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作為低損耗應(yīng)用中可B階段化的組合物的含有丙烯酸酯官能團(tuán)和丙烯酸酯/馬來酰亞胺交聯(lián)劑的多環(huán)烯烴聚合物的制作方法

文檔序號(hào):41873450發(fā)布日期:2025-05-09 18:47閱讀:18來源:國知局
作為低損耗應(yīng)用中可B階段化的組合物的含有丙烯酸酯官能團(tuán)和丙烯酸酯/馬來酰亞胺交聯(lián)劑的多環(huán)烯烴聚合物的制作方法

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,一般涉及一種由兩種以上的多環(huán)烯烴單體形成的聚合物,其中至少一種單體含有丙烯酸酯官能團(tuán)。更具體而言,本發(fā)明涉及一種包含兩種以上的取代降冰片烯衍生物的聚合物,其中至少一種單體包含至少一個(gè)游離丙烯酸酯官能團(tuán)。本發(fā)明的實(shí)施方式還涉及一種組合物,其組合包含此類聚合物、以及增粘劑、交聯(lián)劑、自由基引發(fā)劑及一種以上的添加劑。本發(fā)明的組合物能夠容易形成膜,其可用作低損耗熱固材料和覆銅箔層壓板的預(yù)浸料,不僅表現(xiàn)出低介電常數(shù)和低損耗特性,還表現(xiàn)出極高的熱特性。例如,由本發(fā)明的組合物形成的膜通常表現(xiàn)出高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(范圍在約150℃~280℃內(nèi)),并且也表現(xiàn)出低介電常數(shù)(在10ghz的頻率下為約2.2~3.0)、低介電損耗因子(在10ghz的頻率下為約0.001~0.002)及低至60ppm/k的熱膨脹系數(shù)(cte)。因此,本發(fā)明的聚合物和組合物可以在各種應(yīng)用中用作絕緣材料,包括在各種汽車零件制造中使用的機(jī)電設(shè)備。


背景技術(shù):

1、具有低介電常數(shù)(dk)及低損耗(也被稱為介電損耗因子(df),)的絕緣材料對(duì)用于電器、汽車零件及其他應(yīng)用的印刷電路板的重要性是本領(lǐng)域眾所周知的。通常,在多數(shù)此類設(shè)備中,合適的絕緣材料必須具有在高頻(例如高于10ghz)下低于3的介電常數(shù)和低于0.002的低損耗。此外,由于有機(jī)介電材料具有容易制造等優(yōu)點(diǎn),因此有機(jī)介電材料的開發(fā)備受關(guān)注。

2、然而,此類材料在印刷電路板中作為覆銅箔層壓板使用時(shí),需要具有高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(tg)、低cte、低dk/df、對(duì)銅的高剝離強(qiáng)度及高溫儲(chǔ)存時(shí)的良好可靠性的高性能熱固性。制造層狀結(jié)構(gòu)時(shí),形成預(yù)浸料的能力(與玻璃布復(fù)合),b階段化的能力(生成未交聯(lián)或部分交聯(lián)的材料層)及膜熔融(film?fusing)的能力也很重要。本領(lǐng)域中的多數(shù)市售材料均未達(dá)到所有這些特性,尤其是低dk/df和高于150℃的高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

3、此外,在開發(fā)滿足所有要求的絕緣材料方面,還面臨著巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)。其中一個(gè)挑戰(zhàn)是,由于擔(dān)心銅層剝落,因此此類材料需表現(xiàn)出低熱膨脹系數(shù)(cte),優(yōu)選低于50ppm/k。另一個(gè)挑戰(zhàn)是,考慮到制造印刷電路板時(shí)使用的加工條件及設(shè)備可能遇到的惡劣條件,例如,在汽車中使用的毫米波雷達(dá)天線及在5g設(shè)備中使用的其他終端設(shè)備,因此此類材料需表現(xiàn)出非常高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(tg),優(yōu)選高于150℃或甚至高于250℃。

4、雖然通過含有長側(cè)鏈的降冰片烯衍生物如5-己基降冰片烯(hexnb)及5-癸基降冰片烯(decnb)的加成聚合而形成的膜,由于其疏水性而具有低dk及df,但這些膜表現(xiàn)出高cte(>200ppm/k)及低tg。例如,參考jp2016037577a及jp2012121956a。

5、例如,在文獻(xiàn)中也記載有具有低dk/df的聚合物如氟化聚乙烯、聚乙烯及聚苯乙烯,但這些聚合物表現(xiàn)出極低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(可遠(yuǎn)低于150℃),因此作為有機(jī)絕緣材料均不合適。此外,文獻(xiàn)中還報(bào)道,當(dāng)加入某些被酯基或醇基等極性基團(tuán)取代的取代降冰片烯時(shí),通常能夠生成具有低cte及高tg的聚合物。然而,由于此類基團(tuán)在電磁場(chǎng)中(尤其在高頻率下)的極化率,加入此類基團(tuán)均會(huì)使dk及df變高。因此,這種被極性基團(tuán)取代的降冰片烯不適合用于于形成本說明書所述的絕緣材料。

6、美國專利第10,897,818b2號(hào)公開了一種組合物,其包含含有乙烯基芐基末端基的改性聚苯、交聯(lián)劑如1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪烷-2,4,6-三酮(又稱為三烯丙基異氰脲酸酯(taic))及環(huán)氧化合物。然而,當(dāng)中所記載的組合物雖然具有約200~230℃的相當(dāng)高的tg,但仍表現(xiàn)出約3.7的高dk和約0.005的df。

7、因此,仍需要開發(fā)不僅具有低介電特性而且還具有非常高的熱特性的新型絕緣材料。

8、此外,還需要開發(fā)能夠形成熱固性膜而非熱塑性膜的材料。即,熱固性塑料通常為交聯(lián)結(jié)構(gòu),在高溫下更穩(wěn)定,不像熱塑性塑料那樣具有熱流動(dòng)性。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、因此,本發(fā)明的目的在于提供一種聚合物及其衍生的組合物,該聚合物包含取代降冰片烯的兩種以上單體,其中一種單體包含至少一個(gè)丙烯酸酯官能團(tuán),該組合物能夠形成具有至今未能實(shí)現(xiàn)的特性的絕緣材料。

2、以下,對(duì)本發(fā)明的其他目的及進(jìn)一步的適用范圍進(jìn)行詳細(xì)說明。

3、發(fā)明效果

4、令人驚奇的是,現(xiàn)已發(fā)現(xiàn),通過使用本說明書中記載的包含通式(i)及(ii)的兩種以上的多環(huán)烯烴單體的聚合物(其中,包含至少4摩爾%以上的通式(ii)的單體),能夠形成一種聚合物,其能夠用于本說明書中記載的組合物中,以形成包括膜在內(nèi)的各種三維物體,從而提供至今未能實(shí)現(xiàn)的介電特性及熱特性。

5、在本發(fā)明的另一方面還提供一種包含本發(fā)明的組合物的膜、復(fù)合材料、預(yù)浸料。



技術(shù)特征:

1.一種聚合物,其包含:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中,

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中,

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其選自由如下組成的組:

5.一種組合物,其包含:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物,其中,

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物,其中,

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物,其中,

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物,其中,

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物,其中,

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物,其中,

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物,其選自由如下組成的組:

13.一種膜,其由權(quán)利要求5所述的組合物形成。

14.一種成膜組合物,其包含:

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的組合物,其中,

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的組合物,其中,

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的組合物,其中,

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的組合物,其中,

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的組合物,其中,

20.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物,其選自由如下組成的組:


技術(shù)總結(jié)
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式包括,各種多環(huán)烯烴單體的共聚物、三元共聚物及四元共聚物,其中至少一種單體包含未聚合的丙烯酸酯基團(tuán)。在本發(fā)明的另一方面,提供一種組合物的實(shí)施方式,該組合物含有本發(fā)明的聚合物、交聯(lián)劑、自由基引發(fā)劑、增粘劑及一種以上合適的添加劑。本發(fā)明也提供一種可本體聚合的組合物,其包含一種以上的多環(huán)烯烴單體且根據(jù)需要包含含有丙烯酸酯基團(tuán)的單體及/或含有多官能丙烯酸酯的交聯(lián)劑。本發(fā)明的組合物在暴露于合適的高溫下時(shí)能夠形成各種三維絕緣物,例如膜。由本發(fā)明的組合物形成的物體表現(xiàn)出迄今未能實(shí)現(xiàn)的低介電常數(shù)、低損耗特性及極高的熱特性。本發(fā)明的組合物還可含有一種以上有機(jī)或無機(jī)填充材料,其除了提供極低的介電特性以外,還提供改善的熱機(jī)械特性。本發(fā)明的組合物可用于各種應(yīng)用中,包括用作毫米波雷達(dá)天線的絕緣材料等。

技術(shù)研發(fā)人員:P·坎達(dá)納朗齊,P·D·伯恩,L·F·羅德
受保護(hù)的技術(shù)使用者:普羅米魯斯有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/8
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