本公開涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、近來，有機發(fā)光二極管(oled)顯示器作為用于顯示圖像的裝置引起了關(guān)注。由于oled顯示器具有自發(fā)射特性并且不需要額外的光源，因此與液晶顯示裝置不同，可以減小其厚度和重量。進一步地，oled顯示器具有高質(zhì)量特性，例如低功耗、高亮度和高響應(yīng)速度等。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、示例性實施例提供了一種顯示裝置，包括：基板；薄膜晶體管，配置成位于基板上；層間絕緣層，配置成位于薄膜晶體管上；電極，配置成位于層間絕緣層上；以及發(fā)射層，配置成位于電極上，其中電極可以包括與發(fā)射層重疊的發(fā)射區(qū)域、與薄膜晶體管重疊的接觸區(qū)域以及在與接觸區(qū)域不同的方向上從發(fā)射區(qū)域突出的虛設(shè)區(qū)域。

2、虛設(shè)區(qū)域和接觸區(qū)域可以相對于發(fā)射區(qū)域?qū)ΨQ地設(shè)置。

3、層間絕緣層可以包括與接觸區(qū)域重疊的第一孔，以及與虛設(shè)區(qū)域重疊的凹槽，而接觸區(qū)域與薄膜晶體管通過第一孔連接。

4、發(fā)射區(qū)域，接觸區(qū)域和虛設(shè)區(qū)域的厚度可以基本相同。

5、顯示裝置還可包括配置成位于電極上的像素限定層，其中發(fā)射層可以包括發(fā)射具有第一波長的光的第一發(fā)射層、發(fā)射具有第二波長的光的第二發(fā)射層以及發(fā)射具有第三波長的光的第三發(fā)射層，像素限定層可以包括與第一發(fā)射層重疊的第一開口、與第二發(fā)射層重疊的第二開口以及與第三發(fā)射層重疊的第三開口，并且電極可以包括與第一發(fā)射層重疊的第一電極、與第二發(fā)射層重疊的第二電極以及與第三發(fā)射層重疊的第三電極。

6、第一電極可以包括第一發(fā)射區(qū)域、第一接觸區(qū)域和第一虛設(shè)區(qū)域，第二電極可以包括第二發(fā)射區(qū)域、第二接觸區(qū)域和第二虛設(shè)區(qū)域，并且第三電極可以包括第三發(fā)射區(qū)域、第三接觸區(qū)域和第三虛設(shè)區(qū)域。

7、第一發(fā)射層和第三發(fā)射層與第二發(fā)射層可以相對于連接彼此相鄰的第一接觸區(qū)域、第二接觸區(qū)域及第三接觸區(qū)域的假想線位于不同側(cè)。

8、第一虛設(shè)區(qū)域、第二虛設(shè)區(qū)域和第三虛設(shè)區(qū)域中的至少一個與其其余部分可以相對于連接彼此相鄰的第一接觸區(qū)域、第二接觸區(qū)域及第三接觸區(qū)域的假想線位于不同側(cè)。

9、層間絕緣層可以包括位于薄膜晶體管上的第一層間絕緣層，以及位于第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層。

10、第一孔可以穿過第一層間絕緣層和第二層間絕緣層，并且凹槽可以穿過第二層間絕緣層。

11、接觸區(qū)域可以通過第一孔接觸漏電極，并且虛設(shè)區(qū)域可以通過凹槽接觸第一層間絕緣層。

12、虛設(shè)區(qū)域可以與發(fā)射區(qū)域間隔開。

13、顯示裝置可以包括多個第二電極，多個第二電極中的至少一個可以包括接觸區(qū)域、發(fā)射區(qū)域和虛設(shè)區(qū)域，并且多個第二電極中的其余部分可以包括接觸區(qū)域和發(fā)射區(qū)域。

14、電極可包括反射區(qū)域。

15、接觸區(qū)域、虛設(shè)區(qū)域和反射區(qū)域可以相對于發(fā)射區(qū)域形成為對稱的。

16、顯示裝置可包括位于發(fā)射層上的公共電極、位于公共電極上的薄膜封裝層以及位于薄膜封裝層上的光阻擋構(gòu)件和濾色器中的至少一個。

17、另一實施例提供一種顯示裝置，包括：基板；薄膜晶體管，配置成位于基板上；層間絕緣層，配置成位于薄膜晶體管上；電極，配置成位于層間絕緣層上；以及發(fā)射層，配置成位于電極上，其中電極可以包括與發(fā)射層重疊的發(fā)射區(qū)域、與薄膜晶體管重疊的接觸區(qū)域以及從發(fā)射區(qū)域突出的虛設(shè)區(qū)域，并且接觸區(qū)域及虛設(shè)區(qū)域從層間絕緣層的上表面凹陷。

18、虛設(shè)區(qū)域和接觸區(qū)域可以形成為在平面圖中相對于發(fā)射區(qū)域在不同方向突出。

19、凹陷的虛設(shè)區(qū)域的高度可以等于或小于凹陷的接觸區(qū)域的高度。

20、發(fā)射區(qū)域、接觸區(qū)域和虛設(shè)區(qū)域的厚度可以基本相同。

21、示例性實施例提供了一種顯示裝置，包括：基板；多個第一電極，在列方向和行方向上設(shè)置在基板上；第二電極和第三電極，在列方向和行方向上交替地設(shè)置在基板上；其中多個第一電極各自包括：第一發(fā)射區(qū)域；第一接觸區(qū)域，在與列方向平行的第一方向上從第一發(fā)射區(qū)域突出，第一接觸區(qū)域與第一接觸孔重疊，第一電極通過第一接觸孔電連接第一薄膜晶體管；以及第一虛設(shè)區(qū)域，在與第一方向相反并且平行于列方向的第二方向上從第一發(fā)射區(qū)域突出，其中第二電極包括：第二發(fā)射區(qū)域；第二接觸區(qū)域，在第二方向上從第二發(fā)射區(qū)域突出，第二接觸區(qū)域與第二接觸孔重疊，第二電極通過第二接觸孔電連接第二薄膜晶體管，其中第三電極包括：第三發(fā)射區(qū)域；第三接觸區(qū)域，在第二方向上從第三發(fā)射區(qū)域突出，第三接觸區(qū)域與第三接觸孔重疊，第三電極通過第三接觸孔電連接第三薄膜晶體管。

22、第一電極的第一接觸區(qū)域和第一虛設(shè)區(qū)域可以在列方向上彼此重疊。

23、第一虛設(shè)區(qū)域在列方向上的長度可以大于第一虛設(shè)區(qū)域在行方向上的寬度，以及第一接觸區(qū)域在列方向上的長度可以大于第一接觸區(qū)域在行方向上的寬度。

24、第一虛設(shè)區(qū)域、第一發(fā)射區(qū)域和第一接觸區(qū)域可以在列方向上順序地設(shè)置。

25、第二電極還可以包括在第一方向上從第二發(fā)射區(qū)域突出的第二虛設(shè)區(qū)域，以及第三電極還可以包括在第一方向上從第三發(fā)射區(qū)域突出的第三虛設(shè)區(qū)域。

26、顯示裝置還可以包括位于第一薄膜晶體管與第一電極之間的層間絕緣層，其中第一接觸孔、第二接觸孔和第三接觸孔可以穿過層間絕緣層形成。

27、層間絕緣層還可以包括與第一虛設(shè)區(qū)域重疊的第一凹槽、與第二虛設(shè)區(qū)域重疊的第二凹槽和與第三虛設(shè)區(qū)域重疊的第三凹槽。

28、顯示裝置還可以包括位于第一電極上的第一發(fā)射層，其中第一發(fā)射層可以與第一電極的第一發(fā)射區(qū)域重疊。

29、顯示裝置還可以包括位于第二電極上的第二發(fā)射層，以及位于第三電極上的第三發(fā)射層，其中第二發(fā)射層可以與第二電極的第二發(fā)射區(qū)域重疊，以及第三發(fā)射層可以與第三電極的第三發(fā)射區(qū)域重疊。

30、第一發(fā)射區(qū)域可以在平面圖中設(shè)置在第一接觸區(qū)域與第一虛設(shè)區(qū)域之間，第二發(fā)射區(qū)域可以在平面圖中設(shè)置在第二接觸區(qū)域與第二虛設(shè)區(qū)域之間，以及第三發(fā)射區(qū)域可以在平面圖中設(shè)置在第三接觸區(qū)域與第三虛設(shè)區(qū)域之間。

31、顯示裝置還可以包括位于第一發(fā)射層和第二發(fā)射層上并且與第一發(fā)射層和第二發(fā)射層重疊的公共電極。

32、第一電極可以對應(yīng)于綠色像素。

33、第二電極可以對應(yīng)于紅色像素，并且第三電極可以對應(yīng)于藍色像素。

34、第一發(fā)射區(qū)域可以小于第二發(fā)射區(qū)域和第三發(fā)射區(qū)域。

35、示例性實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置具有在行方向和列方向上布置的多個像素，該顯示裝置包括：基板；位于所述基板上的第一薄膜晶體管；位于薄膜晶體管上的層間絕緣層；位于層間絕緣層上的第一電極，位于層間絕緣層上的第二電極，位于第一電極上的第一發(fā)射層，位于第二電極上的第二發(fā)射層，以及位于第一發(fā)射層和第二發(fā)射層上的公共電極，其中第一電極包括：第一發(fā)射區(qū)域；第一接觸區(qū)域，在平面圖中在列方向上從第一發(fā)射區(qū)域突出，并且與穿透層間絕緣層的第一接觸孔重疊；以及第一虛設(shè)區(qū)域，在平面圖中在第一發(fā)射區(qū)域位于第一接觸區(qū)域與第一虛設(shè)區(qū)域之間的情況下在列方向上從第一發(fā)射區(qū)域突出，其中第一接觸區(qū)域和第一虛設(shè)區(qū)域在彼此相反的方向上突出，其中第二電極包括：第二發(fā)射區(qū)域；以及第二接觸區(qū)域，在列方向上從第二發(fā)射區(qū)域突出，并且與穿透層間絕緣層的第二接觸孔重疊，其中第二電極不具有在列方向上從第二發(fā)射區(qū)域突出的虛設(shè)區(qū)域。

36、第一電極的第一接觸區(qū)域和第一虛設(shè)區(qū)域可以在列方向上彼此重疊。

37、第一虛設(shè)區(qū)域在列方向上的長度可以大于第一虛設(shè)區(qū)域在行方向上的寬度，以及第一接觸區(qū)域在列方向上的長度可以大于第一接觸區(qū)域在行方向上的寬度。

38、第一虛設(shè)區(qū)域、第一發(fā)射區(qū)域和第一接觸區(qū)域可以在列方向上順序地設(shè)置。

39、層間絕緣層還可以包括與第一虛設(shè)區(qū)域重疊的第一凹槽。