本揭示案的實(shí)施方式大體相關(guān)于基板處理腔室。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體基板處理系統(tǒng)可執(zhí)行第一和第二階段抽空以產(chǎn)生足夠的真空以用于在處理腔室中處理半導(dǎo)體晶片。通常，在第一階段，腔室被排氣并達(dá)到第一真空水平。在大部分氣氛從腔室移除并建立真空之后，開(kāi)始第二階段。在第二階段期間，使用低溫泵(通常稱(chēng)為低溫泵)在處理腔室內(nèi)獲得高真空水平。

2、通常，低溫泵通過(guò)在第一階段抽空之后移除殘留在腔室氣氛中的分子和其他氣體而在腔室內(nèi)產(chǎn)生高真空。低溫泵在冷時(shí)吸收氣體，然后隨著低溫泵溫度增加逐漸失去吸收氣體的能力，直到達(dá)到低溫泵解吸氣體的溫度。因此，泵的溫度直接影響低溫泵達(dá)到和維持高真空的能力(亦即，低溫泵必須保持冷卻以有效達(dá)到高真空)。

3、通常，低溫泵經(jīng)由彎頭導(dǎo)管連接到處理腔室中的泵端口。彎頭導(dǎo)管用于保護(hù)低溫泵免受腔室內(nèi)由燈、基座加熱器、等離子體、和其他熱源在腔室中產(chǎn)生的熱的影響。彎頭導(dǎo)管通過(guò)將低溫泵放置在與腔室相距一距離處來(lái)熱“隔離”低溫泵，在該距離處來(lái)自腔室的加熱效應(yīng)不太嚴(yán)重。泵端口可裝配有屏蔽件以反射處理腔室內(nèi)產(chǎn)生的輻射能。然而，單個(gè)屏蔽件可能不足以保護(hù)低溫泵。

4、因此，發(fā)明人提供了改進(jìn)的熱屏蔽組件以用于屏蔽低溫泵而使其免受處理腔室內(nèi)產(chǎn)生的熱能的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本文提供用于處理腔室的熱屏蔽組件的實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，一種用于處理腔室的熱屏蔽組件包括：第一屏蔽件，該第一屏蔽件包括圓形板；第二屏蔽件，該第二屏蔽件耦接至該第一屏蔽件且與該第一屏蔽件呈平行配置，其中該第二屏蔽件具有大于該第一屏蔽件的外徑的外徑，且該第二屏蔽件包括中心開(kāi)口，該中心開(kāi)口具有小于該第一屏蔽件的外徑的直徑；及第三屏蔽件，該第三屏蔽件耦接至該第二屏蔽件且與該第二屏蔽件呈平行配置，其中該第三屏蔽件的外徑大于該第二屏蔽件的該中心開(kāi)口的該直徑。

2、在一些實(shí)施方式中，一種用于處理腔室的熱屏蔽組件包括：多個(gè)屏蔽件，該多個(gè)屏蔽件排列成平行配置，其中該多個(gè)屏蔽件的第一屏蔽件包括圓形板，其中該多個(gè)屏蔽件的第二屏蔽件具有大于該第一屏蔽件的外徑的外徑，且該第二屏蔽件包括中心開(kāi)口，該中心開(kāi)口具有小于該第一屏蔽件的外徑的直徑。

3、在一些實(shí)施方式中，一種處理腔室包括：腔室主體，該腔室主體界定該腔室主體中的內(nèi)部容積，其中該腔室主體包括泵端口，該泵端口被配置以用于將該腔室主體耦接至低溫泵；基板支撐件，該基板支撐件設(shè)置于該內(nèi)部容積中且被配置以支撐基板；及熱屏蔽組件，該熱屏蔽組件設(shè)置于該內(nèi)部容積中接近該泵端口且實(shí)質(zhì)覆蓋該泵端口，該熱屏蔽組件包括：多個(gè)屏蔽件，該多個(gè)屏蔽件排列成平行配置，其中該多個(gè)屏蔽件的第一屏蔽件包括圓形板，其中該多個(gè)屏蔽件的第二屏蔽件具有大于該第一屏蔽件的外徑的外徑，且該第二屏蔽件包括中心開(kāi)口，該中心開(kāi)口具有小于該第一屏蔽件的外徑的直徑。

4、下方描述本揭示案的其他及進(jìn)一步的實(shí)施方式。

技術(shù)特征：

1.一種用于處理腔室的熱屏蔽組件，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的熱屏蔽組件，其中所述第一屏蔽件具有凹形。

3.如權(quán)利要求1所述的熱屏蔽組件，進(jìn)一步包括環(huán)形裝設(shè)凸緣，所述環(huán)形裝設(shè)凸緣被設(shè)置為與所述第一屏蔽件呈平行配置，且經(jīng)由支撐構(gòu)件耦接至所述第一屏蔽件，所述支撐構(gòu)件從所述環(huán)形裝設(shè)凸緣的中心軸線(xiàn)延伸。

4.如權(quán)利要求3所述的熱屏蔽組件，其中所述環(huán)形裝設(shè)凸緣包括流體通路。

5.如權(quán)利要求1所述的熱屏蔽組件，其中所述第一屏蔽件與所述第二屏蔽件之間的第一距離小于所述第二屏蔽件與所述第三屏蔽件之間的第二距離。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱屏蔽組件，其中第一屏蔽件的所述外徑、所述第二屏蔽件的所述外徑、及第三屏蔽件的所述外徑不同。

7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱屏蔽組件，其中所述第一屏蔽件、所述第二屏蔽件、及所述第三屏蔽件皆耦接至裝設(shè)支架，所述裝設(shè)支架設(shè)置于所述第一屏蔽件與所述第三屏蔽件之間。

8.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱屏蔽組件，進(jìn)一步包括：

9.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱屏蔽組件，其中所述第一屏蔽件、所述第二屏蔽件、及所述第三屏蔽件由具有約0.2或更低的發(fā)射率的材料制成。

10.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱屏蔽組件，進(jìn)一步包括多個(gè)第一間隔器，所述多個(gè)第一間隔器設(shè)置于所述第一屏蔽件與所述第二屏蔽件之間。

11.如權(quán)利要求10所述的熱屏蔽組件，進(jìn)一步包括多個(gè)第二間隔器，所述多個(gè)第二間隔器設(shè)置于所述第二屏蔽件與所述第三屏蔽件之間。

12.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱屏蔽組件，其中所述第三屏蔽件由兩個(gè)零件制成，在所述兩個(gè)零件耦接在一起時(shí)形成所述第三屏蔽件的中心開(kāi)口。

13.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱屏蔽組件，其中所述第一屏蔽件的外邊緣延伸遠(yuǎn)離所述第二屏蔽件。

14.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱屏蔽組件，其中所述第一屏蔽件沿著所述第一屏蔽件的外周邊區(qū)域經(jīng)由多個(gè)緊固器直接耦接至所述第二屏蔽件。

15.一種處理腔室，包括：

16.如權(quán)利要求15所述的處理腔室，其中所述熱屏蔽組件界定流動(dòng)路徑，所述流動(dòng)路徑繞著所述第一屏蔽件的外邊緣且穿過(guò)所述第二屏蔽件的所述中心開(kāi)口且至所述泵端口。

17.如權(quán)利要求15所述的處理腔室，進(jìn)一步包括低溫泵，所述低溫泵耦接至所述泵端口。

18.如權(quán)利要求15所述的處理腔室，其中所述第一屏蔽件設(shè)置于所述泵端口外部。

19.如權(quán)利要求15所述的處理腔室，其中所述泵端口包括突片，且其中所述熱屏蔽組件經(jīng)由所述突片耦接至所述泵端口。

20.如權(quán)利要求15所述的處理腔室，進(jìn)一步包括多個(gè)第一間隔器及多個(gè)第二間隔器，所述多個(gè)第一間隔器設(shè)置于所述第一屏蔽件與所述第二屏蔽件之間，所述多個(gè)第二間隔器設(shè)置于所述第二屏蔽件與所述第三屏蔽件之間。

技術(shù)總結(jié)
本文提供用于處理腔室的熱屏蔽組件的實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，用于處理腔室的熱屏蔽組件包括：第一屏蔽件，該第一屏蔽件包括圓形板；第二屏蔽件，該第二屏蔽件耦接至該第一屏蔽件且與該第一屏蔽件呈平行配置，其中該第二屏蔽件具有大于該第一屏蔽件的外徑的外徑，且該第二屏蔽件包括中心開(kāi)口，該中心開(kāi)口具有小于該第一屏蔽件的外徑的直徑；及第三屏蔽件，該第三屏蔽件耦接至該第二屏蔽件且與該第二屏蔽件呈平行配置，其中該第三屏蔽件的外徑大于該第二屏蔽件的該中心開(kāi)口的該直徑。

技術(shù)研發(fā)人員：丁克什·胡德利·索曼納,阿拉·莫拉迪亞,科林·約翰·迪金森,曼朱納特·蘇班納
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/4