gòu)造和使用本發(fā)明的實(shí)施方案所需的信息。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本發(fā)明本身的范圍的情況下，可以進(jìn)行多種修改。