本公開涉及有機薄膜的沉積，包括相對于第二表面在襯底的第一表面上的選擇性沉積。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體制造中不斷縮小的器件尺寸需要新的創(chuàng)新處理方法。傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體處理中的圖案化涉及減材過程，其中沉積覆蓋層，通過光刻技術(shù)進(jìn)行掩模，并通過掩模中的開口進(jìn)行蝕刻。添加圖案化也是已知的，其中在沉積感興趣材料之前進(jìn)行掩蔽步驟，例如使用剝離技術(shù)或鑲嵌處理進(jìn)行圖案化。在大多數(shù)情況下，昂貴的多步驟光刻技術(shù)被用于圖案化。

2、半導(dǎo)體制造商對選擇性沉積越來越感興趣，選擇性沉積可以減少常規(guī)圖案化所需的步驟，從而降低處理成本。選擇性沉積還可以增強狹窄結(jié)構(gòu)中的縮放。已經(jīng)提出了實現(xiàn)選擇性沉積的各種替代方案，并且需要額外的改進(jìn)來擴(kuò)展選擇性沉積在工業(yè)規(guī)模器件制造中的使用。需要更有效和可靠的技術(shù)來提高選擇性沉積中的選擇性并降低缺陷率。

3、本部分中闡述的任何討論，包括對問題和解決方案的討論，已經(jīng)包括在本公開中，僅僅是為了提供本公開的背景。這種討論不應(yīng)被視為承認(rèn)任何信息在構(gòu)思本公開的主題時是已知的，或者構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、提供本
技術(shù)實現(xiàn)要素：
是為了以簡化的形式介紹一些概念。這些概念在以下公開的示例實施例的詳細(xì)描述中被進(jìn)一步詳細(xì)描述。本發(fā)明內(nèi)容不旨在必要地標(biāo)識所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。

2、公開了用于在襯底上形成鈍化層的方法和設(shè)備，包括：在反應(yīng)室中提供襯底，該襯底包括第一表面和第二表面，使該襯底與包含含有至少兩個胺基的胺化合物的第一前體接觸，并使該襯底與包含至少一種硫代酸酐的第二前體接觸，其中使該襯底與第一和第二前體接觸在第一表面上相對于第二表面選擇性地形成膜。

3、在一些示例中，鈍化層包括聚酰亞胺膜。在一些示例中，鈍化層包括聚酰亞胺膜均苯四甲酸二硫代酐。

4、在一些示例中，接觸操作包括沉積循環(huán)，該過程包括一個或多個沉積循環(huán)。

5、在某些示例中，接觸操作還包括重復(fù)接觸操作，直至已經(jīng)形成期望厚度的鈍化層。

6、在各種示例中，第一表面是金屬碳化物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硼化物、元素金屬、金屬性表面、無定形碳或其組合。

7、在一些示例中，第一表面包括金屬，該金屬包括鋁(al)、銅(cu)、鎢(w)、鈷(co)、鎳(ni)、鈮(nb)、鐵(fe)、鉬(mo)、銦(in)、鎵(ga)、錳(mn)、鋅(zn)、釕(ru)、鈦(ti)、鉭(ta)、鉻(cr)或釩(v)或者其組合。

8、在各種示例中，第一表面是電介質(zhì)表面，其包含sicox、siox、硅、sio2、氧化鋯(zro2)、氧化鉿(hfo2)、氧化鋁(al2o3)、氮化鈦(tin)和氧化鈦(tio2)或氮化鋁(aln)或者其組合。

9、在一些示例中，第一表面包括ruox、niox、coox、nbox、moox、wox、nbbx、nbcx、wncx、tan或tin或者其組合。

10、在各種示例中，第二表面包括形成在其上的鈍化阻擋層。

11、在某些示例中，第二表面包括金屬，該金屬包括鋁(al)、銅(cu)、鎢(w)、鈷(co)、鎳(ni)、鈮(nb)、鐵(fe)、鉬(mo)、銦(in)、鎵(ga)、錳(mn)、鋅(zn)、釕(ru)、鈦(ti)、鉭(ta)、鉻(cr)或釩(v)或者其組合。

12、在各種示例中，第二表面是電介質(zhì)表面，其包含sicox、siox、硅、sio2、氧化鋯(zro2)、氧化鉿(hfo2)、氧化鋁(al2o3)、氮化鈦(tin)和氧化鈦(tio2)或氮化鋁(aln)或者其組合。

13、在一些示例中，第二表面包括ruox、niox、coox、nbox、moox、wox、nbbx、nbcx、wncx、tan或tin或者其組合。

14、在某些示例中，鈍化阻擋層包括自組裝單層(sam)或具有鍵合到硅原子上的至少一個烷氧基的烷基硅烷。

15、在各種示例中，第一前體包括二胺、三胺、四胺、包含至少兩個伯胺的環(huán)狀化合物或其組合。

16、在一些示例中，第二前體包括包含兩個硫代酸酐基團(tuán)的化合物，該化合物包含由通式(1)表示的結(jié)構(gòu)：

17、?(1)

18、其中，r和r’獨立地包含烴基。在各種示例中，烴基中的至少一個獨立地包含以下中的一個或多個：o、n或s或者其組合。

19、在某些示例中，第二前體包括包含兩個硫代酸酐基團(tuán)的化合物，該化合物包含由通式(2)表示的結(jié)構(gòu)：

20、?(2)

21、其中，r包括烴基。在各種示例中，烴基包括以下中的一個或多個：o、n或s或者其組合。

22、在一些示例中，第二前體包括包含一個硫代酸酐基團(tuán)和一個酸酐基團(tuán)的化合物，該化合物包含由通式(3)表示的結(jié)構(gòu)：

23、?(3)

24、其中，r和r’獨立地包含烴基。在各種示例中，其中，烴基中的至少一個獨立地包含以下中的一個或多個：o、n或s或者其組合。

25、在各種示例中，第二前體包括包含一個硫代酸酐基團(tuán)和一個酸酐基團(tuán)的化合物，該化合物包含由通式(4)表示的結(jié)構(gòu)：

26、?(4)

27、其中，r包括烴基。在各種示例中，烴基包括以下中的一個或多個：o、n或s或者其組合。

28、在各種示例中，第二前體包括包含至少一個硫代酸酐基團(tuán)的化合物，該化合物包含由通式(5)表示的結(jié)構(gòu)：

29、?(5)

30、其中，l是四價烴基，其可選地包含以下中的一個或多個：o、n或s或者其組合；并且其中，x選自s或o。

31、在一些示例中，第二前體包括包含兩個或更多個酸酐基團(tuán)的化合物，該化合物包含由通式(6)表示的結(jié)構(gòu)：

32、(6)

33、其中，l是四價烴基，其可選地包含以下中的一個或多個：o、n或s或者其組合；并且其中，x’和x”獨立地選自s、se、te、nh、nr”或o，其中r”是c1至c6化合物。

34、在某些示例中，第二前體包括由通式(7)表示的化合物：

35、?(7)

36、其中，r1、r2和r3獨立地包括烴基，烴基可選地包括以下中的一個或多個：o、n或s或者其組合；并且其中，y選自s、se、te、nh、nr”或o，其中r”是c1至c6化合物。

37、在一些示例中，該過程還包括相對于鈍化層在襯底的第二表面上選擇性地沉積材料。

38、在各種示例中，材料是第一電介質(zhì)，第二表面是第二電介質(zhì)。

39、在某些示例中，材料是電介質(zhì)，第二表面是金屬。

40、在一些示例中，材料是金屬，第二表面是電介質(zhì)。

41、在各種示例中，材料是金屬，第二表面是包括導(dǎo)電金屬氮化物的金屬。

42、為了總結(jié)本公開和相對于現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)的優(yōu)點，上文已經(jīng)描述了本公開的某些目的和優(yōu)點。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)本公開的任何特定實施例或示例，不一定能夠?qū)崿F(xiàn)所有這些目的或優(yōu)點。因此，例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，本文公開的示例可以實現(xiàn)或優(yōu)化本文教導(dǎo)或建議的一個優(yōu)點或一組優(yōu)點的方式來實施，而不一定實現(xiàn)本文教導(dǎo)或建議的其他目的或優(yōu)點。

43、所有這些示例都在本公開的范圍內(nèi)。通過參考附圖對某些示例的以下詳細(xì)描述，這些和其他實施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得顯而易見，本公開不限于所討論的任何特定示例。