本公開涉及具有l(wèi)10型有序結(jié)構(gòu)的l10型鐵鎳(feni)有序合金(以下，也稱為feni超點(diǎn)陣(superlattice))和l10型feni有序合金的制造方法。

背景技術(shù)：

1、feni超點(diǎn)陣被預(yù)期為具有高耐熱性的磁體材料和磁性裝置材料例如磁性記錄材料。例如，日本專利第6332359號(hào)公開了一種高質(zhì)量feni超點(diǎn)陣的制造方法。在該制造方法中，采用滲氮(nitriding)和脫氮(denitriding)方法制造高質(zhì)量的feni超點(diǎn)陣，其中通過滲氮處理將feni合金滲氮以獲得氮化物，然后通過脫氮處理將氮從所述氮化物中解吸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、然而，在傳統(tǒng)的滲氮和脫氮方法中，在以feni合金為原料的滲氮處理中，為了合成feni超點(diǎn)陣的前體fenin，需要大量的氨(nh3)，并且滲氮效率低的事實(shí)是增加feni超點(diǎn)陣磁性粉末生產(chǎn)成本的因素之一。

2、本發(fā)明的發(fā)明人為了提高滲氮效率反復(fù)研究，確認(rèn)了滲氮效率因在滲氮工序(process)中生成的氮化物被熱分解而降低。

3、鑒于以上幾點(diǎn)，本公開的目的在于提供一種l10型feni有序合金以及l(fā)10型feni有序合金的制造方法，其能夠通過提高滲氮效率來降低生產(chǎn)成本。

4、根據(jù)本公開的一個(gè)方面，l10型feni有序合金具有l(wèi)10型有序結(jié)構(gòu)并且包含硫。

5、在l10型feni有序合金包含硫時(shí)，即在使用包含硫的feni合金作為原料形成l10型feni有序合金時(shí)，可以獲得高的滲氮效率。

6、根據(jù)本公開的另一個(gè)方面，l10型feni有序合金的制造方法包括對(duì)含硫的feni合金進(jìn)行滲氮處理以獲得含fe和ni的氮化物。

7、以這種方式，當(dāng)對(duì)含硫的feni合金進(jìn)行滲氮處理時(shí)，可以獲得高的滲氮效率。

技術(shù)特征：

1.feni氮化物，其含有硫，其中，含硫量為0.01質(zhì)量％或更多至10質(zhì)量％或更少。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述feni氮化物，其中，所述含硫量為0.03質(zhì)量％或更多至2.26質(zhì)量％或更少。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的feni氮化物，其中，所述feni氮化物由顆粒構(gòu)成，并且所述硫存在于整個(gè)所述顆粒中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的feni氮化物，其中，所述feni氮化物由顆粒構(gòu)成，并且所述硫偏析在所述顆粒的內(nèi)部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的feni氮化物，其中，所述feni氮化物由顆粒構(gòu)成，并且所述硫偏析在所述顆粒的表面上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3-5中任一項(xiàng)所述的feni氮化物，其中，所述顆粒的平均粒徑為10nm或更大至5000nm或更小。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的feni氮化物，其中，所述feni氮化物由其中一次粒子聚集的二次粒子構(gòu)成，并且所述一次粒子的平均粒徑為10nm或更大至1000nm或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的feni氮化物，其中，所述feni氮化物包括fenin，所述fenin在所述feni氮化物中的比例為50質(zhì)量％或更大。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的feni氮化物，其中，所述fenin在所述feni氮化物中的比例為80質(zhì)量％或更大。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的feni氮化物，其中，在所述feni氮化物中，fe的摩爾數(shù)與fe和ni的總摩爾數(shù)之比為0.4至0.6。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種L1<subgt;0</subgt;型鐵鎳(FeNi)有序合金，其具有L1<subgt;0</subgt;型有序結(jié)構(gòu)并包含硫。該L1<subgt;0</subgt;型FeNi有序合金可以具有0.01質(zhì)量％至10質(zhì)量％范圍內(nèi)的含硫量。L1<subgt;0</subgt;型FeNi有序合金的制造方法包括對(duì)包含硫的FeNi合金進(jìn)行滲氮處理以獲得含有Fe和Ni的氮化物。

技術(shù)研發(fā)人員：藏裕彰,西尾隆宏,渡部英治,林禎彰,山本貴之,前原永,松野孝則
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社電裝
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/8