1.一種用于量子反?；魻栃?yīng)薄膜的有效厚度的測定方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的測定方法，其特征在于，所述將所述量子反?；魻栃?yīng)薄膜制備為量子輸運(yùn)器件的步驟，包括：
3.如權(quán)利要求2所述的測定方法，其特征在于，所述將在襯底的上表面生長的所述量子反?；魻栃?yīng)薄膜刻蝕為霍爾器件的步驟中，利用氬離子刻蝕技術(shù)或者反應(yīng)離子束刻蝕技術(shù)進(jìn)行刻蝕。
4.如權(quán)利要求2所述的測定方法，其特征在于，所述在所述霍爾器件上生長介質(zhì)層的步驟中，利用原子層沉積鍍膜技術(shù)或者磁控濺射鍍膜技術(shù)進(jìn)行生長。
5.如權(quán)利要求2所述的測定方法，其特征在于，所述在所述介質(zhì)層上生長電極，形成頂柵的步驟中；以及所述在所述襯底的下表面生長電極，形成背柵的步驟中，利用電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)、熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)或者磁控濺射鍍膜技術(shù)進(jìn)行生長。
6.如權(quán)利要求2所述的測定方法，其特征在于，所述對所述量子輸運(yùn)器件施加電壓，以使所述量子輸運(yùn)器件呈現(xiàn)出量子反?；魻栃?yīng)的步驟，包括：
7.如權(quán)利要求6所述的測定方法，其特征在于，所述外加電場的方向?yàn)榕c所述襯底表面垂直。
8.如權(quán)利要求6所述的測定方法，其特征在于，所述對所述量子輸運(yùn)器件進(jìn)行電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì)測量，并提取指標(biāo)的步驟，包括：
9.如權(quán)利要求8所述的測定方法，其特征在于，按照下式計算所述縱向電阻率、霍爾電阻率、縱向電導(dǎo)率和霍爾電導(dǎo)率：
10.如權(quán)利要求8所述的測定方法，其特征在于，所述根據(jù)所述指標(biāo)確定所述量子反?；魻栃?yīng)薄膜的有效厚度的步驟，包括：